詳細検索はこちら
※苗字と名前の間にスペースをあけ、入力してください

花尻 達郎ハナジリ タツロウ

所属・担当
理工学部電気電子情報工学科
バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
学際・融合科学研究科バイオ・ナノサイエンス融合専攻
職名教授
メールアドレス
ホームページURLhttp://quantum.eng.toyo.ac.jp/
生年月日
Last Updated :2019/05/17

研究者基本情報

学歴

  • 1991年04月 - 1994年03月, 東京大学, 大学院工学系研究科(博士課程), 電子工学専攻
  • 1989年04月 - 1991年03月, 東京大学, 大学院工学系研究科(修士課程), 電子工学専攻
  • 1985年04月 - 1989年03月, 早稲田大学, 理工学部, 電気工学科 エレクトロニクス専修コース

学位

  • 博士(工学), 東京大学

経歴

  •   2012年04月 - 現在, 東洋大学, 大学院学際・融合科学研究科, 研究科長
  •   2011年04月 - 現在, 東洋大学, 理工学部, 教授
  •   2007年04月 - 現在, 東洋大学, バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター, 副センター長(施設、装置担当)
  •   2007年04月 - 2011年03月, 東洋大学, 工学部, 教授
  •   1998年04月 - 2007年03月, 東洋大学, 工学部, 助教授
  •   1994年04月 - 1998年03月, 東洋大学, 工学部, 講師

研究活動情報

研究分野

  • ナノ・マイクロ科学, ナノバイオサイエンス, 先端バイオナノ材料の物性評価
  • ナノ・マイクロ科学, ナノマイクロシステム, 電気泳動法、コールターカウンター
  • 電気電子工学, 電子・電気材料工学, 半導体、先端カーボン材料
  • 電気電子工学, 電子デバイス・電子機器, MOSFET, 単電子トランジスタ

研究キーワード

    量子デバイス工学, 半導体デバイス, 半導体, ナノエレクトロニクス, 単電子トランジスタ, MOSFET, SOI基板, SOQ基板, 抗原抗体反応, 電気泳動, 電気浸透流, ゼータ電位, 赤血球, コールター法

