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本橋 健次モトハシ ケンジ

所属・担当
生体医工学科
バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
工業技術研究所
生体医工学専攻
職名教授
メールアドレス
ホームページURLhttp://www.toyo.ac.jp/site/dbme/dbme-professor.html
生年月日
Last Updated :2017/11/24

研究者基本情報

基本情報

    プロフィール:職歴

    1989年3月 東京農工大学工学部応用物理学科卒業

    1991年3月 東京農工大学大学院工学研究科電子情報工学専攻博士前期課程修了

    1991年4月 株式会社東芝 総合研究所研究員

    1993年4月 東京農工大学工学部応用物理学科助手

    2009年4月 東洋大学理工学部生体医工学科准教授

    2015年4月 東洋大学理工学部生体医工学科教授

    研究歴

    光通信用半導体レーザーの発振低しきい電流化の研究

    電子・イオン衝突発光断面積の測定

    電子衝撃型小型多価イオン源の開発

    多価イオン衝突による分子・固体表面からの二次イオン放出過程の研究

    固体曲面を利用した炭素モノマー・クラスターイオンビームの軌道制御

    自己組織化単分子膜を利用した原子内包フラーレン生成法の開発

    がん細胞への大気圧プラズマ照射の影響

学歴

  •  - 1991年, 東京農工大学, 工学研究科
  •  - 1989年, 東京農工大学, 工学部, 応用物理学科

学位

  • 博士(工学), 東京農工大学

所属学協会

  • 日本物理学会
  • 応用物理学会
  • 日本医学物理学会
  • 日本表面科学会
  • 原子衝突学会
  • 励起ナノプロセス研究会

委員歴

  •   2017年04月 - 現在, 日本物理学会, 第73期男女共同参画委員
  •   2017年04月 - 現在, 日本物理学会, 第73期物理教育委員
  •   2017年04月 - 現在, 原子衝突学会, 運営委員
  •   2017年04月 - 現在, 日本物理学会, 領域1運営委員
  •   2016年05月 - 現在, 原子衝突学会, 広報渉外委員会
  •   2016年04月 - 2017年03月, 日本物理学会, 第72期物理教育委員
  •   2016年04月 - 2017年03月, 日本物理学会, 第72期男女共同参画推進委員
  •   2015年04月 - 2016年03月, 日本物理学会, 第71期物理教育委員
  •   2015年04月 - 2016年03月, 日本物理学会, 第71期男女共同参画推進委員
  •   2014年04月 - 2015年03月, 日本物理学会, 第70期物理教育委員
  •   2013年04月 - 2014年03月, 日本物理学会第69期物理教育委員
  •   2008年01月 - 2014年01月, 励起ナノプロセス研究会・企画幹事
  •   2004年04月 - 現在, 東京農工大学同窓会 理事 
  •   2011年05月 - 2013年04月, 応用物理学会, プログラム委員
  •   2010年04月 - 2012年03月, 原子衝突研究協会 幹事(広報渉外委員長)
  •   2009年04月 - 2010年03月, 励起ナノプロセス研究会, International Symposium on the Physics of Excitation-assisted Nano-processes Organizing Committee
  •   2003年04月 - 2004年03月, 日本物理学会, 領域1・原子分子分科 世話人
  •   2002年04月 - 2004年03月, 原子衝突研究会, 常任幹事(事務局担当)
  •   2007年04月 - 2012年03月, 原子衝突研究会, 運営委員
  •   2007年04月 - 現在, 励起ナノプロセス研究会, 企画幹事
  •   1999年04月 - 2000年03月, 原子衝突研究協会, 21st International Conference on the Physics of Electronic and Atomic Collisions,Local Organizing Committee

経歴

  •   2015年04月 - 現在, 東洋大学理工学部生体医工学科 教授
  •   2009年04月 - 2015年03月, 東洋大学理工学部 准教授
  •   2007年04月 - 2009年03月, 東京農工大学大学院共生科学技術研究院 助教
  •   2007年10月 - 2014年03月, 独立行政法人理化学研究所 客員研究員
  •   1993年04月 - 2007年03月, 東京農工大学工学部 助手
  •   1991年04月 - 1993年03月, 株式会社東芝 総合研究所 研究員

研究活動情報

研究分野

  • 量子ビーム科学, 量子ビーム科学
  • プラズマ科学, プラズマ科学
  • 応用物理学, 薄膜・表面界面物性
  • 物理学, 原子・分子・量子エレクトロニクス

研究キーワード

    量子ビーム, 放射線, プラズマ, 原子物理, 表面科学, 多価イオン, 電子, 原子, 分子, クラスター

論文

  • Guiding of 4MeV C+ and C4+ ion beams using cylindrical glass channel, 本橋健次,宮脇信正,齋藤勇一,鳴海一雅,的場史朗, Japanese Journal of Applied Physics, 56, 046301-1 - 046301-6,   2017年03月
  • Level-energy-dependent mean velocities of excited tungsten atoms sputtered by krypton-ion bombardment, 野上慶祐,酒井康弘,峯田翔太,加藤太治,村上泉,坂上裕之,剣持貴弘,古屋健二,本橋 健次, Journal of Vacuum Science and Technology A, 33, (6) 061602-1 - 061602-7,   2015年08月
  • Highly charged ion scattering on single-crystalline (0001) and (000-1) zinc-oxide surfaces, Kenji Motohashi, Tokihiro Ikeda, Takao M. Kojima, Yuki Suzuki, ELSEVIER, Vacuum, 104, 22 - 28,   2014年01月
  • Transmission Properties of a 4-MeV C+ Ion Beam Entering a Narrow Gap between Two Cylindrical Glass Surfaces , MOTOHASHI Kenji, SAITOH Yuichi, MIYAWAKI Nobumasa, MATSUO Yutaro, Japanese Journal of Applied Phyics, 52, (7) 076301-1 - 076301-6,   2013年06月
  • Mean Velocity of 5d56p excited tungsten atoms sputtered by Kr+ ion bombardment, 本橋 健次、野上慶祐、酒井康弘、坂上裕之、加藤太治、剣持貴弘, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B, 283, 59 - 62,   2012年04月
  • Optical emission spectroscopy by Ar3+ ion sputtering of Ti surface under O2 environment, MOTOHASHI Kenji, SAITOH Yuichi, KITAZAWA Shin-iti, Applied Surface Science, 257, (13) 5789 - 5792,   2011年04月
  • Selective Sputtering of Impurity Hydrogen Atoms from a GaN(0001) Surfaces by Slow Multicharged Ion Impact, MOTOHASHI Kenji, Applied Physics Express, 3, (12) 126301-1 - 126301-3,   2010年12月
  • 同時計測法で探る多価イオン励起固体表面からの二次イオン放出, 本橋 健次, 社団法人日本物理学会・日本物理学会誌, 65, (8) 629 - 633,   2010年08月
  • Desorption and Sputtering on Solid Surfaces by Low-Energy Multicharged Ions, MOTOHASHI Kenji, Journal of Physics: Conference Series, 194, 012061-1 - 012061-8,   2009年12月
  • Coincidence measurements of secondary ions and scattered ions in collision between slow Ar^6+^ and a GaN(0001) surface, MOTOHASHI Kenji, Journal of Physics: Conference Series, 185, 012029-1 - 012029-4,   2009年10月
  • Optical emission spectroscopy of excited atoms sputtered on a Ti surface under irradiation with multicharged Ar ions, MOTOHASHI Kenji, SAITOH Yuichi, KITAZAWA Shin-ichi, J. Phys. Conf. Ser., 163, 012079-1 - 012079-4,   2009年06月
  • Fragmentation and desorption in low-energy highly charged ion collisions with molecules and surfaces, MOTOHASHI Kenji, J. Phys. Conf. Ser., 163, 012005-1 - 012005-6,   2009年06月
  • Secondary-ion emission from GaN(0001) and dodecanethiol/Au(111) surfaces irradiated with Ar^q+^ (q = 4-8), MOTOHASHI Kenji, FLORES Marcos, KANAI Yasuyuki, J. Phys. Conf. Ser., 163, 012080-1 - 012080-4,   2009年06月
  • 多価イオン-固体表面衝突におけるスパッタ中性原子の動的諸過程の解明, 本橋 健次、斎藤勇一,北澤真一, JAEA-Review, 2008-066, 9 - 14,   2009年02月
  • Surface Chemical Analysis Using Multiply Charged Ions, Kenji Motohashi, e-J. Surf. Sci. Nanotech., 7, 21 - 24,   2009年01月
  • Proton sputtering from polycrystalline Al surface interacting with highly charged ions at grazing incidence angle, MOTOHASHI Kenji, TSURUBUCHI Seiji, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 264, 15 - 22,   2007年08月
  • 多価イオン原子過程の基礎と拡がる応用研究 2.2節 多価イオン-原子・分子・固体表面, 本橋 健次, プラズマ・核融合学会誌, 83, (7) 665 - 670,   2007年08月
  • Analyses of GaN(0001) and (000-1) surfaces by highly-charged ions, K. Motohashi, K. Hosoya, M. Imano, S. Tsurubuchi, and A. Koukitu, Surf. Sci., 601, 5304 - 5308,   2007年04月
  • Secondary-Ion Emission in Grazing Collisions between Highly Charged Ions and Surfaces, K. Motohashi, S. Tsurubuchi and A. Koukitu, J. Phys.: Conf. Ser., 80, 012015-1 - 012015-8,   2007年02月
  • Report on Cross Section Data Compilation for Electron and Ion Collisions with Molecules of Hydrogen Isotopes, Nitrogen, Oxygen, Hydrocarbons, Water and Carbon Oxide, M. Kimura, A. Igarashi, M. Imai, Y. Itikawa, M. Kitajima, T. Kusakabe, K. Moribayashi, T. Morishita, K. Motohashi, L. Pichl, R. Suzuki, D. Kato, I. Murakami, T. kato, and M. Kato, National Institute for Fusion Science Research Report, NIFS-DATA-98, 1 - 38,   2006年09月
  • Emission cross sections in low-energy collisions between He+, Ne+ ions and CF4 molecule, K. Motohashi,T. Takahashi, N. Takahashi and S. Tsurubuchi, J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys., 38, 3339 - 3348,   2005年09月
  • Momentum-imaging spectroscopy of secondary ions from GaN and SiC surfaces collided with highly charged ions at grazing angle, MOTOHASHI Kenji, TSURUBUCHI Seiji, KOUKITSU Akinori, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 232, 254 - 260,   2005年04月
  • Energy-gain-characterized 3D momentum-imaging spectroscopy of N+ ions produced in Arq+ (q=3, 8, 9, 11 and 12) collisions with N2 molecules, 本橋 健次、S. Tsurubuchi, J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys., 36, 3847 - 3863,   2003年09月
  • 3D-momentum-imaging spectroscopy of fragment ions produced in electron transfer collisions between egergy-gain selected Arq+ (q=3, 8, 9, 11 and 12) and CF4 molecules, 本橋 健次、S. Tsurubuchi, J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys., 36, 1811 - 1833,   2003年05月
  • AMDIS and CHART update (I), I. Murakami, T. Kato, A. Igarashi, M. Imai, Y. Itikawa, D. Kato, M. Kimura, T. Kusakabe, K. Moribayashi, T. Morishita, K. Motohashi, and L. Pichl, National Institute for Fusion Science・RESEARCH REPORT NIFS-DATA Series, 70, 1 - 102,   2002年10月
  • イオン・分子衝突における励起を伴なう解離過程, 本橋 健次, 東京農工大学,   2002年03月
  • Emission cross sections for H, C and He produced in He++CH4 collisions, 本橋 健次、S. Tsurubuchi, J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys., 33, 5215 - 5224,   2000年10月
  • Electron-impact cross sections of Ne, 本橋 健次、S. Tsurubuchi, K. Arakawa and S. Kinokuni, J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys., 33, (18) 3713 - 3723,   2000年09月
  • High Energy Operation of the Tokyo - Electron Beam Ion Trap, 本橋 健次、H. Kuramoto, H. Shimizu, N. Nakamura, F. J. Currell, D. Kato, T. Kinugawa, X. M. Tong, H. Watanabe, T. Fukami, Y. M. Li, C. Yamada, S. Ohtani, K. Okazaki, M. Sakurai, T. Hirayama, S. Tsurubuchi, E. J. Sokell, M. R. Tarbutt, J. D. Silver, Rev. Sci. Instrum., 71, (2) 687 - 689,   2000年02月
  • M1 - Transition of Ti - like Highly Charged Ions, 本橋 健次、D. Kato, C. Yamada, T. Fukami, I. Ikuta, H. Watanabe, K. Okazaki, S. Tsurubuchi, and S. Ohtani, Phys. Scr., T80, 446 - 447,   1999年10月
  • Compact electron-beam ion trap using NdFeB permanent magnets, Review of Scientific Instruments, 71, (2) 890 - 892,   1999年09月
  • Estimation of Emission Cross Section for CH+(A1Π-X1Σ+ : 419.0-441.0nm)Produced by Electron Impact of CH4 Using Spectral Simulation Technique., Kenji Motohashi, S. Tsurubuchi, J. Phys. Soc. Japan, 68, (1) 64 - 70,   1999年01月
  • The present status of Tokyo electron beam ion trap, 本橋 健次、N. Nakamura, J. Asada, F. J. Currell, T. Fukami, T. Hirayama, D. Kato, E. Nojikawa, S. Ohtani, K. Okazaki, M. Sakurai, H. Siraishi, N. Tada, S. Tsurubuchi, and H. Watanabe, Rev. Sci. Instrum., 69, (2) 694 - 696,   1998年02月
  • Characteristics of the Tokyo Electron - Beam Ion Trap, 本橋 健次、H. Watanabe, J. Asada, F. J. Currell, T. Fukami, T. Hirayama, N. Nakamura, E. Nojikawa, S. Ohtani, K. Okazaki, M. Sakurai, H. Shimizu, N. Tada and S. Tsurubuchi, J. Phys. Soc. Japan, 66, (12) 3795 - 3800,   1997年12月
  • Overview of Tokyo Electron Beam Ion Source / Trap at ILS / UEC, 本橋 健次、N. Nakamura, J. Asada, F. J. Currell, T. Fukami, T. Hirayama, T. Nagata, E. Nojikawa, S. Ohtani, K. Okazaki, M. Sakurai, H. Shiraishi, S. Tsurubuchi, and H. Watanabe, Phys. Scr., T73, 362 - 364,   1997年10月
  • Detector Systems for use with an Electron Beam Ion Trap, 本橋 健次、F. J. Currell, J. Asada, T. Fukami, T. Hirayama, N. Nakamura, E. Nojikawa, S. Ohtani, K. Okazaki, M. Sakurai, H. Shiraishi, S. Tsurubuchi, and H. Watanabe, Phys. Scr., T73, 371 - 372,   1997年10月
  • Extraction of Trapped Ions from the Tokyo Electron Beam Ion Trap, 本橋 健次、J. Asada, F. J. Currell, T. Fukami, T. Hirayama, K. Mochiji, N. Nakamura, E. Nojikawa, K. Okazaki, S. Ohtani, M. Sakurai, H. Shiraishi, S. Tsurubuchi and H. Watanabe, Phys. Scr., T73, 368 - 370,   1997年10月
  • Control systems of the Electron Beam Ion Trap at ILS / UEC, 本橋 健次、H. Watanabe, F. J. Currell, J. Asada, T. Fukami, T. Hirayama, N. Nakamura, E. Nojikawa, S. Ohtani, K. Okazaki, M. Sakurai, H. Shiraishi, and S. Tsurubuchi, Phys. Scr., T73, 365 - 367,   1997年10月
  • X - ray Spectroscopy at the Tokyo EBIT Facility, 本橋 健次、J. Asada, F. J. Currell, T. Fukami, T. Hirayama, N. Nakamura, E. Nojikawa, S. Ohtani, K. Okazaki, M. Sakurai, H. Shiraishi, S. Tsurubuchi, and H. Watanabe, Phys. Scr., T73, 90 - 92,   1997年10月
  • Optical Emission Spectroscopy of Sputtered Al Atom From Al and Al2O3 Surfaces Interacted with Arq+(q=1-9), 本橋 健次、S. Tsurubuchi, H. Shimizu, K. Mochiji, H. Tanuma and N. Kobayashi, Phys. Scr., T73, 329 - 331,   1997年10月
  • Dissociative excitation of CH4 by electron impact: Emission cross sections for the fragment species, 本橋 健次、H. Soshi, M. Ukai, and S. Tsurubuchi, Chem. Phys., 213, (41642) 369 - 384,   1996年12月
  • A New Versatile Electron-Beam Ion Trap, 本橋 健次、F. J. Currell, J. Asada, K. Ishii, A. Minoh, N. Nakamura, K. Nishizawa, S. Ohtani, K. Okazaki, M. Sakurai, H. Shiraishi, S. Tsurubuchi, and H. Watanabe, J. Phys. Soc. Japan, 65, (10) 3186 - 3192,   1996年10月
  • Electron - impact emission cross sections of Ar, 本橋 健次、S. Tsurubuchi and T. Miyazaki, J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys., 29, (9) 1785 - 1801,   1996年09月
  • Excitation of the 3s3p6 State of Ar+ by Electron Impact, 本橋 健次、S. Tsurubuchi and T. Miyazaki, J. Phys. Soc. Japan, 63, (11) 3996 - 3999,   1994年11月
  • Dissociative excitation of SiH4 by electron impact: emission cross sections for fragment species, 本橋 健次、S. Tsurubuchi, S. Matsuoka, and T. Arikawa, Chem. Phys., 161, (3) 493 - 500,   1992年04月
  • Dissociative excitation of SiH4 by electron impact: emission cross sections for the hydrogen Lyman series, 本橋 健次、S. Tsurubuchi, S. Matsuoka, and T. Arikawa, Chem. Phys., 155, (3) 401 - 406,   1991年09月

