花尻　達郎 (ハナジリ　タツロウ)

研究者情報

学位

• 博士（工学）（東京大学）

ホームページURL

http://quantum.eng.toyo.ac.jp/

J-Global ID

• 200901062135903772

研究キーワード

• 半導体デバイス   量子デバイス工学   ナノエレクトロニクス   半導体   単電子トランジスタ   SOQ基板   SOI基板   MOSFET   抗原抗体反応   電気泳動   電気浸透流   ゼータ電位   赤血球   コールター法   

研究分野

• ナノテク・材料 / ナノバイオサイエンス / 先端バイオナノ材料の物性評価
• ナノテク・材料 / ナノマイクロシステム / 電気泳動法、コールターカウンター
• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 / 半導体、先端カーボン材料
• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / MOSFET, 単電子トランジスタ

経歴

• 2012年04月 - 現在  東洋大学大学院学際・融合科学研究科研究科長
• 2011年04月 - 現在  東洋大学理工学部教授
• 2007年04月 - 現在  東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター副センター長（施設、装置担当）
• 2007年04月 - 2011年03月  東洋大学工学部教授
• 1998年04月 - 2007年03月  東洋大学工学部助教授
• 1994年04月 - 1998年03月  東洋大学工学部講師

学歴

• 1991年04月 - 1994年03月   東京大学   大学院工学系研究科（博士課程）   電子工学専攻
• 1989年04月 - 1991年03月   東京大学   大学院工学系研究科（修士課程）   電子工学専攻
• 1985年04月 - 1989年03月   早稲田大学   理工学部   電気工学科 エレクトロニクス専修コース

研究活動情報

論文

• Detection and Analysis of Targeted Biological Cells by Electrophoretic Coulter Method

  Yoshikata Nakajima; Tomofumi Ukai; Toshiaki Shimizu; Kazuhei Ogata; Seiki Iwai; Naohiro Takahashi; Atsushi Aki; Toru Mizuki; Toni Maekawa; Tatsuro Hanajiri

  ANALYTICAL CHEMISTRY 89 22 12450 - 12457 2017年11月 [査読有り][招待有り]
  
• “Barium hydroxide hole blocking layer for front- and back-organic/crystalline Si heterojunction solar cells

  Hossain J; K. Kasahara; D. Harada; A. T. M; Saifu Islam; R.Ishikawa; K. Ueno; T. Hanajiri; Y. Nakajima; Y. Fujii; M.Tokuda; H.Shirai

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 122 5 055010  2017年08月 [査読有り]
  
• Investigating the chemical mist deposition technique for poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) on textured crystalline-silicon for organic/crystalline-silicon heterojunction solar cells

  Jaker Hossain; Tatsuya Ohki; Koki Ichikawa; Kazuhiko Fujiyama; Keiji Ueno; Yasuhiko Fujii; Tatsuro Hanajiri; Hajime Shirai

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55 3 2016年03月 [査読有り]
  
• Synthesis of nanoparticles composed of silver and silver chloride for a plasmonic photocatalyst using an extract from a weed Solidago altissima (goldenrod)

  Vemu Anil Kumar; Takashi Uchida; Toru Mizuki; Yoshikata Nakajima; Yoshihiro Katsube; Tatsuro Hanajiri; Toru Maekawa

  ADVANCES IN NATURAL SCIENCES-NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 7 1 .015002 - 015013 2016年03月 [査読有り]
  
• Nanomaterial-assisted PCR based on thermal generation from magnetic nanoparticles under high-frequency AC magnetic fields

  Toshiaki Higashi; Hiroaki Minegishi; Akinobu Echigo; Yutaka Nagaoka; Takahiro Fukuda; Ron Usami; Toru Maekawa; Tatsuro Hanajiri

  CHEMICAL PHYSICS LETTERS 635 234 - 240 2015年08月 [査読有り]
  
• N-2-Plasma-Assisted One-Step Alignment and Patterning of Graphene Oxide on a SiO2/Si Substrate Via the Langmuir-Blodgett Technique

  Neha Chauhan; Vivekanandan Palaninathan; Sreejith Raveendran; Aby Cheruvathoor Poulose; Yoshikata Nakajima; Takashi Hasumura; Takashi Uchida; Tatsuro Hanajiri; Toru Maekawa; D. Sakthi Kumar

