吉本　智巳 (ヨシモト　トモミ)

• 工学修士（東海大学）
• 博士（工学）（東海大学）

• 60230819

• 200901021631356007

• 1990年4月-2007年3月：北海道東海大学工学部電子情報工学科 助手，講師，助教授（准教授）
  
  2007年4月：東洋大学工学部電子情報工学科 准教授
  
  2009年4月：東洋大学理工学部電気電子情報工学科 准教授（学部•学科改組）
  
  2011年4月：東洋大学理工学部電気電子情報工学科 教授 現在に至る

• 電界放射   電子デバイス   electron device   

• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学

•         - 1990年03月   東海大学   工学研究科   電子工学専攻
•         - 1990年03月   TOKAI UNIVERSITY   Graduate School, Division of Engineering
•         - 1988年03月   東海大学   工学部   電子工学科
•         - 1988年03月   TOKAI UNIVERSITY   Faculty of Engineering

• 日本表面真空学会   電子情報通信学会   応用物理学会   

• Field Emission from Sharp Protrusions of Graphite Fabricated by Sandblasting Process

  T. Yoshimoto; T. Ebina; T. Iwata

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62 078001-1 - 078001-3 2023年07月 [査読有り]
  
• カーボンペーパーからの低電界における電子放射

  吉本 智巳,仲野 羅武,岩田 達夫

  電子情報通信学会論文雑誌C Vol.J105-C No.2 78 - 90 2022年02月 [査読有り]
  
• サンドブラストによるSi表面凹凸構造からの電界放射特性の吹き付け微粒子サイズによる変化

  吉本智巳; 岩田達夫

  電子情報通信学会論文誌C J103-C 12 496 - 498 2020年12月 [査読有り]
  
• Field-Emission from Finely Nicked Structures on n-Type Silicon Substrate Formed by Sandblasting Process

  T. Yoshimoto; T. Iwata

  IEICE TRANS. ELECTRON E102-C No.2 207 - 210 2019年02月 [査読有り]
  
• ダイヤモンド微粒子からの電界放射電流の時間変化

  吉本 智巳; 岩田 達夫

  電子情報通信学会 J100C No.1 41 - 44 2017年01月 [査読有り]
  
• Lowering of Threshold Voltage by Thermal Annealing of Diamond Micropowder Field Emitter

  Tomomi Yoshimoto; Yoshiaki Sugimoto; Tatsuo Iwata

  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E98C 10 995 - 998 2015年10月 [査読有り]
  
  Lowering of Threshold Voltage by Thermal Annealing of Diamond Micropowder Field EmitterTomomi Yoshimoto; Yoshiaki Sugimoto; Tatsuo IwataIEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E98C 10 995 - 998 2015年10月 [査読...詳細

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  Lowering of Threshold Voltage by Thermal Annealing of Diamond Micropowder Field Emitter

  Tomomi Yoshimoto; Yoshiaki Sugimoto; Tatsuo Iwata

  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E98C 10 995 - 998 2015年10月 [査読有り]
  
• オクタンチオールを用いた個液界面接触分解法で堆積したアモルファスカーボン薄膜からの熱電子放射

  吉本 智巳; 土屋 拓磨; 岩田 達夫; 蒲生西谷美香

  電子情報通信学会 J98-C No.10 220 - 222 2015年10月 [査読有り]
  
• Field-emission Characteristics of a Focused-Ion-Beam-Sharpened P-Type Silicon Single Emitter

  Tomomi Yoshimoto; Tatsuo Iwata

  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E98C 4 371 - 376 2015年04月 [査読有り]
  
• Low-Temperature Thermionic Emission from Diamond Micropowders with Sharp Edges

  Tomomi Yoshimoto; Tatsuo Iwata

  IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E96C 1 132 - 134 2013年01月 [査読有り]
  
• Improvement of Turn-on Voltage by Thermal Annealing  of a Tungsten Single Emitter Coated with a Carbonaceous Film Deposited in Liquid Methanol

  T. YOSHIMOTO; T. IWATA

  IEICE Tran. Electron. E94C 12 1913 - 1916 2011年12月 [査読有り]
  
  Improvement of Turn-on Voltage by Thermal Annealing  of a Tungsten Single Emitter Coated with a Carbonaceous Film Deposited in Liquid MethanolT. YOSHIMOTO; T. IWATAIEICE Tran. Electron. E94C 12 1913 -...詳細

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  Improvement of Turn-on Voltage by Thermal Annealing  of a Tungsten Single Emitter Coated with a Carbonaceous Film Deposited in Liquid Methanol