MISC

  • Kinetic Energy Distributions of 4-MeV C+ and C4+ Ion Beams Guided by a Cylindrical Glass Channel, 本橋健次,齋藤勇一,宮脇信正,鳴海一雅, QST Takasaki Annual Report 2015, QST-M-2,   2017年03月, 査読有り, 招待有り, The influence of initial charge states of 4-MeV ion beams on guiding effects were investigated by comparing C4+ with C+. The results obtained in this study is essentially means that the guiding effect was indeed in play under this investigative scenario; moreover, the absence of ion beam deflection was likewise ensured because no transmissions beyond the range of the primary ion angle were detected.
  • ガラス曲面チャネルを透過した4-MeV-C4+イオンビームの運動エネルギー, 本橋 健次、齋藤勇一、宮脇信正、的場史朗, JAEA Review, 2015-022,   2016年02月, 査読有り, 招待有り
  • A Comparative Study on Transmission Properties of 4-MeV C+ and C4+ Ion Beams Entering a Curved Insulating Channel, MOTOHASHI Kenji, SAITOH Yuichi, MIYAWAKI Nobumasa, MATOBA Shiro, SUZUKI Yuki, JAEA-Review, 2014-050,   2015年03月, 査読有り
  • Alignment in magnetic sub-level populations of excited atomic hydrogen formed by single-electron capture from metal surfaces, KATO Daiji, SAKAUE A. Hiroyuki, KENMOTSU Takahiro, SAKAI Yasuhiro, MOTOHASHI Kenji, Journal of Physics: Conference Series, 488, (13) 132012-1 - 132012-1,   2014年04月, 査読有り, ボーア速度以下の低速陽子のタングステン表面での電荷交換散乱について理論的検討を行った結果,反射散乱した水素原子のライマン発光線が励起磁気副準位に依存して特異的に偏光することが分かった.
  • Transmission Properties of a 4-MeV C+ Ion Beam Entering a Curved Insulating Channel, MOTOHASHI Kenji, JAEA-Review, 2013-059,   2014年03月, 査読有り, 絶縁体のガラス曲面に入射した4MeVの炭素一価イオンの透過率をチルト角の関数として測定した結果,同じ半径のHe-Neレーザーに比べて高い透過率を示した.さらに,透過粒子のエネルギーを半導体検出器で測定したところ,-0.2°から+0.16°までの散乱粒子ではほぼ入射時のエネルギーを保持していることが分かった.
  • 人にやさしい原子の力 -量子ビームが拓く新たな医工学応用技術-, 本橋 健次, 工業技術, (33) 9 - 13,   2011年02月, 東洋大学工業技術研究所報告
  • 高電離多価イオンビームの応用, 本橋 健次, 東洋大学工業技術研究所・工業技術, (32) 66 - 69,   2010年02月, 高電離多価イオンの特徴を概観し、重粒子線治療、表面化学分析、マイクロビームテクノロジー等の応用研究の現状と可能性について述べた。
  • 多価イオン-固体表面衝突におけるスパッタ中性原子の動的諸過程の解明, 本橋 健次、(独)日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所, (独)日本原子力研究開発機構那珂核融合研究所, JAEA-Review 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 26,   2009年09月, 先端基礎研究センター平成20年度黎明研究成果報告集
  • Development of a multi-coincidence SIMS analyzer for study on potential sputtering of solid surfaces interacting with highly charged ions, 本橋 健次、(独)理化学研究所山崎原子物理研究所 Marcos Flores, (独)理化学研究所山崎原子物理研究所 金井 保之, (独)理化学研究所山崎原子物理研究所 山崎泰規, RIKEN Accelerator Progress Report (独立行政法人理化学研究所仁科加速器科学センター), 42,   2009年09月, 査読有り, 多価イオン照射によるポテンシャルスパッタリング現象を観測するためのマルチコインシデンス計測法を開発した経緯と、予備実験結果について述べた。
  • 平成19年度学内GP採択 東京農工大学SAILプロジェクトにおけるInnovative design能力養成科目の開発, 本橋 健次、佐野理,仁藤修,橋詰研一,松崎清司,三沢和彦,室尾和之, 大学教育ジャーナル, 5,   2009年03月, SAILプロジェクトにおける新しい物理教育の科目開発
  • High-efficiency and low-damage analysis of solid surfaces by use of highly-charged ions, K. Motohashi, S. tsurubuchi, and A. Koukitu, The 21st Century COE program on "Future Nano-Material" News Letter, 4,   2006年
  • A new method for analysis and modification of wide-gap semiconductor surfaces by using highly-charged ions, K. Motohashi, S. Tsurubuchi, and A. Koukitu, The 21st Century COE program on "Future Nano-Material" News Letter, 3,   2005年
  • 多価イオンビームによるワイドギャップ半導体のスパッタリング過程, 本橋 健次、鶴淵誠二, 日本結晶成長学会誌, 31, (3) 166 - 166,   2004年08月, 多価イオン衝突により炭化珪素単結晶表面から放出されたSi+イオンの三次元運動量画像を測定し、その原子過程を調べた。
  • Ar+衝突によりAl表面からスパッターされた二次イオンの検出 -表面酸素被覆率との関係-, 本橋健次、庄司幸樹、宇野友裕、入来仁隆、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会 第29回研究会講演概要集,   2004年
  • A fundamental study on the sputtering processes of wide-gap semiconductors by highly-charged-ion impact, Kenji Motohashi and Seiji Tsurubuchi, News Letter: The 21st Century COE (Center of Excellence) program on "Future Nano-Material",   2004年
  • Fundamental Study on Atomic Structure of Compound Semiconductor Surfaces, Seiji Tsurubuchi, Kenji Motohashi and Akinori Koukitu, News Letter: The 21st Century COE (center of Excellence) program on "Future Nano-Material", 2,   2004年
  • Fundamental study on atomic structure of compound semiconductor surfaces by highly charged ions, Seiji Tsurubuchi, Kenji Motohashi and Akinori Koukitu, 21世紀COE”ナノ未来材料”コロキューム -平成15年度第4回発表会-,   2004年
  • A fundamental study on the sputtering processes of wide-gap semiconductors by highly-charged-ion impact, Kenji Motohashi and Seiji Tsurubuchi, 21世紀COE”ナノ未来材料”コロキューム -第4回発表会-,   2004年
  • 電子衝突によるCF4分子の解離イオンに対する運動量分光, 山口幸彦、小村高弘、入来仁隆、本橋健次、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会 第29回研究会講演概要集,   2004年
  • 3D-momentum images of sputtered ions from a SiC surface interacted with highly-charged Ar ions, K. Motohashi, K. Hosoya, M. Tanaka and S. Tsurubuchi, Atomic Collision Research in Japan -Progress report-, 29,   2003年
  • Momentum-imaging spectroscopy of fragment ions in excitation of molecules by electron impact, Y. Yamaguchi, Y. Iriki, K. Motohashi and S. Tsurubuchi, Atomic Collision Research in Japan -Progress Report-, 29,   2003年
  • 高電離多価イオンビームによるワイドギャップ半導体材料のスパッタリング過程に対する基礎的研究, 本橋健次, 21世紀COE”ナノ未来材料”コロキューム,   2003年
  • 化合物半導体表面の原子結合状態に関する基礎的研究, 本橋健次、鶴淵誠二、纐纈明伯, 21世紀COE”ナノ未来材料”コロキューム -平成15年度第2回発表会-,   2003年
  • 多価イオンビームによるワイドギャップ半導体のスパッタリング過程, 本橋健次、鶴淵誠二, 21世紀COE”ナノ未来材料"コロキューム -平成15年度第1回発表会-,   2003年
  • イオン-表面衝突における2次イオン放出率の表面酸素被覆率依存性, 庄司幸樹、本橋健次、和田雷太、二村智昭、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会 第28回研究会講演概要集,   2003年
  • 電子-分子衝突における解離イオンのコインシデンス運動量画像分光, 山口幸彦、入来仁隆、本橋健次、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会 第28回研究会講演概要集,   2003年
  • 多価イオンー表面衝突におけるスパッターイオンのコインシデンス運動量画像分光, 本橋健次、和田雷太、細矢景、田中真佑美、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会 第28回研究会講演概要集,   2003年
  • 3D-momentum imaging of fragment ions of CF4/ CH4 characterized by energy-gain of incident Arq+ ions, Kenji Motohashi and Seiji Tsurubuchi, The fifth Asian International Seminar on Atomic and Molecular Physics -Scientific Program and Book of Abstracts-,   2002年
  • 多価イオン・表面相互作用における二次電子、二次イオンの検出, 和田雷太、斉藤裕司、本橋健次、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会 第27回研究会講演概要集,   2002年
  • 運動量イメージング法を用いた低速多価イオン-分子衝突における分子イオン中間状態と解離過程の同定, 本橋健次、斉藤裕司、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会 第27回研究会講演概要集,   2002年
  • Momentum Imaging Spectroscopy for Fragment Ions Produced in Single-Electron Transfer of Arq++N2/ CF4/ CH4 (q=8-11) Collision, K. Motohashi and S. Tsurubuchi, 22th International Conference on Photonic, Electronic, and Atomic Collisions =Abstracts of Contributed papers-,   2001年
  • エネルギーゲインを指定したArq++CF4衝突における解離イオンの運動量画像分光, 本橋健次、高橋哲朗、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会 第26回研究会講演概要集,   2001年
  • 反応熱を制御した多価イオン-分子衝突実験のための装置開発と予備実験結果, 本橋健次、山田博之、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会 第25回研究会講演概要集,   2000年
  • Recent activities at the Tokyo Electron Beam Ion Trap, Atomic Collision Research in Japan, 25,   1999年
  • Development of a compact EBIT using NdFeB permanent magnets, Atomic Collision Research in Japan, 25,   1999年
  • A Compact EBIT With NdFeB Permanent Magnets., The 8th International Conference on Ion Sources, Abstract,   1999年
  • Development of a Compact EBIT with NdFeB Permanent Magnets., K. Motohashi, A. Moriya, H. Yamada and S. Tsurubuchi, 21st International Conference on the Physics of Electronic and Atomic Collisions, Abstract, 2,   1999年
  • Emission Cross Section for CH+ Produced by Electron Impact of CH4, Kenji Motohashi and Seiji Tsurubuchi, International Symposium on Electron-Molecule Collisions and swarms -Program and Abstracts-,   1999年
  • Emission cross section for hydrogen Lyman-α and-β produced in H-+Rg(He, Ne, Ar and Kr)collisions., Atomic Collision Research in Japan, 24,   1998年
  • Emission cross sections for hydroden Lyman-α and-β produced in He+/Ar++H2 collisions., Atomic Collision Research in Japan, 24,   1998年
  • 多価イオンの可視分光学的研究:チタン様等電子系列における基底微細構造準位の特異な振舞い, 山田千樫、加藤太治、深見常恒、生田 功、渡部裕文、岡崎清比古、鶴淵誠二、本橋健次、大谷俊介, 原子衝突研究協会・第23回研究会講演概要集,   1998年
  • H-と希ガス原子の衝突によるH-の電子脱離励起, 本橋健次、青木健、山口直哉、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会 第23回研究会講演概要集,   1998年
  • He+, Ar+衝突によるH2分子の解離励起, 山口直哉、青木健、本橋健次、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会 第23回研究会講演概要集,   1998年
  • Ar+衝突によるAl表面のスパッタリング過程 -スパッタ粒子の平均速度-, 和田雷太、二村智昭、本橋健次、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会 第23回研究会講演概要集,   1998年
  • Emission Cross Sections for the Fragment Species in He++CH4 Collision, K. Motohashi and S. Tsurubuchi, 20th International Conference on The Physics of Electronic and Atomic Collisions -Abstracts of Contributed Papers-, 1,   1997年
  • Recent Progress of the Tokyo-Electron Beam Ion Trap, Atomic Collision Research In Japan, 23,   1997年
  • Emission Cross Sections for Fragment Species Produced in He+H2 and in He+CH4, Atomic Collision Research in Japan, 23,   1997年
  • Electron-Impact Emission Cross sections for the Resonance Lines of Ne, Atomic Colission Research In Japan, 23,   1997年
  • The Tokyo Electron-Beam Ion Trap Experimental Program, S. Ohtani, J. Asada, T. Fukami, H. Hirayama, K. Motohashi, N. Nakamura, E. Nojikawa, K. Okazaki, H. Shiraishi, M. Sakurai, N. Tada, S. Tsurubuchi and H. Watanabe, 20th International Conference on the Physics of Electronic and Atomic Collisions -Abstracts of Contributed Papers-, 2,   1997年
  • He+衝突によるH2およびCH4の解離過程(発光断面積の測定), 本橋健次、佐藤友則、青木 健、山口直哉、鶴淵誠二, 原子衝突研究協会第22回研究会 -講演概要集-,   1997年
  • Mean velocity of sputtered Al atoms from Al and Al2O3 surfaces by Ar+ bombardment, Atomic Collision Research in Japan, 22,   1996年
  • Emission cross sections for hydrogen and helium atoms produced by He++CH4 collision, Atomic Collision Research in Japan, 22,   1996年
  • Emission cross sections for hydrogen Lyman α produced from He++CH4, 21,   1995年
  • Electron-impact emission cross sections of the resonance line of Ar(共著), 19th International Conference on the Physics of Electronic and Atomic Collisions, Abstract, 1,   1995年
  • Emission cross sections for fragment species in dissociative excitation of CH4 by electron impact(共著), 19th International Conference on the Physics of Electronic and Atomic Collisions, Abstract, 1,   1995年
  • DOPPLER LINE PROFILE OF SPUTTERED Al ATOMS FROM Al AND Al2O3 SURFACES(共著), ATOMIC COLLISION RESEARCH IN JAPAN, 20,   1994年
  • EMISSION CROSS SECTIONS FOR EXCITED FRAGMENTS PRODUCED BY ELECTRON IMPACT OF CH4, ATOMIC COLLISION RESEARCH IN JAPAN, 20,   1994年
  • Emission cross sections for the 5P→4S transition of Ar by electron impact (共著), Atomic Collision Research in Japan Progress Report, 19,   1993年
  • Rotational and vibrational temperatures of excited CH radical by electron impact on CH4, Atomic Collision Research in Japan Progress Report, 19,   1993年

書籍等出版物

  • 物理学実験
    金長正彦,古賀潤一郎,柴田絢也,田代徹,本橋健次,本山美穂,物部秀二,吉本智己
    共著はしがき,第II部・実験14「回折格子の格子定数とスペクトル線の波長の測定」,第II部・実験15「プランク定数の測定」を執筆学術図書出版社  2011年09月本書は東洋大学理工学部共通科目「物理学実験」の教科書である.「はしがき」では本書の目的や意義,テキストとしての使用法について述べた.「実験14 回折格子の光子定数とスペクトル線の波長の測定」では,水銀ランプによる分光器の波長較正とカドミウムランプによる可視スペクトルの波長測定実験の方法を述べた.「実験15 プランク定数の測定」では,光電効果における入射光の振動数と光電子電流測定の結果からプランク定数を測定する方法を解説した.
  • プラズマ原子分子過程ハンドブック
    浜口智志,小池文博,見附孝一郎,小林かおり,加藤太治,田中 大,今井 誠,日下部俊男,本橋健次,村上 泉,砂原 淳,大西直文,藤原 均,石田 学,仲野友英,居田克巳,畑山明聖,佐々木 明,康 松潤,Jen-Shin Chang
    共著「第8章 イオン分子衝突」を日下部俊男氏と共同執筆し,主に8.2節「解離を伴なうイオン分子衝突」を中心に執筆大阪大学出版会  2011年03月本書は東洋大学理工学部共通科目「物理学実験」の教科書である.「はしがき」では本書の目的や意義,テキストとしての使用法について述べた.「実験14 回折格子の光子定数とスペクトル線の波長の測定」では,水銀ランプによる分光器の波長較正とカドミウムランプによる可視スペクトルの波長測定実験の方法を述べた.「実験15 プランク定数の測定」では,光電効果における入射光の振動数と光電子電流測定の結果からプランク定数を測定する方法を解説した.
  • CORRELATIONS, POLARIZATION, AND IONIZATION IN ATOMIC SYSTEMS
    本橋 健次、D.H. Madison and M. Schulz・S. Tsurubuchi
    共著p. 291-296を執筆American Institute of Physics  2002年10月本書はInternational Symposium on (e, 2e), Double Photoionization and Related Topics and the eleventh International Symposium on Polarization and Correlation in Electronic and Atomic Collisionsの講演者による最新の研究動向をまとめたものである.本人は多価イオンと分子の低エネルギー衝突による解離過程の研究を紹介した.
  • Proceedings of the 8th International Conference on Ion Source
    本橋 健次
    共著p. 890-892を執筆American Institute of Physics本書は8th International Conference on Ion Sourceの講演者による最新の動向をまとめ会議録である.本人は永久磁石を用いた超小型の電子衝撃型多価イオン源の設計・開発・評価実験結果を述べた.