論文

  • Detection and Analysis of Targeted Biological Cells by Electrophoretic Coulter Method, Y. Nakajima, T Ukai, T. Shimizu, K. Ogata, S. Iwai, N. Takahashi, A. Aki, T.Mizuki,T.Maekawa and T.Hanajiri, ANALYTICAL CHEMISTRY, 89, (22) 12450 - 12457,   2017年11月
  • “Barium hydroxide hole blocking layer for front- and back-organic/crystalline Si heterojunction solar cells, Hossain J:, K. Kasahara ,D. Harada, A. T. M. Saifu Islam, R.Ishikawa, K. Ueno, T. Hanajiri, Y. Nakajima ,Y. Fujii, M.Tokuda and H.Shirai, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 122, (5) ,   2017年08月
  • Investigating the chemical mist deposition technique for poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) on textured crystalline-silicon for organic/crystalline-silicon heterojunction solar cells, Hossain, J , ; Ohki, T, Ichikawa, K, ; Fujiyama, K, Ueno, K, ; Fujii, Y, Hanajiri, T, Shirai, H, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 55, (3) ,   2016年03月
  • Synthesis of nanoparticles composed of silver and silver chloride for a plasmonic photocatalyst using an extract from a weed Solidago altissima (goldenrod), Kumar, V.A.; Uchida, T.; Mizuki, T.; Nakajima, Y.; Katsube, Y.; Hanajiri, T.; Maekawa, T., Advances in Natural Sciences: Nanoscience & Nanotechnology, 7, (1) .015002 - 015013,   2016年03月
  • Nanomaterial-assisted PCR based on thermal generation from magnetic nanoparticles under high-frequency AC magnetic fields, Chauhan, N, Palaninathan, V, Raveendran, S, Poulose, AC, Nakajima, Y, Hasumura, T , Uchida, T, Hanajiri T, Maekawa, T, Kumar, DS,, 635, 234 - 240,   2015年08月
  • N-2-Plasma-Assisted One-Step Alignment and Patterning of Graphene Oxide on a SiO2/Si Substrate Via the Langmuir-Blodgett Technique, Chauhan, N, Palaninathan, V, Raveendran, S, Poulose, AC, Nakajima, Y, Hasumura, T , Uchida, T, Hanajiri T, Maekawa, T, Kumar, DS,, ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2, (5) ,   2015年03月
  • Modeling of Drain Electric Flux Passing Through the BOX Layer in SOI MOSFETs-Part II: Model Derivation and Validity Confirmation, Yamada, T.; Hanajiri, T.; Toyabe, T., IEEE Transactions on Electron Devices, 61, (9) 3030 - 3035,   2014年09月
  • Modeling of Drain Electric Flux Passing Through the BOX Layer in SOI MOSFETs - Part I: Preparation for Modeling Based on Conformal Mapping, Yamada, T.; Hanajiri, T.; Toyabe, T., IEEE Transactions on Electron Devices, 61, (9) 3023 - 3029,   2014年09月
  • Improvement of electrical characteristics of local BOX MOSFETs by heavily doped structures and elucidation of the related mechanism, Yamada, T, Nakajima, Y, Hanajiri, T, Toyabe, T, Sugano, T, JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS, 13, (2) 400 - 407,   2014年06月
  • Synthesis of an Ultradense Forest of Vertically Aligned Triple-Walled Carbon Nanotubes of Uniform Diameter and Length Using Hollow Catalytic Nanoparticles, Baliyan, A, Nakajima, Y, Fukuda, T, Uchida, T, Hanajiri, T, Maekawa, T, JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 136, (3) 1047 - 1053,   2014年01月
  • Quantitative Extraction of Electric Flux in the Buried-Oxide Layer and Investigation of Its Effects on MOSFET Characteristics, Yamada, T ; Abe, S ; Nakajima, Y; Hanajiri, T ; Toyabe, T ; Sugano, T, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 60, (12) 3996 - 4001,   2013年12月
  • Suppression of Drain-Induced Barrier Lowering in Silicon-on-Insulator MOSFETs Through Source/Drain Engineering for Low-Operating-Power System-on-Chip Applications,ERRATUM to (vol 60, pg 260, 2013), Yamada, T; Nakajima, Y; Hanajiri, T; Sugano, T, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 60, (12) 4281 - 4283,   2013年12月
  • Ecofriendly Route for the Synthesis of Highly Conductive Graphene Using Extremophiles for Green Electronics and Bioscience, Raveendran, Sreejith;Chauhan, Neha); Nakajima, Y ; Higashi, T; Kurosu, S ; Tanizawa, Y ; Tero, R ; Yoshida, Y ; Hanajiri, T ; Maekawa, T, PARTICLE & PARTICLE SYSTEMS CHARACTERIZATION, 30, (7) 573 - 578,   2013年06月
  • CoFe2O4 nanoparticles as a catalyst: synthesis of a forest of vertically aligned CNTs of uniform diameters by plasma-enhanced CVD, Baliyan, Ankur; Fukuda, T; Hayasaki, Y; Uchida, T; Nakajima, Y ; Hanajiri, T; Maekawa, T, JOURNAL OF NANOPARTICLE RESEARCH, 15, (6) ,   2013年06月