  ADVANCED MATERIALS INTERFACES 2 5 2015年03月 [査読有り]
  
• Modeling of Drain Electric Flux Passing Through the BOX Layer in SoI MOSFETs-Part II: Model Derivation and Validity Confirmation

  Tatsuya Yamada; Tatsuro Hanajiri; Toru Toyabe

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 61 9 3030 - 3035 2014年09月 [査読有り]
  
• Modeling of Drain Electric Flux Passing Through the BOX Layer in SoI MOSFETs-Part I: Preparation for Modeling Based on Conformal Mapping

  Tatsuya Yamada; Tatsuro Hanajiri; Toru Toyabe

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 61 9 3023 - 3029 2014年09月 [査読有り]
  
• Improvement of electrical characteristics of local BOX MOSFETs by heavily doped structures and elucidation of the related mechanism

  Tatsuya Yamada; Yoshikata Nakajima; Tatsuro Hanajiri; Toru Toyabe; Takuo Sugano

  JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS 13 2 400 - 407 2014年06月 [査読有り]
  
• Synthesis of an Ultradense Forest of Vertically Aligned Triple-Walled Carbon Nanotubes of Uniform Diameter and Length Using Hollow Catalytic Nanoparticles

  Ankur Baliyan; Yoshikata Nakajima; Takahiro Fukuda; Takashi Uchida; Tatsuro Hanajiri; Toru Maekawa

  JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY 136 3 1047 - 1053 2014年01月 [査読有り]
  
• Quantitative Extraction of Electric Flux in the Buried-Oxide Layer and Investigation of Its Effects on MOSFET Characteristics

  Tatsuya Yamada; Shumpei Abe; Yoshikata Nakajima; Tatsuro Hanajiri; Toru Toyabe; Takuo Sugano

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 60 12 3996 - 4001 2013年12月 [査読有り]
  
• Suppression of Drain-Induced Barrier Lowering in Silicon-on-Insulator MOSFETs Through Source/Drain Engineering for Low-Operating-Power System-on-Chip Applications (vol 60, pg 260, 2013)

  Tatsuya Yamada; Yoshikata Nakajima; Tatsuro Hanajiri; Takuo Sugano

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 60 12 4281 - 4283 2013年12月 [査読有り]
  
• Ecofriendly route for the synthesis of highly conductive graphene using extremophiles for green electronics and bioscience

  Sreejith Raveendran; Neha Chauhan; Yoshikata Nakajima; Higashi Toshiaki; Shunji Kurosu; Yuji Tanizawa; Ryugo Tero; Yasuhiko Yoshida; Tatsuro Hanajiri; Toru Maekawa; Pulickel. M. Ajayan; Adarsh Sandhu; D. Sakthi Kumar

  Particle and Particle Systems Characterization 30 7 573 - 578 2013年07月 [査読有り]
  
• CoFe2O4 nanoparticles as a catalyst: synthesis of a forest of vertically aligned CNTs of uniform diameters by plasma-enhanced CVD

  Ankur Baliyan; Takahiro Fukuda; Yasuhiro Hayasaki; Takashi Uchida; Yoshikata Nakajima; Tatsuro Hanajiri; Toru Maekawa

  JOURNAL OF NANOPARTICLE RESEARCH 15 6 記事番号: UNSP 1693  2013年06月 [査読有り]
  
• Suppression of Drain-Induced Barrier Lowering in Silicon-on-Insulator MOSFETs Through Source/Drain Engineering for Low-Operating-Power System-on-Chip Applications

  Tatsuya Yamada; Yoshikata Nakajima; Tatsuro Hanajiri; Takuo Sugano

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 60 1 260 - 267 2013年01月 [査読有り]
  
• Precise Control of the Number of Walls of Carbon Nanotubes of a Uniform Internal Diameter

  Ankur Baliyan; Yasuhiro Hayasaki; Takahiro Fukuda; Takashi Uchida; Yoshikata Nakajima; Tatsuro Hanajiri; Toru Maekawa

  JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 117 1 683 - 686 2013年01月 [査読有り]
  
• Intracellular trafficking of superparamagnetic iron oxide nanoparticles conjugated with TAT peptide: 3-dimensional electron tomography analysis