講演・口頭発表等

  • Spectroscopic studies on atomic excited state formation in sputtering induced by ion-beam bombardment on tungsten surfaces, D. Kato, H.A. Sakaue, Y. Sakai, T. Kenmotsu, K. Furuya, M. Sakamoto and K. Motohashi, 16th International Conference on Plasma-Facing Materials and Components for Fusion Applications,   2017年05月16日, Institute of Energy and Climate Research, Excited state formations in sputtered tungsten atoms by 35-60 keV Kr+ ion-beam bombardment on polycrystalline tungsten are investigated based on emission lines of the atoms in excited states above the surface. Mean velocities of the excited atoms outgoing along the surface normal are deduced from exponents of decay curves of sputtered W I line intensities in the optical range. The deduced mean normal velocities are almost constant over the incident Kr+ ion energies used in the present experiments. However, emission lines associated with different excited states give different mean velocities. This is interpreted by electronic inelastic processes that involve resonant charge exchange between excited W atoms and surfaces.
  • フェロセンで覆われたイオン流路にC60イオンを入射した際の出射粒子の質量分析, 立川知樹,内田貴司,本橋健次, 第64回応用物理学会春季学術講演会,   2017年03月16日, 公益社団法人 応用物理学会, 内壁をフェロセンで覆われたイオン流路にフラーレンイオンを入射した際,多重散乱により鉄原子が内包されるかどうかを検証した。その結果,イオン流路を入射ビーム軸に対して傾けることにより,出射粒子の質量が720uから760u程度に増加した。さらに,出射粒子を堆積したシリコン基板表面に対する誘導結合プラズマ質量分析の結果,鉄原子の存在を確認できた。
  • 一対の光学レンズの隙間に入射した低速多価イオンビームの透過特性, 石井 州,真瀬 透仁,本橋 健次, 第64回応用物理学会春季学術講演会,   2017年03月15日, 公益社団法人 応用物理学会, パルス化されたAr3+(7.5keV)イオンビームを、一対の凹凸円筒面レンズを対向した円筒面チャネル、または一対のアルミ製光学ミラーを楔状に対向した平板楔型チャネルの入射口から入射させた。散乱後にチャネルの出口を通過した粒子の速さと散乱方向を測定した。円筒面チャネルではチルト角の変化による透過粒子の偏向を確認した。更に,その速はチルト角を変えてもほとんど変化しないことが確認された。
  • 皮膚がんおよび食道がん細胞への大気圧ヘリウムプラズマ照射の影響, 上野祐輔,平澤耕一郎,加藤和則,本橋健次, 第64回応用物理学会春季学術講演会,   2017年03月14日, 公益社団法人応用物理学会, がん細胞へのプラズマ照射によるアポトーシス誘導を詳しく調べるため、大気圧プラズマ照射前後の細胞観察に加えて、照射中の反応を光学的・電気的・化学的に定量測定した。ヘリウム大気圧プラズマを照射中の発光分光スペクトルから,ヘリウムの他、酸素原子や窒素分子などの励起種が観測された。光学顕微鏡観察の結果,皮膚がん細胞へのプラズマ照射により細胞死が促進された。
  • ガラス円筒面間チャネルでガイドされた4 MeV-Cq+イオン(q = 1, 4)のエネルギー分布, 本橋健次,齋藤勇一,宮脇信正,鳴海一雅, 第1回QST高崎研シンポジウム,   2017年01月26日, 量子科学技術研究開発機構高崎量子応用研究所, ガラス円筒面間チャネルによるヘリウムより重い高速イオンのガイド効果が確認され、偏向はせずに集束のみが発現したと考えられる。
  • 一対の光学レンズの隙間に入射した低速多価イオンビームの透過特性, 本橋 健次, 原子衝突学会第41回年会,   2016年12月11日, 原子衝突学会, Ar3+(7.5keV)のイオンビームを、一対の凹凸円筒面レンズを対向した円筒面チャネル、または一対のアルミ製光学ミラーを楔状に対向した平板楔型チャネルの入射口から入射させ、チャネル内を多重散乱した後の価数、エネルギー、散乱方向を測定した。その結果,チャネルをチルトさせることにより,エネルギー損失せずにビームが曲げられるガイド効果が発現することが分かった。
  • 生細胞照射中の大気圧プラズマ反応分析装置の開発と予備実験結果, 上野祐輔,平澤耕一郎,本橋健次, 原子衝突学会第41回年会,   2016年12月11日, 原子衝突学会, 大気圧プラズマ照射されたがん細胞のアポトーシス誘導にどのように関与するか調べるため、大気圧プラズマ照射中の反応を光学的・電気的・化学的に定量測定ための装置を開発し,気液界面の発光分光スペクトル,pH,電気伝導率,温度の測定を行った。大気圧ヘリウムプラズマ照射により,N2,He,Oの励起腫が界面に生成され,pHと電気伝導率はわずかに上昇したが,温度はほぼ一定であった。
  • 表面-イオン照射における発光線の空間分布及び偏光度測定, 坂上裕之,加藤太治,村上泉,峯田翔太,李冠億,酒井康弘,古屋謙治,剣持貴弘,本橋健次, 原子衝突学会第41回年会,   2016年12月10日, 原子衝突学会, タングステン表面に35keVの陽子を垂直に入射した際の反跳水素原子からのバルマー発光線を観測し,その発光強度と偏光度の空間分布を測定した。その結果,両物理量共に反射粒子方向に配向していることが分かった。
  • フェロセン終端チオール自己組織化単分子膜表面でのC60イオン散乱, 本橋 健次,立川 知樹,内田 貴司, 原子衝突学会第41回年会,   2016年12月10日, 原子衝突学会, 4.8keVのC602+パルスイオンビームをくさび型チャネルに入射し,散乱後に出射した粒子の飛行時間と偏向電場による変位を測定することにより,その質量と価数を選別した。くさび型チャネルを2度傾けることにより,質量分布のピークが40uほど右にシフトし,C60分子(720u)からFeC60分子(776u)の質量に近づいている様子が観測された。
  • Mas spectroscopy of fullerene ions scattered on glass surfaces covered with ferrocene molecules, 本橋健次,立川知樹,内田貴司, The 14th International Symposium on Bioscience and Nanotechnology,   2016年11月24日, Bio-Nano Electronics Research Center, We conducted mass spectroscopy of molecules scattered on solid surfaces covered with ferrocene molecules in the presence of energetic C60 fullerene ions to investigate their encapsulation process. It is expected that Fe@C60 molecular ions exit a curved or tapered glass channel covered with ferrocene-terminated thiol self-assembled monolayer surfaces (SAMs) via multiple glancing collisions of C60 ions. We successfully measured the charge-state-specific mass spectra of exit ions using cylindrical glass and planar wedge channels. In the case of a planar wedge channel tilted 2° with respect to the C60-ion-beam axis, intensity enhancement and reduction were observed at masses around 776 u and below 720 u, respectively. Therefore, it is considered that particles with their mass around 776 u contain FeC60 molecules.
  • 原子が拓く未来の医療 -量子の特性を活かした医療の発展-, 本橋健次, 動画で見るWeb体験授業,   2016年11月15日, 招待有り, 東洋大学, 重粒子線がん治療は痛みを伴わないがん治療として注目されている。本講義では,重粒子線を含む量子とはどんな粒子なのか,その性質はどんなものかを分かり易く解説すると共に,どうして重粒子線が体内深部に存在するがん細胞だけを選択的に死滅させることができるのかを解説した。さらに,今後の医療分野への発展の可能性を考える。
  • 大気圧プラズマ反応分析装置の開発とがん細胞への照射影響の研究, 上野祐輔,有山直樹,平澤耕一郎,三舟しおり,本橋健次, 理工学フォーラム,   2016年10月15日, 東洋大学, 真空が不要な大気圧プラズマ発生法は,簡単に生物や人体へのプラズマ照射を可能とする新しいプラズマ源として注目されている。近年,がん細胞のアポトーシス(正常なプログラム死)を誘導するとの論文発表により,この分野の研究が急速に加速している。また,食品保存や植物の品種改良・成長促進など,医療以外の分野への応用研究も盛んになりつつある。しかし,大気中でのプラズマ照射は固体・液体・気体・プラズマの四相が関与する極めて複雑な反応を伴うため,その理解は遅れている。本研究では,大気圧プラズマ照射中の反応を光学的・電気的・化学的に定量測定し,細胞・食品等への影響を調べることを目的としている。
  • ガラス表面を利用した低速多価イオンビームの価数・軌道制御, 石井 州,真瀬透仁,本橋健次, 理工学フォーラム2016,   2016年10月15日, 東洋大学, 炭素の多価イオンを用いる重粒子線がん治療は,痛みや副作用を伴わずにがん細胞を死滅させることができるため,極めて有効ながん治療法である。しかし,加速器を含む装置は大掛かりであるため,普及には装置の小型化が不可欠である。加速器の小型化には様々な技術開発が必要であるが,中でも電磁石を用いないイオンビームの偏向技術の開発が望まれている。本研究では,次世代の重粒子線として期待されるネオンやアルゴンの多価イオンビームを電磁石を用いず,ガラス表面での帯電現象を利用して偏向することを目的としている。
  • フェロセン終端チオール自己組織化単分子膜表面での4.8-keV C60イオンの散乱過程II, 本橋 健次, 日本物理学会2016年秋季大会,   2016年09月14日, 一般社団法人 日本物理学会, 4.8keVのC602+パルスイオンビームをくさび型チャネルの隙間に入射し、散乱後に出射した粒子の飛行時間と偏向電場による変位を測定することにより、その質量を測定した。その結果,チャネルを入射イオンビーム軸に対して2度傾けることにより,質量分布のピーク位置が720uから735uにシフトした。このことから,鉄原子を結合したフラーレン分子複合体が生成されたと考えられる。
  • 大気圧プラズマ反応分析装置の開発と細胞・植物・食品への照射影響の研究, 上野祐輔,有山直樹,平澤耕一郎,三舟しおり,本橋健次,   2016年07月30日, 東洋大学川越・朝霞・板倉キャンパス研究交流会, 大気圧プラズマを生細胞,植物,食品に照射した際の反応の分析装置の開発とその予備実験結果について報告した。
  • ガラス表面を利用した低速多価イオンビームの価数・軌道制御, 石井 州,真瀬透仁,本橋健次, 第8回東洋大学川越・朝霞・板倉キャンパス研究交流会,   2016年07月30日, 東洋大学, 一対の円筒面間チャネルに低速多価イオンビームを入射した際の透過イオンの価数,エネルギーを測定し,ガイド効果の有無を検証した。
  • フェロセン終端チオール自己組織化単分子膜表面でのフラーレンイオン散乱, 立川知樹,山本翼,内田貴司,本橋健次, 第8回東洋大学川越・朝霞・板倉キャンパス交流会,   2016年07月30日, 東洋大学, フェロセン分子終端チオール自己組織化単分子膜で被覆された一対の円筒面間チャネルにフラーレンイオンビームを入射したときの,透過イオンの質量電荷比を測定した。
  • タングステン金属表面へのプロトン照射によるHα線偏光度空間分布測定Ⅱ, 坂上裕之,加藤太治,村上泉,峯田翔太,李冠億,酒井康弘,古屋謙治,剣持貴弘,本橋健次, 日本物理学会第71回年次大会,   2016年03月21日, 日本物理学会, タングステン多結晶表面に35keVの陽子ビームを入射したときの後方散乱水素原子によるHα線を観測し、その偏光度の空間分布を測定した結果、後方散乱方向にわずかな変更を確認した。
  • フェロセン終端チオール自己組織化単分子膜表面での4.8-keV C60イオンの散乱過程, 立川 知樹,内田 貴司,本橋 健次, 日本物理学会第71回年次大会,   2016年03月19日, 日本物理学会, フェロセンで終端されたドデカンチオール自己組織化単分子膜を吸着させたガラス円筒面チャネルに2価のC60フラーレンイオンを入射したときの散乱・透過イオンの質量電荷比を測定した結果、1価のFeC60分子イオンを含む質量領域に強いスペクトルが観測された。
  • 種子及び細胞への大気圧プラズマ照射とその影響, 上野祐輔,寸田大輝,本橋 健次, 東洋大学理工学フォーラム,   2015年11月28日, 東洋大学理工学部, はつか大根種子及び大腸がん細胞への大気圧プラズマ照射とその影響
  • 多価イオン衝突による原子内包フラーレン生成の試み, 石井 州,種村翔吾,立川知樹,本橋健次, 東洋大学理工学フォーラム,   2015年11月28日, 東洋大学, 固体表面―多価イオン衝突による原子内包フラーレン生成と単離の試み
  • 円筒ガラス凹凸レンズの面間チャネルに入射した4MeV-Cq+イオン(q=1,4)のビームガイド効果, 本橋健次,齋藤勇一,宮脇信正,的場史朗,鳴海一雅(本人の担当部分:共同研究のため抽出付加,本人の役割:実験準備,データ取得・解析), 第10回高崎量子応用研究シンポジウム,   2015年10月08日, 日本原子力研究開発機構 高崎量子応用研究所, 標記の高速炭素イオンビームを1.2mmの間隔を挟んで対向したガラス円筒凸面と凹面の面間チャネルに入射した際の透過粒子のエネルギーをチルト角と散乱角の関数として測定した.その結果,開口率0%のチルト角においても10%程度の粒子がエネルギー損失なくガイドされて透過することが分かった.
  • 自己組織化単分子膜表面での4.8-keV C602+イオン散乱による鉄原子内包の試み, 立川 知樹,内田 貴司,本橋 健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出付加,本人の役割:実験準備,データ取得・解析), 原子衝突学会第40回年会,   2015年09月28日, 原子衝突学会, ガラス円筒凸面と凹面にフェロセン化チオール自己組織化単分子膜を製膜し,これらを1.2mmの間隔をおいて対向した円筒面間チャネルに4.8-keV C60q+(q=2,3)イオンを入射した際の,透過イオンの質量電荷比を測定した.その結果,鉄原子を含む可能性のあるイオンの透過が確認された.
  • 対向するガラス円筒凸面と凹面の隙間に入射した4.8-keV C60q+(q=2,3)イオンの透過特性, 本橋 健次,立川 知樹(本人の担当部分:共同研究のため抽出付加,本人の役割:実験準備,データ取得・解析), 原子衝突学会第40回年会,   2015年09月28日, 原子衝突学会, 1.2mmの間隔をおいて対向するガラス円筒凸面と凹面の隙間に4.8-keV C60q+(q=2,3)イオンを入射した際の,透過イオンの質量電荷比を測定した.その結果,大半の粒子が非解離の弾性的散乱により透過することが分かった.
  • タングステン金属表面へのプロトン照射による反射水素Hα線強度及び偏光度の空間分布測定, 坂上裕之,加藤太治,村上泉,峯田翔太,李冠億,酒井康弘,古屋謙治,剣持貴弘,佐々木康二,宮本貴裕,櫻井誠,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出付加,本人の役割:実験準備,データ取得・解析), 日本物理学会2015年秋季大会,   2015年09月17日, 日本物理学会, 30-60keVの陽子ビームを多結晶タングステン表面に入射した際の電荷交換反射水素原子のバルマーα線を観測し,その偏光度の空間分布を測定した.その結果,偏光度が位置に依存して大きく変化することが分かった.
  • 4.8keV- C60q+(q=2,3)イオンのガラス円筒面間チャネル透過, 本橋 健次,立川 知樹(本人の担当部分:共同研究のため抽出付加,本人の役割:実験準備,データ取得・解析), 日本物理学会2015年秋季大会,   2015年09月16日, 日本物理学会, 円筒面間チャネルに入射した標記イオンビームの透過特性を,透過率,質量電荷比のチルト角依存性の測定により評価した.その結果,大半が非解離の弾性的散乱により透過することが分かった.
  • 大気圧ヘリウムプラズマ装置の開発と種子への照射の影響, 寸田大輝,上野祐輔,本橋 健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出付加,本人の役割:実験準備,データ取得・解析), 第7回東洋大学板倉・川越キャンパス研究交流会,   2015年07月25日
  • 固体表面散乱によるC60フラーレン分子への希ガス原子内包過程, 種村翔吾,石井 州,本橋 健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出付加,本人の役割:実験準備,データ取得・解析), 第7回東洋大学板倉・川越キャンパス研究交流会,   2015年07月25日
  • 自己組織化単分子膜表面でのC60フラーレンイオン散乱による鉄原子内包過程, 立川知樹,内田貴司,本橋 健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出付加,本人の役割:実験準備,データ取得・解析), 第7回東洋大学板倉・川越キャンパス研究交流会,   2015年07月25日
  • 医工学分野に展開するイオンビーム・プラズマ応用技術, 本橋 健次, 第7回東洋大学板倉・川越キャンパス研究交流会,   2015年07月25日
  • プロトンのタングステン金属表面照射による反射水素Hα線の偏光度空間分布測定, 坂上裕之,加藤太治,村上 泉,峯田翔太,酒井康弘,古屋謙次,剣持貴弘,佐々木康二, 宮本貴裕,櫻井 誠,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得), Plasma Conference 2014(朱鷺メッセ・オンライン予稿集,一般ポスター講演),   2014年11月18日, 30-60keVの陽子を多結晶タングステン表面に入射した際の電荷交換反射励起水素原子からのバルマー発光線を観測し,偏光度を測定した.
  • LHDにおける壁からコアでの高Z不純物の原子過程と輸送の分光モデル, 村上泉,加藤太治,鈴木千尋,坂上裕之,舟場久芳,野上啓祐,剣持貴弘,酒井康弘,古屋謙治,本橋健次,後藤基志,田村直樹,須藤滋,森田繁,LHD実験グループ(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:クリプトン,アルゴン,陽子ビーム入射タングステン表面での発光分光実験データ取得), Plasma Conference 2014(朱鷺メッセ・オンライン予稿集,シンポジウム講演),   2014年11月18日, タングステン多結晶表面へ30-60keVの陽子ビーム,アルゴンイオンビーム,クリプトンイオンビームを照射した際のスパッタ励起原子と後方散乱励起原子の発光を観測し,それらの平均速度を測定した.