  • Suppression of Drain-Induced Barrier Lowering in Silicon-on-Insulator MOSFETs Through Source/Drain Engineering for Low-Operating-Power System-on-Chip Applications, Yamada, T; Nakajima, Y; Hanajiri, T; Sugano, T, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 60, (1) 260 - 267,   2013年01月
  • Precise Control of the Number of Walls of Carbon Nanotubes of a Uniform Internal Diameter, Baliyan, Ankur; Hayasaki, Y.; Fukuda, T; Uchida, T ; Nakajima, Y ; Hanajiri, T ; Maekawa, T, JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 117, (1) 683 - 686,   2013年01月
  • Intracellular trafficking of superparamagnetic iron oxide nanoparticles conjugated with TAT peptide: 3-dimensional electron tomography analysis, Nair, Baiju G.; Fukuda, T; Mizuki, T; Hanajiri, T ; Maekawa, T, BIOCHEMICAL AND BIOPHYSICAL RESEARCH COMMUNICATIONS, 421, 763 - 767,   2012年05月
  • Rapid thermal annealing of sputter-deposited ZnO/ZnO:N/ZnO multilayered structures, Watanabe, F; Shirai, H ; Fujii, Y; Hanajiri, T, THIN SOLID FILMS, 520, (10) 3729 - 3735,   2012年03月
  • Synthesis of diameter controlled carbon nanotubes using self-assembled catalyst nanoparticles, Baliyan, Ankur; Fukuda; Uchida, T; Nakajima, Y ; Hanajiri, T ; Maekawa, T, CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 519-520, 78 - 82,   2012年01月
  • Synthesis of a forest of double/triple walled CNTs of uniform diameters by plasma enhanced CVD using monodisperse iron oxide nanoparticles, Baliyan, Ankur; Uchida, T; Fukuda, T ; Nakajima, Y ; Hanajiri, T; Maekawa, T, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTR, 22, (12) 5277 - 5280,   2012年01月
  • Regulation of PCR efficiency with magnetic nanoparticles in a rotating magnetic field, Higashi, T; Nagaoka, Y; Minegishi, H; Echigo, A ; Usami, R ; Maekawa, T ; Hanajiri, T, CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 506, (4-6) 239 - 242,   2011年04月
  • Local-Stress-Induced Trap States in SOI Layers With Different Levels of Roughness at SOI/BOX Interfaces, Nakajima, Y; Watanabe, Y; Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 32, (3) 237 - 239,   2011年03月
  • Proposal and experimental validation of the electrophoretic Coulter method for analyzing microparticles and biological cells, Takahashi, N; Aki, A ; Ukai, T; Nakajima, Y; Maekawa, T; Hanajiri, T, SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, 151, (2) 410 - 415,   2011年01月
  • Effects of poly-L-tyrosine molecules decoration on the surface properties and electron transport of SWCNTs compared to the effects of DNA molecules, Higashi, T; Nakajima, Y; Kojima, M; Ishii, K; Inoue, A ; Maekawa, T; Hanajiri, T, CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 501, (4-6) 461 - 464,   2011年01月
  • Dispersion of single-walled carbon nanotubes modified with poly-l-tyrosine in water, Kojima, M; Chiba, T; Niishima, J ; Higashi, T ; Fukuda, T ; Nakajima, Y ; Kurosu, S ; Hanajiri, T ; Ishii, K ; Maekawa, T, NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 6,   2011年01月
  • In-depth profiling of electron trap states in silicon-on-insulator layers and local mechanical stress near the silicon-on-insulator/buried oxide interface in separation-by-implanted-oxygen wafers, Nakajima, Y; Toda, T; Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 108, (12) ,   2010年12月
  • Sensors Based On Carbon Nanotubes and Their Applications: A Review, Varghese, Saino Hanna; Nair, Remya ; Nair, Baiju G.; Hanajiri, T.; Maekawa, T; Yoshida, Y ; Kumar, D. Sakthi, CURRENT NANOSCIENCE, 6, (4) 331 - 346,   2010年08月
  • Blood Compatibility of Surface Modified Poly(ethylene terephthalate) (PET) by Plasma Polymerized Acetobromo-alpha-D-glucose, Kumar, DS; Nair, BG; Varghese, Saino H.;Nair, Remya; Hanajiri, T ; Maekawa, T ; Yoshida, Y, JOURNAL OF BIOMATERIALS APPLICATIONS, 24, (6) 527 - 544,   2010年02月
  • Capture of nonmagnetic particles and living cells using a microelectromagnetic system, Aki, A; Ito, O; Morimoto, H; Nagaoka, Y; Nakajima, Y; Mizuki, T ; Hanajiri, T; Usami, R ; Maekawa, T, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 104, (9) ,   2008年11月
  • Drive current enhancement in silicon-on-quartz MOSFETs, Nakajima, Y; Sasaki, K ; Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 29, (8) 944 - 945,   2008年08月