  Baiju G. Nair; Takahiro Fukuda; Toru Mizuki; Tatsuro Hanajiri; Toru Maekawa

  BIOCHEMICAL AND BIOPHYSICAL RESEARCH COMMUNICATIONS 421 4 763 - 767 2012年05月 [査読有り]
  
• Rapid thermal annealing of sputter-deposited ZnO/ZnO:N/ZnO multilayered structures

  Fumiya Watanabe; Hajime Shirai; Yasuhiko Fujii; Tatsuro Hanajiri

  THIN SOLID FILMS 520 10 3729 - 3735 2012年03月 [査読有り]
  
• Synthesis of diameter controlled carbon nanotubes using self-assembled catalyst nanoparticles

  Ankur Baliyan; Takahiro Fukuda; Takashi Uchida; Yoshikata Nakajima; Tatsuro Hanajiri; Toru Maekawa

  CHEMICAL PHYSICS LETTERS 519-20 78 - 82 2012年01月 [査読有り]
  
• Synthesis of a forest of double/triple walled CNTs of uniform diameters by plasma enhanced CVD using monodisperse iron oxide nanoparticles

  Ankur Baliyan; Takashi Uchida; Takahiro Fukuda; Yoshikata Nakajima; Tatsuro Hanajiri; Toru Maekawa

  JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY 22 12 5277 - 5280 2012年 [査読有り]
  
• Regulation of PCR efficiency with magnetic nanoparticles in a rotating magnetic field

  Toshiaki Higashi; Yutaka Nagaoka; Hiroaki Minegishi; Akinobu Echigo; Ron Usami; Toru Maekawa; Tatsuro Hanajiri

  CHEMICAL PHYSICS LETTERS 506 4-6 239 - 242 2011年04月 [査読有り]
  
• Local-Stress-Induced Trap States in SOI Layers With Different Levels of Roughness at SOI/BOX Interfaces

  Yoshikata Nakajima; Yukitoshi Watanabe; Tatsuro Hanajiri; Toru Toyabe; Takuo Sugano

  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 32 3 237 - 239 2011年03月 [査読有り]
  
• Proposal and experimental validation of the electrophoretic Coulter method for analyzing microparticles and biological cells

  Naohiro Takahashi; Atsushi Aki; Tomofumi Ukai; Yoshikata Nakajima; Toru Maekawa; Tatsuro Hanajiri

  SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL 151 2 410 - 415 2011年01月 [査読有り]
  
• Effects of poly-L-tyrosine molecules decoration on the surface properties and electron transport of SWCNTs compared to the effects of DNA molecules

  Higashi, T; Nakajima, Y; Kojima, M; Ishii, K; Inoue, A; Maekawa, T; Hanajiri, T

  CHEMICAL PHYSICS LETTERS 501 4-6 461 - 464 2011年01月 [査読有り]
  
• Dispersion of single-walled carbon nanotubes modified with poly-l-tyrosine in water

  Mio Kojima; Tomoka Chiba; Junichiro Niishima; Toshiaki Higashi; Takahiro Fukuda; Yoshikata Nakajima; Shunji Kurosu; Tatsuro Hanajiri; Koji Ishii; Toru Maekawa; Akira Inoue

  NANOSCALE RESEARCH LETTERS 6 記事番号: 128  2011年 [査読有り]
  
• In-depth profiling of electron trap states in silicon-on-insulator layers and local mechanical stress near the silicon-on-insulator/buried oxide interface in separation-by-implanted-oxygen wafers

  Yoshikata Nakajima; Takahiro Toda; Tatsuro Hanajiri; Toru Toyabe; Takuo Sugano

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 108 12 記事番号: 124505  2010年12月 [査読有り]
  
• Sensors Based On Carbon Nanotubes and Their Applications: A Review

  Saino Hanna Varghese; Remya Nair; Baiju G. Nair; T. Hanajiri; T. Maekawa; Y. Yoshida; D. Sakthi Kumar

  CURRENT NANOSCIENCE 6 4 331 - 346 2010年08月 [査読有り]
  
• Blood Compatibility of Surface Modified Poly(ethylene terephthalate) (PET) by Plasma Polymerized Acetobromo-alpha-D-glucose