  • Light emission from sputtered or backscattered atoms on tungsten surfaces by ion bombardment, 酒井康弘,加藤太治,剣持貴弘,野上慶祐,古屋謙治,峰田翔太,村上 泉,本橋健次,坂上裕之(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可能,本人の役割:実験準備,測定データ取得), 24th International Toki Conference (ITC-24) on Expanding Horizons of Plasma and Fusion Science through Cross-Fertilization (セラトピア土岐・Program),   2014年11月05日, タングステン多結晶表面へ30-60keVのアルゴンイオンを照射した際のスパッタ励起原子と後方散乱励起原子の発光を観測し,それらの平均速度を測定した.
  • 円筒ガラス凹凸レンズの面間チャネルに入射した4MeV-C4+イオンの透過特性, 本橋健次(責),斎藤勇一,宮脇信正,的場史朗,鈴木優紀(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 第9回高崎量子応用研究シンポジウム(高崎シティーギャラリー・要旨集),   2014年10月01日, 凹凸ガラス円筒光学レンズ(BK7)を1.2 mmの間隔をあけて対向した円筒面チャネルに,直径1 mmの4MeV-C4+イオンを入射したときのイオン透過率とエネルギーを測定した結果を発表した.
  • ガラス円筒凸レンズと凹レンズの狭ギャップに入射したC4+(4MeV)イオンの透過特性, 本橋健次(責),斎藤勇一,宮脇信正,的場史朗,鈴木優紀(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 日本物理学会2014年秋季大会(中部大学春日井キャンパス・講演概要集第69巻第2号第2分冊),   2014年09月01日, 円筒ガラス凸レンズと凹レンズを1.2mmのナローギャップを挟んで対向した面間チャネルに4MeV炭素イオンビーム(1価イオンと4価イオン)を入射した場合の透過率をチルト角の関数として測定した.-3〜+3.4°のチルト角に渡って30%以上の透過率が観測され,エネルギー損失もほとんどないことが分かった.
  • 4-MeV C4+イオンのガラス曲面間チャネル透過, 本橋健次(責),斎藤勇一,宮脇信正,的場史朗,鈴木優紀(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 第61回応用物理学会春季学術講演会(青山学院大学相模原キャンパス・予稿集),   2014年03月17日, 円筒ガラス凸レンズと凹レンズを1.2mmのナローギャップを挟んで対向した面間チャネルに4MeV炭素イオンビームを入射した場合の透過率をチルト角の関数として測定した結果を発表した.
  • 円筒ガラス凹凸レンズの面間チャネルに入射した4MeV炭素イオンの透過特性, 本橋健次(責),鈴木優紀,齋藤勇一,宮脇信正,的場史朗 ,神谷富裕(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 第8回高崎量子応用研究シンポジウム(高崎シティーギャラリー・要旨集),   2013年10月10日, 円筒ガラス凸レンズと凹レンズを1.2mmのナローギャップを挟んで対向した面間チャネルに4MeV炭素1価イオンビームを入射した場合の透過率をチルト角の関数として測定した.-3〜+3.4°のチルト角に渡って90%以上の透過率が観測され,エネルギー損失もないことが分かった.
  • イオンビーム照射によりタングステン表面から後方散乱する励起原子の発光分光, 酒井康弘,加賀暁子,加藤太治,剣持貴弘,坂上裕之,古屋謙治,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得), 日本物理学会2013年秋季大会(徳島大学常三島キャンパス・講演概要集第68巻第2号第2分冊),   2013年09月27日, 低エネルギー陽子をタングステン表面に垂直入射した際の反射水素原子からのバルマー発光を観測し,その偏光度を測定した結果を発表した.
  • 多価イオン-固体衝突における原子過程とその分析法の開発, 第20回原子衝突セミナー(首都大学東京南大沢キャンパス・テキスト),   2013年03月30日, 低速多価イオンを固体表面に照射した際のイオン散乱とスパッタリングの原子過程について概観し,両者の相関を調べるために独自に開発した反射イオンスパッタイオン同時計測法の開発について述べた.
  • イオンビーム照射によりタングステン表面からスパッタリングあるいは後方散乱される励起原子の発光分光, 野上慶祐,加藤太治,剣持貴弘,酒井康弘,坂上裕之,古屋謙治,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会第68回年次大会(広島大学東広島キャンパス・講演概要集第68巻第1号第2分冊),   2013年03月29日, タングステン多結晶表面へ30-60keVの水素,アルゴン,クリプトンイオンを照射した際のスパッタ励起原子と後方散乱励起原子の発光を観測し,それらの平均速度を測定した.
  • 低速Ar8+イオンのZnO表面散乱における面極性依存性, 本橋健次(責),池田時浩,小島隆夫(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 日本物理学会第68回年次大会(広島大学東広島キャンパス・講演概要集第68巻第1号第2分冊),   2013年03月26日, 80keVのアルゴン8価イオンを有極性ZnO単結晶のZn面とO面に入射した場合の散乱イオン強度を散乱角の関数として測定した.その結果,どちらの面でも鏡面反射角で散乱強度が最大に達し,その最大値はZn面よりO面の方が1.5〜2倍程度大きいことが分かった.
  • Low Energy Ar8+ Scattering on ZnO (0001) and (000-1) Surfaces, K. MOTOHASHI(責), T. IKEDA, T. M. KOJIMA, T. KOYAMA, and Y. SUZUKI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 25th International Conference on Atomic Collisions in Solids (京都大学吉田キャンパス・Book of Abstracts),   2012年10月24日, 32keVのアルゴン8価イオンを有極性ZnO単結晶の(0001)面と(000-1)面に入射した際の散乱イオン強度を散乱角の関数として複数の入射角で測定した.その結果,全ての入射角においてどちらの面でも鏡面反射角で散乱強度が最大に達し,その最大値は(0001)面より(000-1)面の方が大きいことが分かった.
  • Ion Scattering on Polarity-controlled ZnO Surfaces by MeV ions, K. MOTOHASHI(責), Y. SAITOH, and N. MIYAWAKI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 25th International Conference on Atomic Collisions in Solids (京都大学吉田キャンパス・Book of Abstracts),   2012年10月23日, 2MeVの高速炭素イオンを有極性ZnO単結晶のZn面とO面に入射した際の散乱強度を散乱角の関数として測定した.その結果,散乱強度はO面よりZn面の方が5倍近く大きく,そのエネルギー分布も大きく異なることが分かった.
  • 有極性ZnO表面での1-2MeV炭素イオン散乱分析, 本橋健次(責),齋藤勇一,宮脇信正,神谷富裕(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 第7回高崎量子応用研究シンポジウム(高崎シティーギャラリー・要旨集),   2012年10月12日, 1-2MeVの炭素イオンビームを有極性ZnO単結晶のZn面とO面に入射した際の散乱イオン強度を測定した結果,Zn面の強度がO面の強度に比べて2-5倍程度大きいことが分かった.
  • ガラス円筒面上でのMeVイオン散乱, 本橋健次(責),齋藤勇一,宮脇信正(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会(愛媛大学,松山大学・予稿集),   2012年09月12日, 凹面と凸面を1.2mmの隙間を挟んで対向した円筒面レンズを,ビーム軸に対して回転させ,その隙間に1〜4MeVの炭素イオンを照射した.透過イオンの強度と回転角の関係を測定したところ,レーザービームに比べて広角度に高い透過強度が確認された.
  • アルゴンイオンビーム照射タングステン表面上におけるスパッタリング粒子の発光分光, 野上慶祐, 加藤太治, 剣持貴弘, 酒井康弘,坂上裕之, 古屋謙治, 本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 原子衝突学会第37回年会(電気通信大学・講演概要集),   2012年08月28日, 国際熱核融合実験炉(ITER)の炉壁材料であるタングステンのプラズマ損耗を評価するため,アルゴンイオン照射によるスパッタリング粒子の発光分光を行った結果について報告した.
  • Light emission from sputtered or backscattered atoms on tungsten surfaces, Y. SAKAI, D. KATO, T. KENMOTSU, H. A. SAKAUE, K. NOGAMI, K. FURUYA, and K. MOTOHASHI(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), The 4th China-Japan Joint Seminar on Atomic and Molecular Processes in Plasma (AMPP2012) (Lanzhou, China, Book of Abstracts),   2012年08月01日, タングステンのプラズマ損耗に関する基礎データを蓄積するため,イオン照射によるスパッタリングを発光分光法により調べた結果について報告した.
  • ガラス円筒面上でのMeVイオン散乱, 本橋健次(責),齋藤勇一,宮脇信正(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 原子衝突学会第37回年会(電気通信大学・講演概要集),   2012年07月28日, 凹面と凸面の一対のガラス円筒面レンズを対向させた1.2mmの隙間に,4MeVの炭素1価イオンを透過させたときの,ビーム軸に対する回転角と透過イオン強度の関係を測定した.
  • イオン照射タングステン表面上でのスパッタリング粒子の発光分光II, 野上慶祐,加藤太治,剣持貴弘,酒井康弘,坂上裕之,古屋謙治,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会(関西学院大学西宮上ヶ原キャンパス・講演概要集第67巻第1号第2分冊),   2012年03月25日, アルゴンイオン衝突によるタングステン表面のスパッタ励起原子の発光スペクトルを観測し,その平均速度を求めた.
  • ZnO及びGaN表面でのMeV炭素イオン散乱, 本橋健次(責),齊藤勇一,宮脇信正(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 第59回応用物理学関係連合講演会(早稲田大学早稲田キャンパス・講演概要集),   2012年03月18日, 1MeVと2MeVの高速炭素イオンをZnO及びGaNの有極性表面に対し2度で入射した際の3度と4度での散乱イオン強度を測定した結果,それぞれの表面の極性の違いにより散乱強度と散乱エネルギー分布が異なることが分かった.
  • ZnO及びGaN表面でのMeVイオン散乱, 本橋健次(責),齋藤勇一,宮脇信正(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 工業技術研究所平成23年度研究発表会(東洋大学工業技術研究所・論文集),   2012年02月22日, ZnO及びGaNの有極性表面上での炭素イオンのMeV領域での散乱実験を行った結果,それぞれの表面の極性の違いによる散乱強度と散乱エネルギー分布が明らかになった.
  • 放射線とは何か?, 川越環境保全連絡協議会講演会(川越市民会館),   2011年12月16日, しばしば混同されがちな放射線と放射能の違いを分かりやすく解説すると共に,身近に存在する自然放射線について解説することにより,東日本大震災の原発事故で大きな課題となった放射線問題を易しく解説した.
  • Optical emission spectroscopy of sputtering atoms on tungsten surfaces under ion irradiation, K. MOTOHASHI(責), D. KATO, T. KENMOTSU, Y. SAKAI, H. A. SAKAUE, K. NOGAMI, and K. FURUYA(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), Plasma Conference 2011 (金沢市文化ホール・Proc. of Plasma Conference),   2011年11月22日, クリプトンイオン照射によりタングステン表面からスパッタされた励起タングステン原子の発光分光を行い,表面に対して法線方向の速度の平均値を入射イオンビームエネルギーの関数として測定した.その結果,平均速度は入射イオンエネルギーにほとんど依存しないことが分かった.
  • Quantum beam(量子ビーム)でからだを診る・治す, 東洋大学東日本震災復興問題対策チームプロジェクト・高校生と共に楽しむ最先端の学問(東洋大学白山キャンパス),   2011年11月08日, 近年,医療分野に導入され始めた量子ビームによる診察・治療の原理や方法をわかりやすく解説した.
  • 放射線とは何か?放射線とその測定原理, 中央区民カレッジ・まなびの講座(きほんの講座)?−5「緊急企画・東日本大震災を考える(第3回)」(築地社会教育会館・講座案内),   2011年10月18日, 放射線とは何か,放射能との違いは何かを易しく解説した.また,もっとも簡単な放射線測定装置である「霧箱」を用いた空気中のラドン原子の観察実験を行い,身近に存在する自然放射線の存在を体験する実演を行った.
  • 電子線照射たんぱく質表面からの脱離粒子に対する発光分光, 本橋健次(責),青柳里果(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割,装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会2011年秋季大会(富山大学五福キャンパス・講演概要集第66巻第2号第2分冊),   2011年09月22日, ITO基板に配向・固定化したリゾチームに対する電子線照射による解離原子の発光分光を行い,解離過程を考察した.
  • タングステン表面上でのスパッタ原子の発光分光, 本橋健次(責),加藤太治,剣持貴弘,酒井康弘,坂上裕之,野上慶祐,古屋謙治(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 第72回応用物理学会学術講演会(山形大学小白川キャンパス・講演予稿集),   2011年08月30日, 33keVの低速クリプトンイオンを照射した際のタングステン表面からスパッタされた励起原子の発光分光を行い,表面に対して法線方向の速度の平均値を求めた.
  • 電子線照射中の固定化たんぱく質表面上での発光分光, 本橋健次(責),青柳里果(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割,装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 原子衝突研究協会第36回年会(新潟大学・講演概要集),   2011年08月17日, 配向リゾチーム表面に対する電子線照射による解離原子の発光分光を行い,解離種を同定した.
  • イオン照射タングステン表面上でのスパッタ原子の発光分光, 本橋健次(責),加藤太治,剣持貴弘,酒井康弘,坂上裕之,野上慶祐,古屋謙治(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 原子衝突研究協会第36回年会(新潟大学・講演概要集),   2011年08月17日, 30〜60keVのクリプトンイオンを照射した際にタングステン表面からスパッタされた励起タングステン原子の発光分光を行い,表面に対して法線方向の速度の平均値を求めた.
  • シンチレーション検出器による川越キャンパスの空間放射線量調査, 本橋健次(責),安藤直子,山崎享子(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:測定データの取得,データのWeb公開,発表), 東洋大学理工学部・生命科学部研究者交流会(東洋大学川越キャンパス),   2011年07月16日, 2011年3月に発生した東日本大震災での原発事故による川越キャンパスへの影響を調べるため,シンチレーション放射線検出器を用いた測定結果をWeb公開すると共に学内発表した.
  • 電子線照射下での固定化たんぱく質表面の発光分光分析, 本橋健次(責),青柳里果(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割,装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 東洋大学理工学部・生命科学部研究者交流会(東洋大学川越キャンパス),   2011年07月16日, タンパク質リゾチーム表面に対する電子線照射による解離原子の発光分光を行い,水分子からの水素原子発光スペクトルを観測した.
  • Light emission from sputtered atom on tungsten surface irradiated by Kr+ ions, K. NOGAMI, K. FURUYA, D. KATO, T. KENMOTSU, K. MOTOHASHI, Y. SAKAI, and H. SAKAUE(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), The International Symposium on SIMS and Related Techniques Based on Ion-Solid Interactions at Seikei University (SISS-13) (成蹊大学・Program),   2011年06月23日, 低エネルギークリプトンイオンを照射した際にタングステン表面からスパッタされた励起原子の発光分光を行い,スパッタリング過程を考察した.
  • 放射線とは何か ―放射線とその測定原理”, 東洋大学三夜連続緊急シンポジウム ?「福島原発による放射線問題―放射線に関する基礎知識と健康問題を考える(東洋大学井上円了記念館),   2011年04月28日, 放射線と放射能の定義をはじめ,その測定原理を紹介し,東日本大震災の原発事故で大きな課題となった放射線問題を易しく解説した.
  • 固定化タンパク質表面における電子刺激脱離の発光分光, 本橋健次(責),青柳里果(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 日本物理学会第66回年次大会(新潟大学五十嵐キャンパス・講演概要集第66巻第1号第2分冊),   2011年03月26日, ITO基板上に吸着したリゾチームへの電子衝突により解離した原子の発光分光を行った.(東日本大震災により,Web講演)
  • 低速多価イオン照射GaN表面における不純物水素原子の選択的脱離, 平成22年度東洋大学工業技術研究所第16回講演会(東洋大学工業技術研究所・予稿集),   2011年02月25日, 低速多価イオンによる吸着水素原子の選択的スパッタリングを応用した表面分析技術の開発について,その展望を述べた.
  • 低速多価イオン照射GaN表面からの水素の選択的脱離, 第29回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム(法政大学小金井キャンパス・ABSTRACT),   2010年12月08日, 低速のアルゴン多価イオンをGaN単結晶表面に照射した際の二次イオン放出過程を,独自に開発した反射イオン-二次イオン同時分析法により調べた.その結果,アルゴン1価イオンの散乱時に陽子のポテンシャルスパッタリングが起こっていることが分かり,その陽子放出強度が全二次イオン放出強度の92%に及んでいることが分かった.このことは表面吸着水素原子の選択的脱離を意味する.
  • Dynamics of proton desorption from solid surfaces excited with slow multicharge ions, International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Molecules, Clusters and Surfaces (東北大学片平キャンパス・Program and Abstracts),   2010年09月05日, 低速多価イオン照射時の各種固体表面からの二次イオン放出を独自に開発した反射イオン-二次イオン同時計測法により調べ,特に陽子放出の放出エネルギー分布を測定した結果について発表した.