  T. YOSHIMOTO; T. IWATA

  IEICE Tran. Electron. E94C 12 1913 - 1916 2011年12月 [査読有り]
  
• Field Emission from Diamond Micropowders with Sharp Edges

  T. YOSHIMOTO; H. YUI; T. IWATA

  J. Vac. Sci. Technol. (B) 28 2 C2B30 - C2B33 2010年03月 [査読有り]
  
• Field Emission from a P-Type Silicon Single Emitter Sharpened by Focused Ion Beam Milling

  Tomomi Yoshimoto; Kazuki Sato; Tatsuo Iwata

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 7 070212-1 - 0702012-3 2010年 [査読有り]
  
  Field Emission from a P-Type Silicon Single Emitter Sharpened by Focused Ion Beam MillingTomomi Yoshimoto; Kazuki Sato; Tatsuo IwataJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 7 070212-1 - 0702012-3 2010年 ...詳細

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  Field Emission from a P-Type Silicon Single Emitter Sharpened by Focused Ion Beam Milling

  Tomomi Yoshimoto; Kazuki Sato; Tatsuo Iwata

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49 7 070212-1 - 0702012-3 2010年 [査読有り]
  
• メタノールの通電により生成するDLCを被覆した単一タングステン電界放射陰極からの電子放射特性

  岩田達夫; 吉本智巳; 吉田寛之; 森田能弘; 三上素直; 間山憲仁; 尾張正則

  J. Vac. Soc. Jpn 52 No.3 176 - 178 The Vacuum Society of Japan 2009年03月 [査読有り]
  
• カーボンナノチューブを含むポリテトラフルオロエチレン(PTFE)膜からの電界電子放射

  吉本智巳; 油井寿徳; 庄喜之; 岩田達夫

  J. Vac. Soc. Jpn 52 No.3 150 - 152 The Vacuum Society of Japan 2009年03月 [査読有り]
  
• 窒化ホウ素微粒子からの電界放射

  吉本智巳; 横川直博; 岩田達夫

  電子情報通信学会論文誌C Vol.91-C No.1 144 - 147 一般社団法人電子情報通信学会 2008年 [査読有り]
  
• p型GaAs陰極からの電界放射特性の熱処理による変化

  吉本智巳; 岩田達夫

  電子情報通信学会論文誌C Vol.J89-C 12 1128 - 1130 2006年12月 [査読有り]
  
• 炭素系硬質薄膜で被覆された陰極からの電子放射機構

  岩田達夫; 吉本智巳; 安森偉郎; 飯田昌盛

  J. Vac. Soc. Jpn. 49 12 771 - 774 2006年12月 [査読有り]
  
• Field Emission from Silicon Carbide (SiC) Micropowders

  T Yoshimoto, N Yokogawa, T Iwata

  Jpn.J.Appl.Phys 45 L482 - L484 2006年 [査読有り]
  
• Field Emission Characteristics from Carbon Nanotube Single Tip Grown on Si Cone

  T. YOSHIMOTO; T. IWATA; K. MATSUMOTO

  Jpn.J.Appl.Phys. 44 6739 - 6741 2005年 [査読有り]
  
• Field - Emission Characteristics from Carbon Nanotube Field Emitter Arrays (CNT FEAs) Grown on Silicon Emitters

  T. YOSHIMOTO; D. KAMIMARU; H. IWASAKI; T. IWATA; K. MATSUMOTO

  J. Vac. Sci. Technol. (B) 22(3) 1338 - 1341 2004年 [査読有り]
  
  Field - Emission Characteristics from Carbon Nanotube Field Emitter Arrays (CNT FEAs) Grown on Silicon EmittersT. YOSHIMOTO; D. KAMIMARU; H. IWASAKI; T. IWATA; K. MATSUMOTOJ. Vac. Sci. Technol. (B) 22...詳細

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  Field - Emission Characteristics from Carbon Nanotube Field Emitter Arrays (CNT FEAs) Grown on Silicon Emitters

  T. YOSHIMOTO; D. KAMIMARU; H. IWASAKI; T. IWATA; K. MATSUMOTO

  J. Vac. Sci. Technol. (B) 22(3) 1338 - 1341 2004年 [査読有り]
  
• ウエットエッチング法によって製作したp型GaAs陰極からの電界放射特性

  吉本智巳; 紙丸大; 菊池悟; 横川直博; 岩田達夫

  真空 45 9 706 - 709 2002年09月 [査読有り]
  
• F-Nプロット勾配の連続的検出法の熱脱離スペクトル検出への応用

  岩田達夫; 吉本智巳

  真空 44 3 252 - 255 2001年03月 [査読有り]
  
