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Advance

Tatsuro Hanajiri

    Department of Electrical and Electronic Engineering　Professor
    Bio-Nano Electronics Research Center　Researcher
    Professor
    Course of Electricity， Electronics and Communications　Professor
    Research Institute of Industrial Technology　Researcher
Last Updated :2025/09/13

Researcher Information

URL

J-Global ID

Research Interests

  • 半導体デバイス   量子デバイス工学   Nano Electronics   Semiconductor   Single Electron Transisitor (SET)   Silicon On Quartz (SOQ) wafer   Silicon On Insulator (SOI) wafer   MOSFET   抗原抗体反応   電気泳動   電気浸透流   ゼータ電位   赤血球   コールター法   

Research Areas

  • Nanotechnology/Materials / Nanobioscience
  • Nanotechnology/Materials / Nano/micro-systems
  • Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering) / Electric/electronic material engineering / Semiconductor, Advanced carbon materials
  • Manufacturing technology (mechanical, electrical/electronic, chemical engineering) / Electronic devices and equipment / MOSFET, Single electron transisitor (SET)

Academic & Professional Experience

  • 2012/04 - Today  Toyo University大学院学際・融合科学研究科研究科長
  • 2011/04 - Today  Toyo UniversityFaculty of Science and Engineering教授
  • 2007/04 - Today  Toyo Universityバイオ・ナノエレクトロニクス研究センター副センター長（施設、装置担当）
  • 2007/04 - 2011/03  Toyo University工学部教授
  • 1998/04 - 2007/03  Toyo University工学部助教授
  • 1994/04 - 1998/03  Toyo University工学部講師

Education

  • 1991/04 - 1994/03  The University of Tokyo  大学院工学系研究科（博士課程）  電子工学専攻
  • 1989/04 - 1991/03  The University of Tokyo  大学院工学系研究科（修士課程）  電子工学専攻
  • 1985/04 - 1989/03  Waseda University  School of Science and Engineering  電気工学科 エレクトロニクス専修コース

Published Papers

Works

  • 高度通信用高周波デバイスの開発
    花尻 達郎 Others 2000 -2008
  • 超低消費電力電子デバイスの為のシミュレーター開発
    花尻 達郎 Others 1998 -2000

MISC

Industrial Property Rights

  • 特許5392932:アモルファスカーボン薄膜作製方法    2013/10/25
    花尻 達郎
  • 特許5257900:ゼータ電位測定装置及びゼータ電位測定方法    2013/05/02
    花尻 達郎
  • 特許5213227:アモルファスカーボン薄膜作製方法    2013/03/08
    花尻 達郎
  • 特開U. S. Patent Application Ser. No. 10/058, 221:Fully Inverted Type SOI-MOSFET Capable of Increasing the Effective Mutual Conductance  
  • 特開平11-284201:完全反転型SOI MOSFET  
  • 特開平8-264752:複合トンネル障壁構造をもつ電子デバイス単電子素子  
  • 特開平8-97156:化合物半導体基板への絶縁膜の低温形成  

Research Grants & Projects

  • 電気泳動コールター法(ECM)を医療用検査機器として実用化する為の新素材の活用
    文部科学省：科研費、基盤研究（C）
    Date (from‐to) : 2017/04 -2020/03 
    Author : 花尻 達郎
  • ソフトリソグラフィーを駆使したシリコンナノ構造の自在配線
    文部科学省：科研費、基盤研究（C）
    Date (from‐to) : 2012/04 -2015/03 
    Author : 花尻 達郎
  • セルソーターをトータルシステムとして本気でチップ化するには何が必要か?
    文部科学省：科研費、基盤研究（C）
    Date (from‐to) : 2009/04 -2012/03 
    Author : 花尻 達郎
  • ＳＯＱ基板を何にどう使うか？
    文部科学省：科研費、基盤研究（C）
    Date (from‐to) : 2006/04 -2009/03 
    Author : 花尻 達郎
  • 非対称トンネル障壁を用いた単電子素子回路の設計および試作
    文部科学省：科研費、奨励研究(A)
    Date (from‐to) : 1998/04 -2001/03 
    Author : 花尻 達郎
  • 非対称トンネル障壁を有する単電子素子の設計及び試作
    （財）倉田奨励金財団：倉田奨励金
    Date (from‐to) : 1999/04 -2000/03 
    Author : 花尻 達郎
  • ナノ電子デバイスの研究」
    （財）材料科学技術振興財団：大型研究助成
    Date (from‐to) : 1997/04 -1998/03 
    Author : 花尻 達郎
  • 自己整合工程を用いたシリコン集積化単電子素子回路の設計および試作
    文部科学省：科研費、奨励研究(A)
    Date (from‐to) : 1996/04 -1997/03 
    Author : 花尻 達郎

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