  • 固定化生体分子最表面における電子遷移誘起脱離の研究(計画), 本橋健次(責),青柳里果(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 原子衝突研究協会第35回年会(奈良女子大学・講演概要集),   2010年08月11日, 固体表面に配向・固定化したタンパク質や塩基等の生体分子に対し,電子・イオン・紫外光照射による電子遷移誘起脱離を観測し,その最表面の化学的性質を研究する計画について述べた.
  • 多価イオンによる固定化生体分子最表面の分析(計画), 東洋大学生命科学部・理工学部生体医工学科研究者交流会(板倉キャンパス),   2010年07月10日, リゾチームを固定化した固体表面に電子・イオン・紫外光を照射した際の電子遷移誘起脱離を観測することにより,その最表面の化学的性質を研究する計画について述べた.
  • 量子ビームの基礎とその可能性について, 埼玉県産学連携支援ネットワーク会議主催・第4回産学連携セミナー(分野:照射技術)(埼玉新都心ビジネス交流プラザ),   2010年02月26日, 産業分野に応用されている量子ビーム照射技術について,その基礎と今後の可能性を紹介した.
  • 人にやさしい原子の力 〜量子ビームが拓く新たな医工学応用技術〜, 東洋大学第15回工業技術研究所講演会(東洋大学工業技術研究所),   2010年02月25日, 量子ビーム科学という分野が,原子力科学の一つの潮流として定着しつつある.これは,エネルギー,状態,方向などが揃った極微の粒子を,安全かつ安定なビームとして取り出せるようになったためである.本講演では,電子やイオンといった代表的な量子ビームを応用した人にやさしい技術に加え,多価イオン,放射光,自由電子レーザーなど,最近登場した新たな量子ビームの可能性についても紹介した.
  • Desorption and Sputtering on Polarity Controlled GaN Surfaces by Irradiation of Low-energy Arq+ (q = 3-8) Ions, International Symposium on the Physics of Excitation-assisted Nano-processes (和歌山大学・Extended Abstracts),   2009年11月20日, 面極性を制御されたGaN(0001)表面に低エネルギーのアルゴン多価イオンを照射した際の原子過程を,独自に開発した原子層選別SIMS装置により解析した結果を発表した.
  • 低エネルギー酸素イオンビーム照射下のスパッタAl原子からの光放出, 久保田直義, 林 俊一, 本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 第29回表面科学学術講演会(タワーホール船堀・講演要旨集),   2009年10月27日, 低エネルギー酸素イオンビーム照射下でのアルミニウム表面からスパッタされた中性アルミニウム原子の発光を観測し,磁気副準位の強度比が入射エネルギーに大きく依存する現象を発見した.
  • 多価イオンを用いた表面原子層選別SIMSの開発II, 第70回応用物理学会学術講演会(富山大学五福キャンパス・講演予稿集 (2)),   2009年09月10日, 多価イオンを用いた二次イオン質量分析法の開発により,原子層を選別した陽子放出の検出に成功した.
  • 多価イオン-固体表面散乱における陽子放出の動力学, 原子衝突研究協会第34回年会(首都大学東京南大沢キャンパス・講演概要集),   2009年08月30日, 多価イオン照射窒化ガリウム表面から放出された不純物炭化水素分子由来の陽子を表面第1層と第2層に分けて観測することに成功した.
  • 多価イオン照射チタン表面からの中性原子放出, 本橋健次(責),斎藤勇一,北澤真一(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 原子衝突研究協会第34回年会(首都大学東京南大沢キャンパス・講演概要集),   2009年08月30日, 多価イオン照射チタン表面から放出されたチタン原子及びチタンイオンからの発光を観測し,酸素被覆の影響を調べた.
  • Desorption and Sputtring on Solid Surfaces by Low-Energy Multicharged Ions, 26th International Conference on Photonic, Electronic, and Atomic Collisions (Western Michigan University, USA・Conference Program),   2009年07月24日, (招待講演) 低速多価イオン衝突により誘起された固体表面からの二次粒子の脱離とスパッタリング過程に対する実験結果を紹介するレビュー講演を行った.
  • Desorption and Sputtering on Solid Surfaces by Low-Energy Multicharge Ion Impact, 26th International Conference on Photonic, Electronic, and Atomic Collisions (Western Michigan University, USA・Conference Program),   2009年07月24日, (ポスター講演)低速多価イオンに誘起された固体表面からの二次イオン放出と発光現象を観測し,衝突の動力学に関する実験的研究を行った結果について発表した.
  • 低速多価イオン-固体表面衝突における二次粒子放出, 日本物理学会第64回年次大会(立教大学・講演概要集第64巻第1号第2分冊),   2009年03月28日, (依頼講演) 領域1シンポジウム「エキゾチックな粒子ビームと固体・表面との相互作用」において,低速多価イオンと各種固体表面との相互作用について,主に原子脱離やポテンシャルスパッタリングの実験結果を発表した.
  • 多価イオン照射チタン表面におけるスパッタ粒子の発光分光II, 本橋健次(責),斎藤勇一, 北澤真一(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 日本物理学会第64回年次大会(立教大学・講演概要集第64巻第1号第2分冊),   2009年03月28日, チタン表面への低速多価イオン衝突におけるスパッタチタン原子からの発光を観測した.
  • Sputtering with slow highly charged ions under glancing incidence, The 8th International Seminar on Atomic and Molecular Physics (University of Western Australia, Australia・Program and Abstracts),   2008年11月25日, (招待講演) 低速アルゴンイオンのかすめ衝突によるGaN表面のポテンシャルスパッタリング現象の実験結果を報告した.
  • Radiation-induced Luminescence from Au, Pt/TiO2 by 10 keV O+ and N+ Irradiation, S. KITAZAWA, Y. SAITOH, and K. MOTOHASHI(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備), 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (早稲田大学・Abstracts),   2008年11月01日, 酸化チタン表面への酸素,窒素イオンビーム照射下での固体内での発光分光を観測し,不純物発光中心を考察した.
  • 多価イオンのすれすれ角衝突によるチオール自己組織化単分子膜表面からの二次イオン放出, 本橋健次(責),F. Flores,金井保之,山崎泰規(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 日本物理学会2008年秋季大会(岩手大学上田キャンパス・講演概要集第63巻第2号第2分冊),   2008年09月01日, 低速多価イオンのかすめ衝突によるチオール自己組織化単分子膜表面の二次イオン放出過程について報告した.
  • 多価イオン照射チタン表面におけるスパッタ粒子の発光分光, 本橋健次(責), 斎藤勇一, 北澤真一(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 日本物理学会2008年秋季大会(岩手大学上田キャンパス・講演概要集第63巻第2号第2分冊),   2008年09月01日, 低速多価イオン衝突によるチタン表面からのスパッタリングを発光分光により調べた結果を報告した.
  • Fragmentation and Desorption in Low-energy Highly Charged Ion Collisions with Molecules and Surfaces, 14thInternational Conference on the Physics of Highly Charged Ions (電気通信大学・Book of Abstracts),   2008年09月01日, (招待講演) 低速多価イオン衝突による分子解離と表面脱離過程について報告した.
  • Optical emission spectroscopy of excited atoms sputtered on a Ti surface under irradiation with multicharge Ar ions, K. MOTOHASHI(責), Y. SAITOH, and S. KITAZAWA(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 14thInternational Conference on the Physics of Highly Charged Ions (電気通信大学・Book of Abstracts),   2008年09月01日, 低速多価イオンの垂直入射によるチタン表面の二次中性粒子スパッタリング過程を発光分光法により調べた結果を報告した.
  • Secondari-ion emission from GaN(0001) and dodecanethiol/Au(111) surfaces irradiated with Arq+ (q=3-6) at glancing angle, K. MOTOHASHI(責)M. FLORES, Y. KANAI, and Y. YAMAZAKI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 14thInternational Conference on the Physics of Highly Charged Ions (電気通信大学・Book of Abstracts),   2008年09月01日, 低速多価イオンのかすめ衝突によるGaN(0001)表面及びドデカンチオール自己組織化単分子膜からの二次イオン放出過程を調べた結果を報告した.
  • 電荷量の測定を取り入れた簡便な水の電気分解実験, 本橋健次(責), 鵜飼正敏, 仁藤 修, 橋詰研一, 松崎清司, 三沢和彦(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,授業への導入・指導,発表), SPPサイエンス・パートナーシップ・プロジェクト「マイクロスケール化学実験による教育法の研修および実践例の紹介」(国際基督教大学・事例集),   2008年08月01日, 注射器3本と電流計及び電池だけで構成される簡便な卓上型の水の電気分解実験装置を開発し,1年次学生の化学実験におけるマイクロスケール化学実験として授業に活用した事例を発表した.
  • 多価イオンを用いた表面原子層選別SIMSの開発?, 2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会(日本大学船橋キャンパス・講演予稿集(2)),   2008年03月01日, 一般講演,多価イオンを用いた原子層選別SIMSの開発について論じた.
  • 電荷交換イオン衝突により誘起された分子や固体表面の原子過程, (独)日本原子力研究開発機構・先端基礎研究所第345回基礎科学セミナー(日本原子力研究開発機構先端基礎研究所),   2008年02月01日, 低速多価イオン衝突による分子の解離と固体表面での脱離過程に対する研究成果を報告した.
  • Surface chemical analysis using multiply charged ions, 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (早稲田大学・Abstracts),   2008年01月01日, 多価イオンによる新しい二次イオン表面分析法を開発した結果について述べた.
  • Optical emission spectroscopy of sputtered atoms on an oxygen-covered Ti surface under irradiation of Ar3+, K. Motohashi(責),Y. Saito and S. Kitazawa(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得,発表), 5th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology (早稲田大学・Abstracts),   2008年01月01日, 低圧酸素雰囲気に置かれたチタン表面の低速多価イオン衝突によるスパッタ中性原子からの発光分光結果を報告した.
  • 多価イオン照射固体表面からの散乱原子と二次粒子の同時計測, 第68回応用物理学会学術講演会(北海道工業大学・講演予稿集 (2)),   2007年09月01日, 多価イオンを用いた高感度・低損傷の表面分析法を確立するため,散乱粒子と二次イオンの同時計測装置を開発し,Ar3+イオンを用いたGaN(0001)表面の分析に関する予備実験結果について報告した.
  • 低速多価イオン-固体表面衝突における散乱粒子の二次元検出, 日本物理学会第62回年次大会(北海道大学札幌キャンパス・講演概要集第62巻第2号第2分冊),   2007年09月01日, 低速多価イオンによる固体表面での電子捕獲散乱過程を調べるため,速度と価数を選別した散乱粒子を二次元検出した.その結果,中性粒子と同時計測された二次イオン質量分析スペクトルと,一価イオンと同時計測されたそれとの間に,明瞭な差が現れた.
  • Surface chemical analysis by multicharge ion induced desorption, The 10th Asia Pacific Physics Conference (Pohang University of Science and Technology, Korea・Handbook and Abstracts),   2007年08月01日, GaN(0001)表面上で,電子捕獲後に鏡面反射されたAr4+多価イオンの価数を選別しながら二次イオンの質量分析を行った.その結果,散乱された中性Arと同時計測された二次イオンの質量分析スペクトルは,散乱Ar+と同時計測されたそれに比べて,スペクトル幅が広いことが分かった.また,H+の質量スペクトルに見られる微細構造の位相が,両者の間で1/2周期ずれていることから,ArHとArH+の二つのポテンシャル曲線の干渉に起因するという仮説を立てた.
  • Secondary-ion emission from solid surfaces interacting with slow highly-charged ions at grazing-incidence angle, 独立行政法人理化学研究所・原子物理セミナー(理化学研究所和光研究所),   2007年02月01日, (依頼講演)多価イオンと固体表面との低エネルギー衝突における二次粒子放出過程について,その原子過程を概観し,最表面に極めて敏感な表面分析法に応用可能であることを実験と理論的考察の両面から実証した.
  • 低速多価イオン衝突による固体表面からの二次粒子放出過程, 励起ナノプロセス第3回研究会(北海道大学百年記念館),   2007年01月01日, 低速多価イオンとアルミニウム,ガリウムヒ素表面とのすれすれ角衝突による二次イオン放出過程について報告した.
  • Secondary-ion Emission in grazing Collisions between Highly-carged Ions and Surfaces -Coincidence Experiments with scattered Particles-, K. MOTOHASHI(責) and S. TSURUBUCHI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 7th Asian International Seminar on Atomic and Molecular Physics (Indian Institute of Technology, Madras, India・Program and Abstracts),   2006年12月01日, (招待講演)多価イオンと固体表面との低エネルギー衝突における二次粒子放出過程を,独自に開発した多粒子同時計測装置により調べた最近の結果について論じた.
  • Analyses of compound-semiconductor surfaces by highly - charged ions, K. MOTOHASHI(責), K. HOSOYA, M. IMANO, S. TSURUBUCHI, and A. KOUKITU(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), The University of Tokyo International Symposium and The tenth ISSP International Symposium on Nanoscience at Surfaces (東京大学柏キャンパス・ABSTRACTS),   2006年10月01日, アルゴン多価イオンとGaN(0001)及びGaN(000-1)表面とのすれすれ角衝突において放出された二次イオン放出過程を観測した結果,表面の面方位の違いが質量スペクトルの差として現れた.このことから本測定方法が基板への損傷の小さい新しい面極性分析法として有効であることを論じた.
  • エネルギー損失で選別された多価イオン-固体表面衝突における二次イオン放出過程, 本橋健次(責),今野深貴,鶴淵誠二,纐纈明伯(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会2006年秋季大会(千葉大学西千葉キャンパス・講演概要集第61巻第2号第2分冊),   2006年09月01日, 多価イオンと固体表面との低エネルギー衝突において,散乱イオンのエネルギー損失を選別しながら二次イオン質量選別を行った結果について論じた.
  • 同時測定法で探る多価イオン-固体表面衝突における二次イオン放出過程, 原子衝突研究協会第31回研究会(岡崎コンファレンスセンター・講演概要集),   2006年08月01日, (招待講演)多価イオンと固体表面との低エネルギー衝突において,散乱中性原子と二次イオンを同時検出する手法により二次イオン放出過程を詳細に調べた結果について論じた.
  • 多価イオン-固体表面衝突における二次イオンの放出角測定, 本橋健次(責)、今野深貴、鶴淵誠二、纐纈明伯(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 原子衝突研究協会第31回研究会(岡崎コンファレンスセンター・講演概要集),   2006年08月01日, 多価イオンとAl表面との低エネルギー衝突において,散乱中性原子と同時に検出されたH+の放出角度分布について論じた.
  • 多価イオンを用いた固体表面分析のための実験装置開発, 本橋健次、鶴淵誠二、纐纈明伯(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 第53回応用物理学関係連合講演会(武蔵工業大学・講演予稿集 (2)),   2006年03月01日, 多価イオンを用いた損傷の小さい固体表面元素分析のための装置開発について論じた.
  • 多価イオン-固体表面衝突における多重コインシデンス実験 -装置開発と予備実験結果-, 本橋健次(責),今野深貴,松尾克敏,細矢 景,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会第61回年次大会(愛媛大学,松山大学・講演概要集第61巻第1号第2分冊),   2006年03月01日, 多価イオンと固体表面との低エネルギー衝突において,散乱粒子,二次電子,二次イオンをすべて同時検出することができる装置の開発状況と予備実験結果について論じた.
  • 多価イオンによる化合物半導体表面の原子結合状態に関する研究, 本橋健次、鶴淵誠二、纐纈明伯(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 電気通信大学・東京農工大学21世紀COEプログラム第2回合同シンポジウム(東京農工大学小金井キャンパス・予稿集),   2005年12月01日, 多価イオンと化合物半導体表面との低エネルギーすれすれ角衝突において,化合物半導体の最表面原子の元素分析と面極性分析を低損傷で行なう方法を提案し,その基礎実験結果について論じた.
