研究者総覧

花尻 達郎 (ハナジリ タツロウ)

  • 理工学部電気電子情報工学科 教授
  • バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター 教授
  • 学際・融合科学研究科バイオ・ナノサイエンス融合専攻 教授
Last Updated :2021/10/15

研究者情報

学位

  • 博士(工学)(東京大学)

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J-Global ID

研究キーワード

  • 半導体デバイス   量子デバイス工学   ナノエレクトロニクス   半導体   単電子トランジスタ   SOQ基板   SOI基板   MOSFET   抗原抗体反応   電気泳動   電気浸透流   ゼータ電位   赤血球   コールター法   

研究分野

  • ナノテク・材料 / ナノバイオサイエンス / 先端バイオナノ材料の物性評価
  • ナノテク・材料 / ナノマイクロシステム / 電気泳動法、コールターカウンター
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電気電子材料工学 / 半導体、先端カーボン材料
  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学) / 電子デバイス、電子機器 / MOSFET, 単電子トランジスタ

経歴

  • 2012年04月 - 現在  東洋大学大学院学際・融合科学研究科研究科長
  • 2011年04月 - 現在  東洋大学理工学部教授
  • 2007年04月 - 現在  東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター副センター長(施設、装置担当)
  • 2007年04月 - 2011年03月  東洋大学工学部教授
  • 1998年04月 - 2007年03月  東洋大学工学部助教授
  • 1994年04月 - 1998年03月  東洋大学工学部講師

学歴

  • 1991年04月 - 1994年03月   東京大学   大学院工学系研究科(博士課程)   電子工学専攻
  • 1989年04月 - 1991年03月   東京大学   大学院工学系研究科(修士課程)   電子工学専攻
  • 1985年04月 - 1989年03月   早稲田大学   理工学部   電気工学科 エレクトロニクス専修コース

研究活動情報

論文

作品等

  • 高度通信用高周波デバイスの開発
    その他  花尻 達郎  2000年 -2008年
  • 超低消費電力電子デバイスの為のシミュレーター開発
    その他  花尻 達郎  1998年 -2000年

MISC

  • Experimental demonstration of advantages of MOSFETs on Silicon On Quartz wafers
    K. Sasaki; Y. Miyazawa; K. Kajiwara; T. Yamazaki; Y. Nakajima; T. Hanajiri; T. Toyabe; T. Sugano Thin Film Materials and Devices Meeting (TFMD) 2004 91 2004年11月 [査読有り]
  • 花尻 達郎; 新里 昌弘; 鳥谷部 達; 菅野 卓雄; 齋藤 晶; 赤木 与志郎 電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術 100 (294) 45 -50 2000年09月
  • Process of Formation of Nitrided Oxides for Asymmetric Tunnel Barriers in Electron Tunneling Devices
    T.Hanajiri; T. Takahashi; T.SUGANO Proc.of Int.Symp.on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures 144 2000年09月 [査読有り]
  • Fabrication of ultra small structures on Si utilizing self-organization
    T.Hanajiri; T.SUGANO The 8th International Conference on Defects-Recognition,Imaging and Physics in Semiconductors 72 1999年08月 [査読有り]
  • 花尻 達郎 精密工学会春季大会. シンポジウム資料 1999 39 -42 1999年03月
  • 単電子素子の設計および試作
    花尻達郎; 菅野卓雄 東洋大学工業技術研究所報告 20 31 -35 1998年12月
  • Performances of Single Electron Devices with Asymmetric Tunnel Barriers
    T.Hanajiri; T.Toyabe; T.Sugano Proc.of 3rd.Int.Workshop on Quantum Functional Devices 65 -66 1997年12月 [査読有り][招待有り]
  • ナノエレクトロニクスの展望
    花尻達郎; 松本善哉; 菅野卓雄 東洋大学工学部研究報告 31 37 -53 1996年12月
  • Y.Matsumoto; T.Hanajiri; T.Toyabe; T.Sugano Proc.of Int.Symp.on Formation, Physics snd Device Application of Quantum Dot Structures 144 1996年11月 [査読有り]
  • Y Matsumoto; T Hanajiri; T Toyabe; T Sugano IEDM - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 1996 429 -432 1996年
  • Single electron device with asymmetric tunnel barriers
    Y.Matsumoto; T.Hanajiri; T.Toyabe; T.Sugano Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe andT.Sugano 186 -188 1995年08月 [査読有り]
  • Single Electron Transistor with Asymmetric Tunnel Barriers
    New Technology Japan 23 (3) 16 1995年06月
  • 電子の流れに方向性
    日刊工業新聞 1995年04月
  • Characterization of density trap states at the back
    A.Takubo; T.Hanajiriri; T.Sugano; K.Kajiyama Proc.of IEEE 1995 Int. Conf. on Microelctronic Test Structures 77 -80 1995年03月 [査読有り]
  • 化合物半導体MIS構造における界面特性の光学的評価法に関する研究
    花尻達郎; 河東田隆 固体エレクトロニクス・オプトエレクトロニクス研究発表会(東京大学) 21 -30 1994年03月
  • 光CVD法による窒化燐の堆積とInP MIS
    花尻達郎; 河東田隆 東京大学工学部総合試験所年報 51 41 -44 1994年03月