  • Three dimensional image construction and spectrum extraction from two dimensional elemental mapping in Auger electron spectroscopy, Urushihara, N; Iida, S; Sanada, N ; Suzuki, M ; Paul, DF ; Bryan, S ; Nakajima, Y; Hanajiri, T ; Kakushima, K ; Ahmet, P, JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 26, (4) 668 - 672,   2008年07月
  • Characterization of distribution of trap states in silicon-on-insulator layers by front-gate characteristics in n-channel SOI MOSFETs, Kajiwara, K; Nakajima, Y; Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 55, (7) 1702 - 1707,   2008年07月
  • Detection of surface immunoreactions on individual cells by electrophoretic mobility measurement in a micro-channel, Aki, A; Nihei, Y; Asai, H ; Ukai, T; Morimoto, H ; Nakajima, Y ; Hanajiri, T ; Maekawa, T, SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, 131, (1) 285 - 289,   2008年04月
  • Ultraviolet irradiation effects on and depth profiles in X-ray photoelectron spectra of poly(vinylpyridine) thin films, Nishiyama, S; Tajima, M; Nakajima, Y; Hanajiri, T; Yoshida, Y, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 47, (1) 432 - 437,   2008年01月
  • Dissociation of carbon dioxide and creation of carbon particles and films at room temperature, Fukuda, T; Maekawa, T; Hasumura, T; Rantonen, Nyrki; Ishii, K; Nakajima, Y; Hanajiri, T; Yoshida, Y; Whitby, Raymond L. D.; Mikhalovsky, S, NEW JOURNAL OF PHYSICS, 9, (231) ,   2007年10月
  • A new measurement technique for the characterization of carrier lifetime in thin SOI MOSFETs,ERRATUM to (vol 6, pg 462, 2004), Nakajima, Y; Tomita, H; Aoto, K; Sasaki, K; Hanajiri, T; Toyabe, T; Morikawa, T; Sugano, T, THIN SOLID FILMS, 488, (1-2) 337 - 339,   2005年09月
  • Scaling rules for SOI MOSFETs operating in the fully inverted mode, Hanajiri, T; Niizato, M; Aoto, K; Toyabe, T; Nakajima, Y; Morikawa, T; Sugano, T, SOLID-STATE ELECTRONICS, 48, (10-11) 1943 - 1946,   2004年10月
  • A new measurement technique for the characterization of carrier lifetime in thin SOI MOSFETs, Nakajima, Y; Tomita, H; Aoto, K; Sasaki, K; Hanajiri, T; Toyabe, T; Morikawa, T; Sugano, T, THIN SOLID FILMS, 462, 6 - 10,   2004年09月
  • An approach for quantum mechanical modeling and simulation for MOS devices, covering the whole operation region, Hanajiri, T; Aoto, K; Hoshino, T; Niizato, M; Nakajima, Y; Toyabe, T; Morikawa, T; Sugano, T; Akagi, Y, COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 30, (3-4) 235 - 241,   2004年08月
  • Confirmation of electric properties of traps at silicon-on-insulator (SOI)/buried oxide (BOX) interface by three-dimensional device simulation, Nakajima, Y; Sasaki, K; Hanajiri, T; Toyabe, T; Morikawa, T; Sugano, T, PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES , 24, (1-2) 92 - 95,   2004年08月
  • Characterization of trap states at silicon-on-insulator (SOI)/buried oxide (BOX) interface by back gate transconductance characteristics in SOI MOSFETs, Nakajima, Y; Tomita, H; Aoto, K; Ito, N; Hanajiri, T; Toyabe, T; Morikawa, T; Sugano, T, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 42, (48) 2004 - 2008,   2003年04月
  • Suppression of short channel effects by full inversion in deep sub-micron gate SOI MOSFETs, Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T, SOLID-STATE ELECTRONICS, 45, (12) 2077 - 2081,   2001年12月
  • Self-formation of ultra small structures on vicinal Si substrates for nano-device array , Hanajiri, T; Sugano, T , JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH , 210, (1-3) 85 - 89,   2000年03月
  • Advantages of the asymmetric tunnel barrier for high-density integration of single electron devices, Matsumoto, Y ; Hanajiri, T ; Toyabe, T ; Sugano, T, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 36, (6B) 4143 - 4146,   1997年01月
  • Single electron device with asymmetric tunnel barriers, Matsumoto, Y; Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 35, (2B) 1126 - 1131,   1996年02月
  • Electrical and optical properties of phosphorous nitride films formed on InP substrates with photon-assisted chemical vapour deposition, Matsumoto, Y.; Hanajiri, T.; Sugano, T.; Tuyen, L.T.T.; Katoda, T., Thin Solid Films, 269, (1-2) 41 - 46,   1994年11月