  • イオン衝撃を受けたAl表面からの二次イオン放出, 入来仁隆、小林健二、本橋健次、鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会2005年秋季大会(同志社大学京田辺キャンパス・講演概要集第60巻第2号第2分冊),   2005年09月01日, 酸素雰囲気中の高速イオン衝撃によりAl表面からスパッタされた酸素負イオンを観測し,その運動エネルギーを表面酸素被覆率の関数として求めた結果について論じた.
  • ポテンシャルスパッタリングによる金属表面からのH+放出, 本橋健次、細矢 景、今野深貴、鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会2005年秋季大会(同志社大学京田辺キャンパス・講演概要集第60巻第2号第2分冊),   2005年09月01日, 多価イオンとAl表面との低エネルギー衝突において,H+の放出収量が価数の増加に伴い急激に増加し,やがて飽和する現象について論じた.
  • Fundamental studies on atomic structures of compound semiconductor surfaces by highly-charged ions, K. MOTOHASHI(責), S. TSURUBUCHI, and A. KOUKITU(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:計画立案,装置開発,実験準備,発表), 東京農工大学21世紀COE「ナノ未来材料」コロキューム, Proposal 5(東京農工大学小金井キャンパス・要旨集),   2005年08月01日, 多価イオンを固体表面にすれすれの角度で入射した際の,電子捕獲衝突に伴う二次イオン放出過程を,表面原子構造分析に応用することを目的として,その予備実験結果を報告した.
  • イオン・表面相互作用における二次電子及び二次イオン放出の酸素被覆率依存性, 入来仁隆,小林健二,田中 学,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 原子衝突研究協会第30回研究会(理化学研究所和光研究所・講演概要集),   2005年08月01日, 酸素雰囲気中での高速イオンとAl表面との衝突において,二次電子と二次負イオンを質量選別して検出し,そのスペクトル強度と表面酸素被覆率との関係を論じた.
  • Ar+衝撃により金属表面から放出される励起原子の発光測定, 小林健二,入来仁隆,田中 学,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 原子衝突研究協会第30回研究会(理化学研究所和光研究所・講演概要集),   2005年08月01日, Ar+イオン衝撃によりAl表面から放出されたスパッタ励起原子からの発光をCCDカメラ付分光器で二次元検出し,発光強度の空間分布からスパッタリング機構について論じた.
  • 多価イオン衝突による金属表面からの二次イオン放出, 細矢 景、今野深貴、本橋健次、鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得), 原子衝突研究協会第30回研究会(理化学研究所和光研究所・講演概要集),   2005年08月01日, 多価イオンとAl表面とのすれすれ角衝突において,表面に吸着した炭化水素分子からのH+放出強度が価数に対して急激に増加する一方で,基板原子由来の二次イオン放出が顕著に起こらないことを発表した.
  • 多価イオン衝突によるGaN表面からの二次イオン放出 -新しい面極性分析法の提案-, 本橋健次、細矢 景、今野深貴、松尾克敏、鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 原子衝突研究協会第30回研究会(理化学研究所和光研究所・講演概要集),   2005年08月01日, 多価イオンと化合物半導体表面とのすれすれ角衝突により,表面の面極性を分析する新しい方法を提案した.
  • 電子衝突によるCF4とN2分子からの解離イオンの運動量画像分光, 小村高弘、松山弘世、本橋健次、鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,実験), 原子衝突研究協会第30回研究会(理化学研究所和光研究所・講演概要集),   2005年08月01日, 電子衝撃によりCF4分子とN2分子から解離したイオンの質量分析と三次元運動量画像分光を行い,その励起過程と解離経路を論じた.
  • Sputtering processes of compound-semiconductor surfaces interacted with highly - charged ion, The 21st Century COE Program on “Future Nano-materials” Colloquium (Tokyo University of Agriculture and Technology・Abstracts),   2005年03月01日, Arq+ (q = 3-14)多価イオンとSiC(0001)表面とのすれすれ角衝突において,H+, H2+, C+, Si+, SiC+等の二次イオン放出を確認し,それぞれの運動エネルギーを測定した結果,軽いイオンほど大きな運動エネルギーを持つことを見出した.
  • Analyses of compound - semiconductor surfaces using highly charged ions, S. TSURUBUCHI, K. MOTOHASHI, and A KOUKITU(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,実験), The 21st Century COE Program on “Future Nano-materials” Colloquium (Tokyo University of Agriculture and Technology・Abstracts),   2005年03月01日, Arq+ (q = 3-14)多価イオンとGaN(0001)表面とのすれすれ角衝突において,H+, H2+, C+, K+, Ga+等の二次イオン放出を確認し,H+に対して三次元運動量を測定した結果について論じた.
  • 低速多価イオン衝突によるAl表面からの二次イオン放出過程, 本橋健次(責),細矢 景,伊藤あい子,今野深貴,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会第60回年次大会(東京理科大学野田キャンパス・講演概要集第60巻第1号第2分冊),   2005年03月01日, 多価イオンとAl表面とのすれすれ角衝突における二次イオン質量スペクトルを測定した結果について論じた.
  • イオン・表面相互作用による放出二次電子エネルギー分布の表面酸素被覆率依存性, 入来仁隆,宇野友裕,小林健二,金井 悟,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会第60回年次大会(東京理科大学野田キャンパス・講演概要集第60巻第1号第2分冊),   2005年03月01日, イオン照射中の表面酸素被覆率と二次電子エネルギー分布との関係を測定した結果について論じた.
  • GaAs表面からスパッタ生成された励起Ga原子の生存確率依存性, 鶴淵誠二,二村智昭,入来仁隆,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 東京農工大学・電気通信大学21世紀COEプログラム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」合同シンポジウム(電気通信大学・発表要旨集),   2004年12月01日, 高速一価イオン衝突によりGaAs単結晶表面から放出されたスパッタ励起中性原子(Ga*)からの発光スペクトルを観測し,励起準位の生存確率を求めた結果を論じた.
  • 電子衝突によるCF4分子の解離イオンに対する運動量分光, 山口幸彦,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,実験), 東京農工大学・電気通信大学21世紀COEプログラム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」合同シンポジウム(電気通信大学・発表要旨集),   2004年12月01日, 電子衝撃によるCF4分子のイオン化解離過程に対し,三次元運動量画像分光の結果をもとに論じた.
  • 多価イオン衝突によるGaNとSiC表面からの二次イオン放出, 本橋健次(責),細矢景,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 東京農工大学・電気通信大学21世紀COEプログラム「ナノ未来材料とコヒーレント光科学」合同シンポジウム(電気通信大学・発表要旨集),   2004年12月01日, 多価イオンとGaN及びSiC単結晶表面とのすれすれ角衝突における二次イオン放出過程について論じた.
  • Momentum - imaging spectroscopy of secondary ions from GaN and SiC aurfaces collided with highly - charged ions at grazing angle, K. MOTOHASHI(責), S. TSURUBUCHI, and A. KOUKITU(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 15th International Workshop on Inelastic Ion - Surface Collisions 伊勢志摩ロイヤルホテル・(Program and Abstract),   2004年10月01日, 多価イオンとSiC及びGaN単結晶表面とのすれすれ角衝突において放出された二次イオンの三次元運動量画像分光結果について論じた.
  • 多価イオン衝突によるSiC (0001)表面からの二次イオン放出, 本橋健次(責),鶴淵誠二,纐纈明伯(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 第65回応用物理学会学術講演会(東北学院大学泉キャンパス・講演予稿集 (2)),   2004年09月01日, 多価イオンとSiC(0001)単結晶表面とのすれすれ角衝突において放出されたSi+の三次元初期運動量を測定し,放出過程について論じた.
  • e-+CF4における解離イオンの運動量画像分光, 本橋健次(責),山口幸彦,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会2004年秋季大会(青森大学・講演概要集第59巻第2号第2分冊),   2004年09月01日, 電子衝撃によるCF4分子の解離に対する三次元運動量画像分光測定結果について論じた.
  • 多価イオン衝突によるGaN表面からの二次イオン放出過程, 本橋健次,鶴淵誠二,纐纈明伯(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会2004年秋季大会(青森大学・講演概要集第59巻第2号第2分冊),   2004年09月01日, 多価イオンのGaN(0001)表面へのすれすれ角衝突において,二次イオンの質量分析と三次元運動量画像分光の結果について論じた.
  • Ar+衝突によりAl表面からスパッタされた二次イオンの検出 -表面被覆率との関係-, 本橋健次(責),庄子幸樹,宇野友裕,入来仁隆,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,実験), 原子衝突研究協会第29回研究会(東北大学金属材料研究所・講演概要集),   2004年08月01日, 高速一価イオンと金属表面との衝突により生成されたスパッタ二次イオンを質量分析し,表面の酸素被覆率との関係を論じた.
  • 電子衝突によるCF4分子の解離イオンに対する運動量分光, 山口幸彦,小村高弘,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,実験), 原子衝突研究協会第29回研究会(東北大学金属材料研究所・講演概要集),   2004年08月01日, 電子衝突によりCF4分子から解離生成されたイオンの運動量画像分光結果について論じた.
  • 多価イオンビームによるワイドギャップ半導体のスパッタリング過程, 本橋健次(責),鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 第34回結晶成長学会国内会議(東京農工大学・結晶成長学科誌2004年8月号),   2004年08月01日, 多価イオンとワイドギャップ化合物半導体との低エネルギー衝突による二次イオン放出過程を論じた.
  • 多価イオン衝突による電子捕獲と分子の解離, 第1回原子・分子・光科学(AMO)討論会, Session 2 反応イメージング-2(東京大学本郷キャンパス・Abstracts),   2004年07月01日, (招待講演)多価イオンと分子との低エネルギー電荷移行衝突において生成される解離イオンの三次元運動量を測定し,かつ,散乱イオンの運動エネルギー利得を同時測定する方法を開発した.これにより世界で初めて量子状態選択的に解離経路を特定することが可能になった.これらをレビューし,かつ,最新のデータである解離の異方性の観測について論じた.
  • A fundamental study on sputtering processes of wide - gap semiconductors by highly - charged ion impact, S. TSURUBUCHI, K. MOTOHASHI, and A. KOUKITU(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,実験), The 21st Century COE Program on “Future Nano-materials” 4th Colloquium(東京農工大学小金井キャンパス・Abstracts),   2004年03月01日, 多価イオンとSiC単結晶表面とのすれすれ角衝突により放出された二次イオンの三次元運動量画像測定を行い,スパッタリングの機構について論じた.
  • Fundamental study on atomic structure of compound semiconductor surfaces by highly charged ions, S. TSURUBUCHI, K. MOTOHASHI, and A. KOUKITU(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,実験), The 21st Century COE Program on “Future Nano-materials” 4th Colloquium(東京農工大学小金井キャンパス・Abstracts),   2004年03月01日, 多価イオンとGaN単結晶薄膜表面とのすれすれ角衝突における二次イオン放出過程を質量分析測定と三次元運動量画像測定の結果から論じた.
  • 低エネルギー多価イオン衝突による化合物半導体表面からの二次イオン放出過程, 本橋健次(責),鶴淵誠二,纐纈明伯(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会第59回年次大会(九州大学箱崎キャンパス・講演概要集第59巻第1号第2分冊),   2004年03月01日, 多価イオンとGaN及びSiC単結晶表面とのすれすれ角衝突における二次イオン放出過程を質量分析測定の結果から論じた.
  • 多価イオンによりGaN表面からスパッタされた2次イオンの運動量画像分光, 鶴淵誠二,本橋健次,纐纈明伯(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,実験), 第51回応用物理学関係連合講演会(東京工科大学・講演予稿集(2)),   2004年03月01日, 多価イオンとGaNの(0001)及び(000-1)表面とのすれすれ角衝突におけるスパッタ二次イオンの質量分析と三次元運動量画像分光を行なった結果,二つの表面の間に有意な差が観測された.
  • Secondary-ion emission from SiC surface interacted with highly charged ions, K. Motohashi(責) and S. Tsurubuchi(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの測定,発表), International Workshop on Atomic Collisions of Slow / Trapped Highly Charged Ions(理化学研究所和光研究所),   2004年02月01日, (招待講演)多価イオンとSiC単結晶表面とのすれすれ角衝突において,多価イオンの中性化に伴う二次イオン放出現象を三次元立体画像として観測した結果を論じた.
  • 低エネルギー多価イオン衝突によるSiC(0001)表面からの二次イオン放出過程, 本橋健次,鶴淵誠二,纐纈明伯(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:計画立案,装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 第4回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会(理化学研究所和光研究所・プログラム),   2003年12月01日, (招待講演)多価イオンとSiC単結晶表面とのすれすれ角衝突において,多価イオンの中性化に伴う二次イオン放出過程を選択的に観測した結果について述べた.
  • 多価イオン衝撃で表面からスパッタされた2次イオンの運動量画像分光, 鶴淵誠二,和田雷太,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得), 第64回応用物理学会学術講演会(福岡大学・講演予稿集(2)),   2003年09月01日, 多価イオン衝撃により固体表面からスパッタされた二次イオンの質量分析結果について述べた.
  • 化合物半導体表面の原子結合状態に関する基礎的研究, 本橋健次(責),鶴淵誠二,纐纈明伯(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:計画立案,装置開発,実験準備), 東京農工大学21世紀COE「ナノ未来材料」平成15年度第2回コロキューム(PROPOSAL 1)(東京農工大学小金井キャンパス・Abstracts),   2003年09月01日, 多価イオンを用い,GaN単結晶の最表面原子構造を低損傷で観測するための新しい方法を提案し,その概要を述べた.
  • Development of a compact EBIS and its application to ion-molecule collisions, K. MOTOHASHI(責) and S. TSURUBUCHI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), XVIII International Seminar on Ion Atom Collisions(The MS Symphony of Silja Line: Stockholm-Helsinki-Stockholm・Program and Abstracts),   2003年08月01日, (招待講演)原子物理実験用に開発した超小型高電離多価イオン源の概要と,それを用いた多価イオン-分子衝突における解離過程の研究成果について述べた.
  • 多価イオン-表面衝突におけるスパッターイオンのコインシデンス運動量画像分光, 本橋健次(責),和田雷太,細矢 景,田中真佑美,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 原子衝突研究協会第28回研究会(東京都立大学・講演概要集),   2003年08月01日, 固体表面で電子捕獲散乱された多価イオンと,表面から放出された二次イオンを同時計測する方法の紹介と,それを用いた測定結果について論じた.
  • イオン-表面衝突における2次イオン放出率の表面酸素被覆率依存性, 庄子幸樹,本橋健次,和田雷太,二村智昭,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,実験), 原子衝突研究協会第28回研究会(東京都立大学・講演概要集),   2003年08月01日, 一価イオンと固体表面との衝突により放出される二次イオン強度を,表面の酸素被覆率の関数として測定した結果について述べた.
  • イオン-表面衝突における2次電子放出率の表面酸素被覆率依存性, 宇野友裕,庄子幸樹,小山義之,和田雷太,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,実験), 原子衝突研究協会第28回研究会(東京都立大学・講演概要集),   2003年08月01日, 一価イオンと固体表面との衝突により放出される二次電子強度を,表面の酸素被覆率の関数として測定した結果について述べた.