• Temperature Dependence of Field Emission Characteristics from a p-Type Si Single Emitter with Real Surface

  T. YOSHIMOTO; T. IWATA; S. KIKUCHI; N. YOKOGAWA

  Jpn.J.Appl.Phys. 40 4197 - 4198 2001年 [査読有り]
  
• Emission Properties from Carbon Nanotube Field Emitter Arrays (FEAs) Grown on Si Emitters

  T. YOSHIMOTO; T. IWATA; R .MINESAWA; K. MTSUMOTO

  Jpn.J.Appl.Phys. 40 9A/B L983 - L985 2001年 [査読有り]
  
• 集束イオンビームプロセスを用いて製作したSiエミッタの電界放射特性

  吉本智巳; 岩田達夫; 末岡和久; 武笠幸一

  真空 43 8 817 - 819 2000年08月 [査読有り]
  
• Si基板上に作製したAu/n-Geショットキーダイオードの電気的特性

  吉本智巳; 坂本邦博; 岩田達夫

  真空 43 3 277 - 279 2000年03月 [査読有り]
  
• Ionized Cluster Beam Deposition of Antimony and Bismuth Films

  J. NAGAO; T. SHIINO; S. KIKUCHI; T. YOSHIMOTO; E. HATTA; K. MUKASA

  J. Phys. D : Appl. Phys 32 134 - 138 1999年 [査読有り]
  
• SOI Waveguide GeSi Avalanche pin Photodetector at 1.3um Wavelength

  T. YOSHIMOTO; S. G. THOMAS; K. L. WANG; B. JALALI

  IEICE on Electron. E81-C 10 1667 - 1669 1998年 [査読有り]
  
• Advances in Silicon-on-Insulator Optoelectronics

  B. JALALI; S. YEGNANARAYANAN; T. YOON; T. YOSHIMOTO; I. RENDINA; F. COPINEER

  IEEE Selected Topics in Quantum Electronics 4 6 938 - 947 1998年 [査読有り]
  
• 集束イオンビームを用いた探針加工の研究

  佐々木泰; 亀井孝明; 吉本智巳; 岩田達夫; 鈴木和郎; 末岡和久; 武笠幸一

  真空 38 3 401 - 403 1995年03月 [査読有り]
  
• Electrical Properties of Si Metal Insulator Semiconductor Tunnel Emitter Transistor (Si MIS TET)

  T. YOSHIMOTO

  IEICE Trans. Electron. 77-C 1 63 - 68 1994年01月 [査読有り]
  
• A High Current Gain Si MIS Tunnel Emitter Transisotr

  T. YOSHIMOTO; K. SUZUKI

  Jpn.J.Appl.Phys. 32 2A L180 - L182 1993年 [査読有り]
  
• Si Metal Insulator Semiconductor Tunnel Emitter Transisto

  T. YOSTOHIMO; K. SAKAMOTO; K. MATSUMOTO; T. SAKATA

  Jpn.J.Appl.Phys. 30 12A L2012 - L2014 1991年12月 [査読有り]
  
• GaAs Inversion-Base Bipolar Transistor (GaAs IBT) Graded Emitter Barrier

  K. MATSUMOTO; Y. HAYASHI; T. NAGATA; T. YOSHIMOTO

  Jpn.J.Appl.Phys. 27 6 L1154 - L1156 1989年06月 [査読有り]
  
• Pnp type GaAs Inversion-Base Bipolar Transistor (pnp Type GaAs IBT)

  K. MATSUMOTO; Y. HAYASHI; T. NAGATA; T. YOSHIMOTO; T. KOJIMA

  Jpn.J.Appl.Phys 28 4 L538 - L540 1989年04月 [査読有り]
  
• Integration of GaAs SIS FET and GaAs Inversion-Base Bipolar Transistor(GaAs IBT)

  K. MATSUMOTO; Y. HAYASHI; T. NAGATA; TKOJIMA; T. YOSHIMOTO

  Jpn.J.Appl.Phys. 27 12 L2427 - L2430 1988年12月 [査読有り]
  

• ダイヤモンドナノ粒子を用いた高性能電界放射電子源の研究

  基盤研究(C)

  研究期間 : 2010年04月 -2012年03月 

  代表者 : 吉本 智巳
• セルソーターをトータルシステムとして本気でチップ化するには何が必要か?