産業財産権

  • 特許5392932:アモルファスカーボン薄膜作製方法    2013年10月25日
    花尻 達郎
  • 特許5257900:ゼータ電位測定装置及びゼータ電位測定方法    2013年05月02日
    花尻 達郎
  • 特許5213227:アモルファスカーボン薄膜作製方法    2013年03月08日
    花尻 達郎
  • 特開U. S. Patent Application Ser. No. 10/058, 221:Fully Inverted Type SOI-MOSFET Capable of Increasing the Effective Mutual Conductance  
  • 特開平11-284201:完全反転型SOI MOSFET  
  • 特開平8-264752:複合トンネル障壁構造をもつ電子デバイス単電子素子  
  • 特開平8-97156:化合物半導体基板への絶縁膜の低温形成  

共同研究・競争的資金等の研究課題

  • 電気泳動コールター法(ECM)を医療用検査機器として実用化する為の新素材の活用
    文部科学省:科研費、基盤研究(C)
    研究期間 : 2017年04月 -2020年03月 
    代表者 : 花尻 達郎
  • ソフトリソグラフィーを駆使したシリコンナノ構造の自在配線
    文部科学省:科研費、基盤研究(C)
    研究期間 : 2012年04月 -2015年03月 
    代表者 : 花尻 達郎
  • セルソーターをトータルシステムとして本気でチップ化するには何が必要か?
    文部科学省:科研費、基盤研究(C)
    研究期間 : 2009年04月 -2012年03月 
    代表者 : 花尻 達郎
  • SOQ基板を何にどう使うか?
    文部科学省:科研費、基盤研究(C)
    研究期間 : 2006年04月 -2009年03月 
    代表者 : 花尻 達郎
  • 非対称トンネル障壁を用いた単電子素子回路の設計および試作
    文部科学省:科研費、奨励研究(A)
    研究期間 : 1998年04月 -2001年03月 
    代表者 : 花尻 達郎
  • 非対称トンネル障壁を有する単電子素子の設計及び試作
    (財)倉田奨励金財団:倉田奨励金
    研究期間 : 1999年04月 -2000年03月 
    代表者 : 花尻 達郎
  • ナノ電子デバイスの研究」
    (財)材料科学技術振興財団:大型研究助成
    研究期間 : 1997年04月 -1998年03月 
    代表者 : 花尻 達郎
  • 自己整合工程を用いたシリコン集積化単電子素子回路の設計および試作
    文部科学省:科研費、奨励研究(A)
    研究期間 : 1996年04月 -1997年03月 
    代表者 : 花尻 達郎

担当経験のある科目

  • 電子デバイス工学特論東洋大学大学院
  • 量子力学特論東洋大学大学院
  • ナノエレクトロニクス東洋大学大学院
  • ナノエレクトロニクス特論東洋大学
  • 電子デバイス特論東洋大学
  • 量子力学特論東洋大学
  • 電気電子情報実験東洋大学
  • 情報処理基礎、同演習東洋大学
  • 電磁気学演習東洋大学
  • 電子回路東洋大学
  • 集積回路東洋大学,東京電機大学
  • 半導体工学東洋大学,東京電機大学
  • 基礎電子物性東洋大学,東京電機大学

その他のリンク

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