  • 電子-分子衝突における解離イオンのコインシデンス運動量画像分光, 山口幸彦,入来仁隆,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,実験), 原子衝突研究協会第28回研究会(東京都立大学・講演概要集),   2003年08月01日, 電子と分子との衝突により生成された解離イオンの初期運動量を三次元測定した結果について述べた.
  • 多価イオンビームによるワイドギャップ半導体のスパッタリング過程, 東京農工大学21世紀COE「ナノ未来材料」平成15年度第1回若手発表会(東京農工大学小金井キャンパス・要旨集),   2003年07月01日, Ar3+とAr8+をSiC(0001)単結晶表面に照射した際の二次イオン質量スペクトルとSi+の三次元初期運動量画像からポテンシャルスパッタリングについて考察した.
  • Direct observation of the orientation effect of state-selected CF42+ ions produced in collisions of Ar8++CF4, K. MOTOHASHI(責) and S. TSURUBUCHI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), XXIII International Conference on Photonic, Electronic, and Atomic Collisions (Stockholm University, Sweden・CONFERENCE PROGRAM),   2003年07月01日, Ar8+とCF4分子との二電子移行後の二体解離過程(F++CF3+)を三次元画像観測し,顕著な解離の異方性を観測した.これを半古典的モデルで解析し考察した.
  • Interaction of slow highly charged ions with an alminium and an almina surface, S. TSURUBUCHI, R. WADA, and K. MOTOHASHI(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), XXIII International Conference on Photonic, Electronic, and Atomic Collisions (Stockholm University, Sweden・CONFERENCE PROGRAM),   2003年07月01日, 多価イオンと固体表面とのすれすれ角衝突による二次イオン放出過程を観測するための装置開発状況について論じた.
  • ナノ材料に関連した基礎的な原子分子過程の研究, 鶴淵誠二, 本橋健次, 和田雷太(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,実験), 東京農工大学21世紀COE「ナノ未来材料」平成15年度コロキューム第1回拠点研究者発表会(東京農工大学),   2003年03月01日, 窒化ガリウムを代表とするワイドギャップ化合物半導体の新たなプロセス開発に向けた原子分子基礎過程の解明を目指す研究の概要を述べた.
  • 高電離多価イオンビームによるワイドギャップ半導体材料のスパッタリング過程に対する基礎的研究, 東京農工大学21世紀COE「ナノ未来材料」平成15年度コロキューム(東京農工大学小金井キャンパス・要旨集),   2003年03月01日, 高電離多価イオンビームを用いてワイドギャップ半導体材料の微細加工をおこなうための基礎的研究として,スパッタリングにおける二次イオン質量分析測定を行ない,その予備実験結果を得た.
  • 多価イオン・固体表面相互作用における二次イオンの放出過程, 和田雷太,斉藤裕司,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会2002年秋季大会(中部大学・講演概要集第57巻第2号第2分冊),   2002年09月01日, 多価イオンと固体表面との低エネルギー衝突における二次イオンの質量分析を行なうための装置開発について述べた.
  • Ar8++N2およびAr8++CF4の2電子移行過程により誘起された2体解離過程, 本橋健次(責),斉藤裕司,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会2002年秋季大会(中部大学・講演概要集第57巻第2号第2分冊),   2002年09月01日, Ar8+イオンとN2及びCF4分子との電荷移行衝突において,二体解離した解離イオンの三次元初期運動量に異方性を見出した.
  • 多価イオン・固体表面相互作用における二次電子,二次イオンの検出, 和田雷太,斉藤裕司,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 原子衝突研究協会第27回研究会(京都大学吉田キャンパス・講演概要集),   2002年08月01日, 多価イオンと固体表面との衝突により放出される二次電子と二次イオンを同時計測するための装置開発の経緯について論じた.
  • 運動量イメージング法を用いた低速多価イオン-分子衝突における分子イオン中間状態と解離過程の同定, 本橋健次(責),斉藤裕司,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 原子衝突研究協会第27回研究会(京都大学吉田キャンパス・講演概要集),   2002年08月01日, 低速多価イオンと分子との衝突による解離過程を詳しく調べるため,運動量イメージング法による解離イオンの運動量測定を行なった結果について述べた.
  • Dissociative excitation of CF4 and N2 molecules in collisions with multicharged ions, K. MOTOHASHI(責) and S. TSURUBUCHI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), IMS Research Symposium; Current Status and Future Prospect of Dynamics of Photon, Electron and Heavy-Particle Collisions(岡崎コンファレンスセンター・講演要旨),   2002年07月01日, (招待講演)多価イオン衝突によるCF4とN2分子の解離過程について,エネルギー利得選別解離イオン画像分光法を用いて調べた結果を概観した.
  • エネルギー利得で選別されたArq++CH4 / CF4衝突(q = 3, 8, 9, 11, 12)における解離過程, 本橋健次,斉藤裕司,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会第57回年次大会(立命館大学びわこ・くさつキャンパス・講演概要集第57巻第1号第2分冊),   2002年03月01日, 多価イオンとCH4及びCF4分子との低エネルギー電荷移行衝突において,散乱イオンのエネルギー利得を選別した解離イオンの三次元初期運動量測定を行い,解離励起過程を論じた.
  • 多価イオン・分子衝突における解離イオンの運動量画像分光, 本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 宇宙科学研究所2002年度宇宙空間原子分子過程研究会「強い場における原子分子過程−強光子場と強クーロン場−」(宇宙科学研究所相模原キャンパス),   2002年01月01日, (依頼講演)多価イオンと分子との低エネルギー電荷移行衝突において,独自に開発した装置により,電子移行過程と解離過程の量子状態を特定することに成功した.その代表例であるCF4標的の結果を概観した.
  • 3D-momentum imaging of fragment ions of CF4 / CH4 characterized by energy-gain of incident Arq+ ions, K. MOTOHASHI(責) and S. TSURUBUCHI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 5th Asian International Seminar on Atomic and Molecular Physics (Scientific Program and Book of Abstracts),   2001年11月01日, 多価イオンとCH4及びCF4との低エネルギー電荷移行衝突において,散乱イオンのエネルギー分析と解離イオンの三次元運動量画像を同時計測し,解離経路について論じた.
  • He+ / Ne+ / Ar++CF4衝突における発光断面積の測定, 高橋哲朗,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会2001年秋季大会(徳島文理大学徳島キャンパス・講演概要集第56巻第2号第2分冊),   2001年09月01日, 希ガスイオンとCF4分子との低エネルギー電荷移行衝突における解離種の発光断面積を測定し,解離過程を論じた.
  • エネルギーゲインで選別されたArq++CH4 /CF4 /N2電荷移行衝突(q = 8-12)における解離イオンの三次元運動量画像分光, 本橋健次(責),高橋哲朗,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会2001年秋季大会(徳島文理大学徳島キャンパス・講演概要集第56巻第2号第2分冊),   2001年09月01日, 多価イオンとCH4及びCF4及びN2分子との低エネルギー電荷移行衝突において,散乱イオンのエネルギー利得を選別した解離イオンの三次元初期運動量測定を行なった結果について論じた.
  • 電子衝突による希ガス原子2p9状態への直接励起断面積の測定, 鶴淵誠二,小林弘知,磯部修,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会2001年秋季大会(講演概要集第56巻第2号第2分冊),   2001年09月01日, 電子衝撃による希ガス原子の2p9励起状態への励起断面積を測定し,励起過程を論じた.
  • エネルギーゲインを指定したArq++CF4衝突における解離イオンの運動量画像分光, 本橋健次(責),高橋哲朗,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 原子衝突研究協会第26回研究会(立教大学・講演概要集),   2001年08月01日, Ar多価イオンとCF4分子との衝突において,エネルギー利得を選別した解離イオンの運動量画像分光測定を行い,その量子状態を特定した結果について述べた.
  • Momentum Imaging Spectroscopy for Fragment Ions produced in Single-Electron Transfer of Arq++N2/ CF4/ CH4 (q = 8 - 11) Collision, K. MOTOHASHI(責) and S. TSURUBUCHI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), XXII International Conference on Photonic, Electronic, and Atomic Collisions (ABSTRACTS OF CONTRIBUTED PAPERS),   2001年07月01日, Ar多価イオンとN2/ CF4/ CH4分子との衝突における二次イオンの質量分析と三次元運動量画像分析を行なった結果について述べた.
  • Momentum Distribution of Fragment Ions Produced in Collisions of Arq+ with CH4 and CF4, K. MOTOHASHI(責) and S. TSURUBUCHI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), International Symposium on (e, 2e), Double Photoionization and Related Topics, and Eleventh International Symposium on Polarization and Correlation in Electronic and Atomic Collisions (Program),   2001年07月01日, Ar多価イオンとCH4及びCF4分子との低エネルギー電荷移行衝突において生成されたH+とCF3+の三次元運動量画像について論じた.
  • 多価イオン-分子衝突における解離イオンの画像分光, 本橋健次(責),山田博之,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会第56回年次大会(新潟大学・講演概要集第56巻第1号第2分冊),   2001年03月01日, 多価イオンと分子との低エネルギー電荷移行衝突における解離イオンの画像分光装置の開発と予備実験結果について述べた.
  • 反応熱を指定した多価イオン-分子衝突におけるTOF実験, 本橋健次(責),森谷彰彦,山田博之,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会第55回年次大会(新潟大学・講演概要集第55巻第2号第2分冊),   2000年09月01日, 低エネルギー多価イオン衝突による分子の解離過程に対し,反応熱を特定した解離イオンの質量分析測定を行う方法について論じた.
  • 電子衝突によるNe原子の発光断面積測定, 鶴淵誠二,兵藤将光,小林弘知,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 本物理学会第55回年次大会(新潟大学・講演概要集第55巻第2号第2分冊),   2000年09月01日, 電子衝撃励起によるNe原子の発光断面積を測定し,その励起過程について論じた.
  • 反応熱を制御した多価イオン-分子衝突実験のための装置開発と予備実験結果, 本橋健次(責),山田博之,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 原子衝突研究協会第25回研究会(岡崎コンファレンスセンター・講演概要集),   2000年08月01日, 多価イオンと分子の低エネルギー衝突において,散乱イオンのエネルギー分析と解離イオンの運動量測定を同時に行なうための装置開発について述べた.
  • 電子衝突による希ガス原子2p9状態の励起過程, 鶴淵誠二,原郁夫,兵藤将光,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会2000年春の分科会(関西大学・講演概要集第55巻第1号第2分冊),   2000年03月01日, 電子衝撃励起による希ガス原子の2p9電子状態への励起断面積を測定し,その励起過程について論じた.
  • High Energy Operation of the Tokyo-Electron Beam Trap, H. KURAMOTO, N. NAKAMURA, H. WATANABE, H. SHIMIZU, T. KINUGAWA, F. J. CURREL, E. J. SOKELL, D. KATO, Y. LI, T. FUKAMI, C. YAMADA, K. OKAZAKI, M. SAKURAI, T. HIRAYAMA, K. MOTOHASHI, S. TSURUBUCHI, and S. OHTANI(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 8th International Conference on Ion Sources (Final Program and ABSTRACTS),   1999年09月01日, 電気通信大学に建設した世界最高性能の高電離多価イオン源において,高エネルギー電子ビーム入射実験を行った結果について発表した.
  • A Compact EBIT with NdFeB Permanent Magnets, K. MOTOHASHI(責), A. MORIYA, H. YAMADA, and S. TSURUBUCHI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 8th International Conference on Ion Sources (Final Program and ABSTRACTS),   1999年09月01日, NdFeB系永久磁石を用いた冷却装置を必要としない小型多価イオン源の開発概要と,その評価試験結果について述べた.
  • 永久磁石を用いた小型EBITの開発, 本橋健次(責),森谷彰彦,山田博之,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会1999年秋の分科会(岩手大学・講演概要集第54巻第2号第2分冊),   1999年09月01日, 永久磁石を用いた小型電子衝撃型多価イオン源の開発経緯と評価試験結果について述べた.
  • Development of A Compact EBIT with NdFeB Permanent Magnets, K. MOTOHASHI(責), A. MORIYA, H. YAMADA, and S. TSURUBUCHI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), XXI International Conference on the Physics of Electronic and Atomic Collisions (ABSTRACTS OF CONTRIBUTED PAPERS Vol. II),   1999年07月01日, NdFeB系永久磁石を用いた小型多価イオン源の開発概要と,その評価試験結果について述べた.
  • イオンビーム・固体表面相互作用の分光学的研究?, 二村智昭,和田雷太,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会54回年会(講演概要集第54巻第1号第4分冊),   1999年03月01日, Ar+イオンをAl表面に照射した場合の,スパッタ中性励起原子の発光強度の表面からの距離依存性を測定し,表面からの脱出速度を測定した.
  • 電子衝突によるKr(5p→5s)発光断面積の測定, 鶴淵誠二,高橋成門,原郁夫,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会54回年会(講演概要集第54巻第1号第4分冊),   1999年03月01日, 電子衝撃によるKrの5p→5s遷移の発光断面積を測定し,5p準位への励起過程について論じた.
  • 多価イオンの可視分光学的研究:チタン様等電子系列における基底微細構造準位の特異な振舞い, 山田千樫,加藤太治,深見常光,生田 功,渡辺裕文,岡崎清比古,鶴淵誠二,本橋健次,大谷俊介(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 原子衝突研究協会第23回研究会(慶応義塾大学矢上キャンパス・講演概要集),   1998年08月01日, 電通大多価イオン源における多価イオンの可視発光分光結果について述べた.
  • He+, Ar+衝突によるH2分子の解離過程, 山口直哉,青木健,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 原子衝突研究協会第23回研究会(慶応義塾大学矢上キャンパス・講演概要集),   1998年08月01日, 一価イオン衝突によりH2分子から解離した水素原子の発光断面積を測定し,その解離過程を論じた.
  • H-と希ガス原子の衝突によるH-の電子脱離励起, 本橋健次(責),青木健,山口直哉,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 原子衝突研究協会第23回研究会(慶応義塾大学矢上キャンパス・講演概要集),   1998年08月01日, H-と希ガス原子(He, Ne, Ar, Kr)との衝突によるHの発光断面積を測定し,電子脱離と電子励起過程について論じた.
  • Ar+衝突によるAl表面のスパッタリング過程 -スパッタ粒子の平均速度-, 和田雷太,二村智昭,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 原子衝突研究協会第23回研究会(慶応義塾大学矢上キャンパス・講演概要集),   1998年08月01日, Ar+をAl表面に照射したときに生成されるAl*励起原子からの発光スペクトル幅から,その平均速度を求め,スパッタリング過程を考察した.
  • Emission Cross Section for CH+ Produced by Electron Impact of CH4, K. MOTOHASHI(責) and S. TSURUBUCH(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), International Symposium on Electron-Molecule Collisions and Swarms (Program and Abstracts),   1998年07月01日, 電子衝撃によりCH4分子から解離したCH+の可視発光スペクトルを高分解能測定し,スペクトルシミュレーションを併用することにより断面積を測定した.