MISC

  • Experimental demonstration of advantages of MOSFETs on Silicon On Quartz wafers, K. Sasaki, Y. Miyazawa, K. Kajiwara, T. Yamazaki, Y. Nakajima, T. Hanajiri, T. Toyabe, and T. Sugano, Thin Film Materials and Devices Meeting (TFMD) 2004,   2004年11月, 査読有り
  • 量子効果およびドリフト拡散を考慮したデバイスシミュレーション, 花尻 達郎, 新里 昌弘, 鳥谷部 達, 菅野 卓雄, 齋藤 晶, 赤木 与志郎, 電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術, 100, (294) 45 - 50,   2000年09月15日, 量子効果が顕著に発現するデバイス、特に反転層程度の極めて薄い上部Si層を有するSOI MOSFETにおいて、深さ方向に関する量子効果の自己無撞着解と横方向に関するドリフトおよび拡散とを厳密に考慮したデバイスモデリングを考案し、それを用いたデバイスシミュレーションを行ったので報告する。擬フェルミレベルを用いて電流を記述する本方法によればサブスレショルド領域から強反転飽和領域に至る全ての動作領域において、経験的パラメターを用いずに、量子効果を有するMOSデバイスの電気的特性の評価が可能となる。量子効果が顕著でないバルクデバイスで古典2次元デバイスシミュレーターとの整合性を確認し、超薄膜SOI MOSFETにおいて、飽和領域においても量子効果による閾値電圧の上昇がみれらることを見出した。
  • Process of Formation of Nitrided Oxides for Asymmetric Tunnel Barriers in Electron Tunneling Devices, T.Hanajiri ,T. Takahashi and T.SUGANO, Proc.of Int.Symp.on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures,   2000年09月, 査読有り
  • Fabrication of ultra small structures on Si utilizing self-organization, T.Hanajiri and T.SUGANO, The 8th International Conference on Defects-Recognition,Imaging and Physics in Semiconductors,   1999年08月, 査読有り
  • 単電子デバイスにみるナノエレクトロニクス技術, 花尻 達郎, 精密工学会春季大会. シンポジウム資料, 1999,   1999年03月05日
  • 単電子素子の設計および試作, 花尻達郎、菅野卓雄, 東洋大学工業技術研究所報告, 20,   1998年12月
  • Performances of Single Electron Devices with Asymmetric Tunnel Barriers, T.Hanajiri,T.Toyabe and T.Sugano, Proc.of 3rd.Int.Workshop on Quantum Functional Devices,   1997年12月, 査読有り, 招待有り
  • Experimental observation of Coulomb Staircase in Asymmetric Tunnel Barrier Sysytem, Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe and T.Sugano, Tech. Digest of Int.Electron Devices Meeting,   1996年12月
  • ナノエレクトロニクスの展望, 花尻達郎、松本善哉、菅野卓雄, 東洋大学工学部研究報告, 31,   1996年12月
  • Advantages of the Asymmetric Tunnel Barrier for High Density Integration of Single Electron Devices, Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe and T.Sugano, Proc.of Int.Symp.on Formation, Physics snd Device Application of Quantum Dot Structures,   1996年11月, 査読有り
  • Single electron device with asymmetric tunnel barriers, Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe and T.Sugano,   1995年08月, 査読有り
  • Single Electron Transistor with Asymmetric Tunnel Barriers, 23,   1995年06月
  • 電子の流れに方向性, 日刊工業新聞,   1995年04月
  • Characterization of density trap states at the back , A.Takubo,T.Hanajiriri,T.Sugano and K.Kajiyama,   1995年03月, 査読有り
  • 化合物半導体MIS構造における界面特性の光学的評価法に関する研究, 花尻達郎、河東田隆, 固体エレクトロニクス・オプトエレクトロニクス研究発表会(東京大学),   1994年03月
  • 光CVD法による窒化燐の堆積とInP MIS, 花尻達郎、河東田隆, 東京大学工学部総合試験所年報, 51,   1994年03月