  D. Sakthi Kumar; Baiju G. Nair; Saino H. Varghese; Remya Nair; T. Hanajiri; T. Maekawa; Yasuhiko Yoshida

  JOURNAL OF BIOMATERIALS APPLICATIONS 24 6 527 - 544 2010年02月 [査読有り]
  
• Capture of nonmagnetic particles and living cells using a microelectromagnetic system

  Atsushi Aki; Osamu Ito; Hisao Morimoto; Yutaka Nagaoka; Yoshikata Nakajima; Toru Mizuki; Tatsuro Hanajiri; Ron Usami; Toru Maekawa

  JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104 9 記事番号: 094509  2008年11月 [査読有り]
  
• Drive current enhancement in silicon-on-quartz MOSFETs

  Yoshikata Nakajima; Kenji Sasaki; Tatsuro Hanajiri; Toru Toyabe; Takuo Sugano

  IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 29 8 944 - 945 2008年08月 [査読有り]
  
• Three dimensional image construction and spectrum extraction from two dimensional elemental mapping in Auger electron spectroscopy

  N. Urushihara; S. Iida; N. Sanada; M. Suzuki; D. F. Paul; S. Bryan; Y. Nakajima; T. Hanajiri; K. Kakushima; P. Ahmet; K. Tsutsui; H. Iwai

  JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 26 4 668 - 672 2008年07月 [査読有り]
  
• Characterization of distribution of trap states in silicon-on-insulator layers by front-gate characteristics in n-channel SOI MOSFETs

  Kenji Kajiwara; Yoshikata Nakajima; Tatsuro Hanajiri; Toru Toyabe; Takuo Sugano

  IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 55 7 1702 - 1707 2008年07月 [査読有り]
  
• Detection of surface immunoreactions on individual cells by electrophoretic mobility measurement in a micro-channel

  Atsushi Aki; Yusuke Nihei; Hiroto Asai; Tomofumi Ukai; Hisao Morimoto; Yoshikata Nakajima; Tatsuro Hanajiri; Toru Maekawa

  SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL 131 1 285 - 289 2008年04月 [査読有り]
  
• Ultraviolet irradiation effects on and depth profiles in X-ray photoelectron spectra of poly(vinylpyridine) thin films

  Satoko Nishiyama; Masahiro Tajima; Yoshikata Nakajima; Tatsuro Hanajiri; Yasuhiko Yoshida

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47 1 432 - 437 2008年01月 [査読有り]
  
• Dissociation of carbon dioxide and creation of carbon particles and films at room temperature

  Takahiro Fukuda; Toru Maekawa; Takashi Hasumura; Nyrki Rantonen; Koji Ishii; Yoshikata Nakajima; Tatsuro Hanajiri; Yoshikazu Yoshida; Raymond Whitby; Sergey Mikhalovsky

  New Journal of Physics 9 231 2007年09月 [査読有り]
  
• A new measurement technique for the characterization of carrier lifetime in thin SOI MOSFETs (vol 6, pg 462, 2004)

  Y Nakajima; H Tomita; K Aoto; K Sasaki; T Hanajiri; T Toyabe; T Morikawa; T Sugano

  THIN SOLID FILMS 488 1-2 337 - 339 2005年09月 [査読有り]
  
• Scaling rules for SOI MOSFETs operating in the fully inverted mode

  T Hanajiri; M Niizato; K Aoto; T Toyabe; Y Nakajima; T Morikawa; T Sugano

  SOLID-STATE ELECTRONICS 48 10-11 1943 - 1946 2004年10月 [査読有り]
  
• A new measurement technique for the characterization of carrier lifetime in thin SOI MOSFETs

  Y Nakajima; H Tomita; K Aoto; K Sasaki; T Hanajiri; T Toyabe; T Morikawa; T Sugano

  THIN SOLID FILMS 462 6 - 10 2004年09月 [査読有り]
  
• An approach for quantum mechanical modeling and simulation for MOS devices, covering the whole operation region

  T Hanajiri; K Aoto; T Hoshino; M Niizato; Y Nakajima; T Toyabe; T Morikawa; T Sugano; Y Akagi

  COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE 30 3-4 235 - 241 2004年08月 [査読有り]
  
• Confirmation of electric properties of traps at silicon-on-insulator (SOI)/buried oxide (BOX) interface by three-dimensional device simulation