  日本学術振興会：科学研究費助成事業

  研究期間 : 2009年 -2011年 

  代表者 : 花尻 達郎; 花尻 達郎; 吉本 智巳; 水木 徹; 柏木 邦宏

   

  ゼータ電位測定法に関しては過去数十年において数多く提案され検証されてきたが大型な装置が多く安価かつ簡易な測定はできない。また、個々の粒子のゼータ電位を測定できない。そこで本研究では、その問題の解決を図るべく電気泳動コールター法(Electrophoretic Coulter Method ; ECM)を独自に提案し、標準粒子としてポリスチレン微粒子を使用し、その有用性を確認した。更に、臨床医療応用への第一歩として、赤血球を用いることにより異種の生体細胞に対するECMの有用性の検証を行った。その結果、ゼータ電位の分布からも、サイズの分布からも、同一液中における異種の赤血球の判別が可能であることを実証することに成功した。これは赤血球だけでなく異種の生体細胞にも容易に敷衍できる原理であり、ECMの臨床医療検査機器としての有用性を充分に実証することができた。更に、このECMと電気的検出回路あるいは光学的電気的検出回路とをソーティング部と併せて集積化させるにはガラス基板に替わり、SOI(Silicon On Insulator)基板あるいはSOQ(Silicon On Quartz)基板をプラットフォームとして活用することが非常に有効であると考え、その実用化の為の基礎的な検討として、SOI基板やSOQ基板の基礎物性評価を精力的に行った。
  セルソーターをトータルシステムとして本気でチップ化するには何が必要か?日本学術振興会：科学研究費助成事業研究期間 : 2009年 -2011年 代表者 : 花尻 達郎; 花尻 達郎; 吉本 智巳; 水木 徹; 柏木 邦宏 ゼータ電位測定法に関しては過去数十年において数多く提案され検証されてきたが大型な装置が多く安価かつ簡易な測定はできない。また、個々の粒子のゼータ電位を測定できない。そこで本研究で...詳細

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  セルソーターをトータルシステムとして本気でチップ化するには何が必要か?

  日本学術振興会：科学研究費助成事業

  研究期間 : 2009年 -2011年 

  代表者 : 花尻 達郎; 花尻 達郎; 吉本 智巳; 水木 徹; 柏木 邦宏

   

  ゼータ電位測定法に関しては過去数十年において数多く提案され検証されてきたが大型な装置が多く安価かつ簡易な測定はできない。また、個々の粒子のゼータ電位を測定できない。そこで本研究では、その問題の解決を図るべく電気泳動コールター法(Electrophoretic Coulter Method ; ECM)を独自に提案し、標準粒子としてポリスチレン微粒子を使用し、その有用性を確認した。更に、臨床医療応用への第一歩として、赤血球を用いることにより異種の生体細胞に対するECMの有用性の検証を行った。その結果、ゼータ電位の分布からも、サイズの分布からも、同一液中における異種の赤血球の判別が可能であることを実証することに成功した。これは赤血球だけでなく異種の生体細胞にも容易に敷衍できる原理であり、ECMの臨床医療検査機器としての有用性を充分に実証することができた。更に、このECMと電気的検出回路あるいは光学的電気的検出回路とをソーティング部と併せて集積化させるにはガラス基板に替わり、SOI(Silicon On Insulator)基板あるいはSOQ(Silicon On Quartz)基板をプラットフォームとして活用することが非常に有効であると考え、その実用化の為の基礎的な検討として、SOI基板やSOQ基板の基礎物性評価を精力的に行った。
• カーボンナノチューブ電界放射電子源アレーの製作と電界放射特性の評価

  寿原記念財団：

  研究期間 : 2003年04月 -2004年03月 

  代表者 : 吉本 智巳
• カーボンナノチューブ電界放射電子源の研究

  若手研究(B)

  研究期間 : 2002年04月 -2004年03月 

  代表者 : 吉本 智巳
• 1.55umの波長に高感度を有する導波路型SiGeおよびGe光検出器の研究

  ホクサイテック財団：

  研究期間 : 1998年04月 -1999年03月 

  代表者 : 吉本 智巳
• SiMISトンネル・エミッタ・トランジスタ(SiMISTET)の研究

  奨励研究(A)

  研究期間 : 1994年04月 -1995年03月 

  代表者 : 吉本 智巳
• SiMISトンネル・エミッタ・トランジスタ(SiMISTET)の研究

  奨励研究(A)

  研究期間 : 1993年04月 -1994年03月 

  代表者 : 吉本 智巳
• MBE法によって製作されたGeSi層をチャネルとするMOS FETの研究

  池谷科学技術振興財団：

  研究期間 : 1991年04月 -1992年03月 

  代表者 : 吉本 智巳
• Field Emission from Carbon Nanotube

  Cooperative Research
• Field Emission From Semiconductor

  Cooperative Research

その他のリンク

researchmap

https://researchmap.jp/read0022028