作品

  • 高度通信用高周波デバイスの開発, 花尻 達郎, その他,   2000年 - 2008年
  • 超低消費電力電子デバイスの為のシミュレーター開発, 花尻 達郎, その他,   1998年 - 2000年

特許

  • アモルファスカーボン薄膜作製方法, 花尻 達郎, 特願2012-279333, 特開2013-082619, 特許5392932
  • アモルファスカーボン薄膜作製方法, 花尻 達郎, 特願2007-267780, 特開2009-096650, 特許5213227
  • ゼータ電位測定装置及びゼータ電位測定方法, 花尻 達郎, 特願2009-260937, 特開2011-106915, 特許5257900
  • 化合物半導体基板への絶縁膜の低温形成, 特開平8-97156
  • 複合トンネル障壁構造をもつ電子デバイス単電子素子, 特開平8-264752
  • 完全反転型SOI MOSFET, 特開平11-284201
  • Fully Inverted Type SOI-MOSFET Capable of Increasing the Effective Mutual Conductance, 特開U. S. Patent Application Ser. No. 10/058, 221

競争的資金

  • 電気泳動コールター法(ECM)を医療用検査機器として実用化する為の新素材の活用, 文部科学省, 科研費、基盤研究(C), 花尻 達郎
  • ソフトリソグラフィーを駆使したシリコンナノ構造の自在配線, 文部科学省, 科研費、基盤研究(C), 花尻 達郎
  • セルソーターをトータルシステムとして本気でチップ化するには何が必要か?, 文部科学省, 科研費、基盤研究(C), 花尻 達郎
  • SOQ基板を何にどう使うか?, 文部科学省, 科研費、基盤研究(C), 花尻 達郎
  • 非対称トンネル障壁を用いた単電子素子回路の設計および試作, 文部科学省, 科研費、奨励研究(A), 花尻 達郎
  • 非対称トンネル障壁を有する単電子素子の設計及び試作, (財)倉田奨励金財団, 倉田奨励金, 花尻 達郎
  • ナノ電子デバイスの研究」, (財)材料科学技術振興財団, 大型研究助成, 花尻 達郎
  • 自己整合工程を用いたシリコン集積化単電子素子回路の設計および試作, 文部科学省, 科研費、奨励研究(A), 花尻 達郎

教育活動情報

担当経験のある科目

  • 電子デバイス工学特論, 東洋大学大学院
  • 量子力学特論, 東洋大学大学院
  • ナノエレクトロニクス, 東洋大学大学院
  • 基礎電子物性, 東洋大学,東京電機大学
  • 半導体工学, 東洋大学,東京電機大学
  • 集積回路, 東洋大学,東京電機大学
  • 電子回路, 東洋大学
  • 電磁気学演習, 東洋大学
  • 情報処理基礎、同演習, 東洋大学
  • 電気電子情報実験, 東洋大学
  • 量子力学特論, 東洋大学
  • 電子デバイス特論, 東洋大学
  • ナノエレクトロニクス特論, 東洋大学