  Y Nakajima; K Sasaki; T Hanajiri; T Toyabe; T Morikawa; T Sugano

  PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES 24 1-2 92 - 95 2004年08月 [査読有り]
  
• Characterization of trap states at silicon-on-insulator (SOI)/buried oxide (BOX) interface by back gate transconductance characteristics in SOI MOSFETs

  Y Nakajima; H Tomita; K Aoto; N Ito; T Hanajiri; T Toyabe; T Morikawa; T Sugano

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 42 4B 2004 - 2008 2003年04月 [査読有り]
  
• Suppression of short channel effects by full inversion in deep sub-micron gate SOI MOSFETs

  T Hanajiri; T Toyabe; T Sugano

  SOLID-STATE ELECTRONICS 45 12 2077 - 2081 2001年12月 [査読有り]
  
• Self-formation of ultra small structures on vicinal Si substrates for nano-device array

  T Hanajiri; T Sugano

  JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 210 1-3 85 - 89 2000年03月 [査読有り]
  
• Advantages of the asymmetric tunnel barrier for high-density integration of single electron devices

  Matsumoto, Y; Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 36 6B 4143 - 4146 1997年01月 [査読有り]
  
• Single electron device with asymmetric tunnel barriers

  Y Matsumoto; T Hanajiri; T Toyabe; T Sugano

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 35 2B 1126 - 1131 1996年02月 [査読有り]
  
• Electrical and optical properties of phosphorous nitride films formed on InP substrates with photon-assisted chemical vapour deposition

  Y. Matsumoto; T. Hanajiri; T. Sugano; Le T T Tuyen; T. Katoda

  Thin Solid Films 269 1-2 41 - 46 1995年11月 [査読有り]
  

作品等

• 高度通信用高周波デバイスの開発

  その他  花尻 達郎  2000年 -2008年
• 超低消費電力電子デバイスの為のシミュレーター開発

  その他  花尻 達郎  1998年 -2000年

MISC

• Experimental demonstration of advantages of MOSFETs on Silicon On Quartz wafers

  K. Sasaki; Y. Miyazawa; K. Kajiwara; T. Yamazaki; Y. Nakajima; T. Hanajiri; T. Toyabe; T. Sugano Thin Film Materials and Devices Meeting (TFMD) 2004 91 2004年11月 [査読有り]
  
• 量子効果およびドリフト拡散を考慮したデバイスシミュレーション

  花尻 達郎; 新里 昌弘; 鳥谷部 達; 菅野 卓雄; 齋藤 晶; 赤木 与志郎 電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術 100 (294) 45 -50 2000年09月
• Process of Formation of Nitrided Oxides for Asymmetric Tunnel Barriers in Electron Tunneling Devices

  T.Hanajiri; T. Takahashi; T.SUGANO Proc.of Int.Symp.on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures 144 2000年09月 [査読有り]
  
• Fabrication of ultra small structures on Si utilizing self-organization

  T.Hanajiri; T.SUGANO The 8th International Conference on Defects-Recognition,Imaging and Physics in Semiconductors 72 1999年08月 [査読有り]
  
• 単電子デバイスにみるナノエレクトロニクス技術

  花尻 達郎 精密工学会春季大会. シンポジウム資料 1999 39 -42 1999年03月
• 単電子素子の設計および試作

  花尻達郎; 菅野卓雄 東洋大学工業技術研究所報告 20 31 -35 1998年12月
• Performances of Single Electron Devices with Asymmetric Tunnel Barriers

  T.Hanajiri; T.Toyabe; T.Sugano Proc.of 3rd.Int.Workshop on Quantum Functional Devices 65 -66 1997年12月 [査読有り][招待有り]
  
• ナノエレクトロニクスの展望

  花尻達郎; 松本善哉; 菅野卓雄 東洋大学工学部研究報告 31 37 -53 1996年12月
• Advantages of the Asymmetric Tunnel Barrier for High Density Integration of Single Electron Devices

  Y.Matsumoto; T.Hanajiri; T.Toyabe; T.Sugano Proc.of Int.Symp.on Formation, Physics snd Device Application of Quantum Dot Structures 144 1996年11月 [査読有り]
  
• Experimental observation of Coulomb staircase in asymmetric tunnel barrier system

  Y Matsumoto; T Hanajiri; T Toyabe; T Sugano IEDM - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 1996 429 -432 1996年
• Single electron device with asymmetric tunnel barriers

  Y.Matsumoto; T.Hanajiri; T.Toyabe; T.Sugano Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe andT.Sugano 186 -188 1995年08月 [査読有り]
  
• Single Electron Transistor with Asymmetric Tunnel Barriers

  New Technology Japan 23 (3) 16 1995年06月
• 電子の流れに方向性

  日刊工業新聞 1995年04月
• Characterization of density trap states at the back

  A.Takubo; T.Hanajiriri; T.Sugano; K.Kajiyama Proc.of IEEE 1995 Int. Conf. on Microelctronic Test Structures 77 -80 1995年03月 [査読有り]
  
• 化合物半導体MIS構造における界面特性の光学的評価法に関する研究

  花尻達郎; 河東田隆 固体エレクトロニクス・オプトエレクトロニクス研究発表会（東京大学） 21 -30 1994年03月
• 光CVD法による窒化燐の堆積とInP MIS

  花尻達郎; 河東田隆 東京大学工学部総合試験所年報 51 41 -44 1994年03月

産業財産権

• 特許5392932:アモルファスカーボン薄膜作製方法    2013年10月25日

  花尻 達郎
• 特許5257900:ゼータ電位測定装置及びゼータ電位測定方法    2013年05月02日

  花尻 達郎
• 特許5213227:アモルファスカーボン薄膜作製方法    2013年03月08日

  花尻 達郎
• 特開U. S. Patent Application Ser. No. 10/058, 221:Fully Inverted Type SOI-MOSFET Capable of Increasing the Effective Mutual Conductance  
• 特開平11-284201:完全反転型SOI MOSFET  
• 特開平8-264752:複合トンネル障壁構造をもつ電子デバイス単電子素子  
• 特開平8-97156:化合物半導体基板への絶縁膜の低温形成  

共同研究・競争的資金等の研究課題

• 電気泳動コールター法(ECM)を医療用検査機器として実用化する為の新素材の活用

  文部科学省：科研費、基盤研究（C）

  研究期間 : 2017年04月 -2020年03月 

  代表者 : 花尻 達郎
• ソフトリソグラフィーを駆使したシリコンナノ構造の自在配線

  文部科学省：科研費、基盤研究（C）

  研究期間 : 2012年04月 -2015年03月 

  代表者 : 花尻 達郎
• セルソーターをトータルシステムとして本気でチップ化するには何が必要か?

  文部科学省：科研費、基盤研究（C）

  研究期間 : 2009年04月 -2012年03月 

  代表者 : 花尻 達郎
• ＳＯＱ基板を何にどう使うか？

  文部科学省：科研費、基盤研究（C）

  研究期間 : 2006年04月 -2009年03月 

  代表者 : 花尻 達郎
• 非対称トンネル障壁を用いた単電子素子回路の設計および試作

  文部科学省：科研費、奨励研究(A)

  研究期間 : 1998年04月 -2001年03月 

  代表者 : 花尻 達郎
• 非対称トンネル障壁を有する単電子素子の設計及び試作

  （財）倉田奨励金財団：倉田奨励金

  研究期間 : 1999年04月 -2000年03月 

  代表者 : 花尻 達郎
• ナノ電子デバイスの研究」

  （財）材料科学技術振興財団：大型研究助成

  研究期間 : 1997年04月 -1998年03月 

  代表者 : 花尻 達郎
• 自己整合工程を用いたシリコン集積化単電子素子回路の設計および試作

  文部科学省：科研費、奨励研究(A)

  研究期間 : 1996年04月 -1997年03月 

  代表者 : 花尻 達郎

担当経験のある科目

電子デバイス工学特論
東洋大学大学院
量子力学特論
東洋大学大学院
ナノエレクトロニクス
東洋大学大学院
ナノエレクトロニクス特論
東洋大学
電子デバイス特論
東洋大学
量子力学特論
東洋大学
電気電子情報実験
東洋大学
情報処理基礎、同演習
東洋大学
電磁気学演習
東洋大学
電子回路
東洋大学
集積回路
東洋大学,東京電機大学
半導体工学
東洋大学,東京電機大学
基礎電子物性
東洋大学,東京電機大学

その他のリンク

researchmap

https://researchmap.jp/hanajiri