  • イオンビーム・固体表面相互作用の分光学的研究I, 二村智昭,海瀬直樹,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会第53回年会(東邦大学,日本大学・講演概要集第53巻第1号第4分冊),   1998年04月01日, イオンビームと固体表面との衝突により放出された励起原子からの発光スペクトルをドップラー解析することにより,スパッタ原子の平均速度を求め,スパッタリング過程について論じた.
  • H-イオンと希ガス原子の衝突による水素原子の発光断面積, 本橋健次(責),佐藤友則,山口直哉,青木健(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会第53回年会(東邦大学,日本大学・講演概要集第53巻第1号第4分冊),   1998年04月01日, H-イオンと希ガス原子との低エネルギー電荷移行衝突において,水素原子の発光断面積測定により電子励起過程を考察した.
  • 多価イオントラップからのイオン引出し, 清水宏,桜井誠,平山孝人,渡辺裕文,本橋健次,多田直子,山田千樫,Frederick John Currell,大谷俊介(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会第53回年会(東邦大学,日本大学・講演概要集第53巻第1号第4分冊),   1998年03月01日, 電通大多価イオントラップから真空中に引出した高電離多価イオンの質量選別スペクトル結果について論じた.
  • 多価イオンからの可視分光, 深見恒光,生田功,加藤太治,岡崎清比古,鶴淵誠二,本橋健次,大谷俊介(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会第53回年会(東邦大学,日本大学・講演概要集第53巻第1号第4分冊),   1998年03月01日, Tokyo-EBITにおけるCCD分光器を用いた可視発光分光結果から,トラップイオンの価数分布について論じた.
  • 電子衝突によるNe共鳴準位への励起断面積, 鶴淵誠二,荒川勝彦,紀國司朗,本橋健次(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会1997年秋の分科会(神戸大学六高台地区・講演概要集第52巻第2号第4分冊),   1997年10月01日, 電子衝突によるNe共鳴線の発光断面積を測定し,その励起過程について論じた.
  • Ar++H2衝突における発光断面積, 本橋健次(責),佐藤友則,青木健,山口直哉,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会1997年秋の分科会(神戸大学六高台地区・講演概要集第52巻第2号第4分冊),   1997年10月01日, Ar+とH2との低エネルギー電荷移行衝突において,解離した励起水素原子の発光断面積を測定し,その励起解離過程を論じた.
  • Tokyo - EBITを用いた多価イオンの分光学的研究, 中村信行,浅田順之,F. J. Currell,深見恒光,平山孝人,加藤太治,本橋健次,野地川栄光,大谷俊介,岡崎清比古,桜井誠,清水宏,多田直子,鶴淵誠二,渡辺裕文(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 原子衝突研究協会第22回研究会(京都大学吉田キャンパス・講演概要集),   1997年08月01日, 電通大多価イオン源における多価イオンの可視発光分光の結果について述べた.
  • He+衝突によるH2およびCH4の解離過程(発光断面積の測定), 本橋健次(責),佐藤友則,青木健,山口直哉,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 原子衝突研究協会第22回研究会(京都大学吉田キャンパス・講演概要集),   1997年08月01日, He+イオンとCH4分子の低エネルギー電荷移行衝突における解離種の発光断面積を測定し,解離経路を議論した.
  • Emission Cross Sections for the Fragment Species in He++CH4 collision, K. MOTOHASHI(責), T. SATO, and S. TSURUBUCHI(本人の担当:筆頭著者,共同研究のため抽出不可能,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), XX International Conference on the Physics of Electronic and Atomic Collisions (Technishe Universit?t Wien, Austria, SCIENTIFIC PROGRAM and ABSTRACTS of CONTRIBUTED PAPERS, Vol I),   1997年07月01日, He+とCH4分子との低エネルギー電荷移行衝突におけるH,C,Heの発光断面積を測定し,それぞれの解離過程を論じた.
  • The Tokyo Electron-Beam Ion Trap Experimental Program, S. OHTANI, J. ASADA, F. J. CURRELL, T. FUKAMI, H. HIRAYAMA, K. MOTOHASHI, N. NAKAMURA, E. NOJIKAWA, K. OKAZAKI, H. SHIRAISHI, M. SAKURAI, N. TADA, S. TSURUBUCHI, and H. WATANABE(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), XX International Conference on the Physics of Electronic and Atomic Collisions (Technishe Universit?t Wien, Austria, SCIENTIFIC PROGRAM and ABSTRACTS of CONTRIBUTED PAPERS, Vol II),   1997年07月01日, Tokyo-EBIT超高電離多価イオン源の開発状況と予備実験結果について述べた.
  • 低エネルギーHe++H2衝突における発光断面積, 佐藤友則,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会第52回年会(名城大学天白キャンパス・講演概要集第52巻第1号第4分冊),   1997年03月01日, He+とH2との低エネルギー電荷移行衝突における解離励起種の発光断面積を測定し,解離経路について論じた.
  • 低エネルギーHe++CH4衝突における発光断面積?, 本橋健次(責),佐藤友則,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会第52回年会(講演概要集第52巻第1号第4分冊),   1997年03月01日, He+とCH4との低エネルギー電荷移行衝突における解離励起種の発光断面積を測定し,解離経路について論じた.
  • Tokyo EBITにおけるニ電子性再結合の測定, 浅田順之,F. J. Currell,深見恒光,平山孝人,本橋健次,中村信行,野地川栄光,大谷俊介,岡崎清比古,桜井誠,白石博司,鶴淵誠二,渡辺裕文(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会第52回年会(名城大学天白キャンパス・講演概要集第52巻第1号第4分冊),   1997年03月01日, 電通大多価イオン源において観測された多価イオンと電子との二電子性再結合過程について論じた.
  • Arq+(q=1-8)衝突によるAlとAl2O3表面からの発光分光, 本橋健次(責),鶴淵誠二,清水宏,持治広造,田沼肇,小林信夫(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会1996年秋の分科会(山口大学吉田キャンパス・講演概要集第4分冊),   1996年10月01日, アルゴン多価イオン(価数:1〜8)をアルミニウムとアルミナ表面に衝突させた時のスパッタアルミニウム原子の発光分光により平均速度を求めた.
  • 電通大多価イオン源における可視分光, 本橋健次(責),鶴淵誠二,浅田順之,大谷俊介,白石博司,中村信行,野地川栄光,深見恒光,渡辺裕文,F.J.Currell,平山孝人,岡崎清比古,桜井誠(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会1996年秋の分科会(山口大学吉田キャンパス・講演概要集第4分冊),   1996年10月01日, 電気通信大学に建設したTokyo-EBIT超高電離多価イオン源からの可視分光スペクトルの観測と同定結果について述べた.
  • 電通大多価イオン源により生成された多価イオンからのX線の観測, 白石博司,浅田順之,F. J. Currell,深見恒光,平山孝人,本橋健次,中村信行,野地川栄光,岡崎清比古,大谷俊介,桜井誠,鶴淵誠二,渡辺裕文(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会1996年秋の分科会(山口大学吉田キャンパス・講演概要集第4分冊),   1996年10月01日, 電気通信大学に建設したTokyo-EBIT超高電離多価イオン源からのX線を観測し,トラップイオンの価数分布を調べた.
  • Extraction of Trapped Ions from the Tokyo EBIS / T, K. MOTOHASHI(責), J. ASADA, F. J. CURRELL, T. FUKAMI, T. HIRAYAMA, N. NAKAMURA, E. NOJIKAWA, K. OKAZAKI, S. OHTANI, M. SAKURAI, H. SHIRAISHI, S. TSURUBUCHI, and H. WATANABE(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), Eighth International Conference on the Physics of Highly Charged Ions (理化学研究所・Book of Abstracts),   1996年09月01日, 電気通信大学に建設した超高電離多価イオン源において,ビーム輸送系の設計・製作状況を述べた.
  • X - ray spectroscopy at the Tokyo EBIT Facility, J. ASADA, F. J. CURRELL, T. FUKAMI, T. HIRAYAMA, K. MOTOHASHI, N. NAKAMURA, E. NOJIKAWA, S. OHTANI, K. OKAZAKI, M. SAKURAI, H. SHIRAISHI, S. TSURUBUCHI, and H. WATANABE(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), Eighth International Conference on the Physics of Highly Charged Ions (理化学研究所・Book of Abstracts),   1996年09月01日, 電気通信大学に建設した超高電離多価イオン源において,Xe44+の放射性再結合過程と二電子性再結合により放出されたX線スペクトルを観測した.
  • Detector Systems for use with an Electron Beam Ion Trap, F. J. CURRELL, J. ASADA, T. FUKAMI, T. HIRAYAMA, K. MOTOHASHI, N. NAKAMURA, E. NOJIKAWA, S. OHTANI, K. OKAZAKI, M. SAKURAI, H. SIRAISHI, S. TSURUBUCHI, and H. WATANABE(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), Eighth International Conference on the Physics of Highly Charged Ions (理化学研究所・Book of Abstracts),   1996年09月01日, 電気通信大学に建設した超高電離多価イオン源において,電子ビームエネルギーの変化と同期させてX線発光断面積を測定するための計測システムを開発した.
  • Control systems of the Electron Beam Ion Trap at ILS / UEC, H. WATANABE, F. J. CURRELL, J. ASADA, T. FUKAMI, T. HIRAYAMA, K. MOTOHASHI, N. NAKAMURA, E. NOJIKAWA, S. OHTANI, K. OKAZAKI, M. SAKURAI, H. SIRAISHI, and S. TSURUBUCHI(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), Eighth International Conference on the Physics of Highly Charged Ions (理化学研究所・Book of Abstracts),   1996年09月01日, 電気通信大学に建設した超高電離多価イオン源において,高圧電源をすべてコンピューターから遠隔操作するためのシステムを設計開発した.
  • Optical emission spectroscopy of sputtered Al atoms from Al and Al2O3 surfaces interacted with Arq+ (q = 1 - 9), K. MOTOHASHI(責), S. TSURUBUCHI, H. SHIMIZU, K. MOCHIJI, H. TANUMA, and N. KOBAYASHI(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置開発,実験準備,測定データの取得,発表), Eighth International Conference on the Physics of Highly Charged Ions (Book of Abstracts),   1996年09月01日, 多価イオンをAl及びAl2O3表面に低エネルギー衝突させたときに放出されるAl*励起原子からの発光スペクトルに対するドップラー分析の結果.両者の標的において有意な差は観測されなかった.
  • Overview of Tokyo Electron Beam Ion Source / Trap at ILS / UEC, N. NAKAMURA, J. ASADA, F. J. CURRELL, T. FUKAMI, T. HIRAYAMA, K. MOTOHASHI, T. NAGATA, E. NOJIKAWA, S. OHTANI, K. OKAZAKI, M. SAKURAI, H. SHIMIZU, S. TSURUBUCHI, and H. WATANABE(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), Eighth International Conference on the Physics of Highly Charged Ions (理化学研究所・Book of Abstracts),   1996年08月01日, 電気通信大学に建設した超高電離多価イオン源の開発を総括し,今後の実験計画について述べた.
  • 電通大多価イオン源の運転, 中村信行,大谷俊介,F.J.Currell,渡辺裕文,西沢一生,浅田順之,白石博司,野地川栄光,深見恒光,桜井誠,鶴淵誠二,本橋健次,岡崎清比古,蓑曲在道,長田哲夫,家村一彰,平山孝人,石井宏一(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,実験), 日本物理学会第51回年会(金沢大学角間キャンパス・講演概要集第4分冊),   1996年04月01日, Tokyo-EBIT超高電離多価イオン源の運転状況と問題点及び今後の計画を述べた.
  • He++CH4衝突による発光断面積II, 本橋健次,河野篤,鵜飼正敏,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会第51回年会(金沢大学角間キャンパス・講演概要集第4分冊),   1996年04月01日, ヘリウムイオン衝突によるメタン分子からの発光断面積の衝突エネルギー依存性を測定し,その解離過程を考察した.
  • He++CH4衝突における発光断面積, 本橋健次(責),河野篤史,鵜飼正敏,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会1995年秋の分科会(大阪府立大学・講演概要集第4分冊),   1995年09月01日, ヘリウムイオン衝突によるメタン分子の発光断面積の衝突エネルギー依存性を測定した.
  • EBIS型多価イオン源の運転, F.J.Currell,大谷俊介,渡辺裕文,中村信行,西沢一生,浅田順之,桜井誠,鶴淵誠二,本橋健次,岡崎清比古,蓑曲在道,石井宏一(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得), 日本物理学会1995年秋の分科会(大阪府立大学・講演概要集第4分冊),   1995年09月01日, 超高電離多価イオントラップ(Tokyo-EBIT)の最初の運転状況について述べた.
  • A New Electron Beam Ion Trap (EBIT) for Producing and Studying Large Quantities of Highly Charged Ions, F. J. CURRELL, J. ASADA, K. ISHII, K. MOTOHASHI, N. NAKAMURA, K. NISHIZAWA, S. OHTANI, K. OKAZAKI, M. SAKURAI, S. TSURUBUCHI, and H. WATANABE(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置の設計.開発,実験), XIX International Conference on the Physics of Electronic and Atomic Collisions(Whistler, Canada, SCIENTIFIC PROGRAM and ABSTRACTS of CONTRIBUTED PAPERS Vol. 2),   1995年08月01日, 電気通信大学レーザー新世代研究センターに建設した超高電離多価イオン源Toky-EBITの開発状況について述べた.
  • A New Device for Non - destructively Monitoring for Position of a Charged - particle Beam in Real Time, F. J. CURRELL, J. ASADA, K. ISHII, K. MOTOHASHI, N. NAKAMURA, K. NISHIZAWA, S. OHTANI, K. OKAZAKI, M. SAKURAI, S. TSURUBUCHI, and H. WATANABE(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:装置の設計.開発,実験), XIX International Conference on the Physics of Electronic and Atomic Collisions(Whistler, Canada, SCIENTIFIC PROGRAM and ABSTRACTS of CONTRIBUTED PAPERS Vol. 2),   1995年08月01日, 荷電粒子ビームの通過位置を実時間でモニターできる検出器を開発した経緯と,その評価試験結果について述べた.
  • Emission Cross Sections for Fragment Species in Dissociative Excitation of CH4 by Electron Impact, 本橋健次(責),H. Soshi and S. Tsurubuchi(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), XIX International Conference on the Physics of Electronic and Atomic Collisions(Whistler, Canada, SCIENTIFIC PROGRAM and ABSTRACTS of CONTRIBUTED PAPERS Vol. 1 ),   1995年07月01日, 電子衝撃によりCH4から解離した水素原子とCH分子の可視発光に対し発光断面積を測定し,その励起過程と解離経路を論じた.
  • Electron - impact Emission Cross Section for the Resonance Line of Ar, 本橋健次(責),S. Tsurubuchi and T. Miyazaki(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), XIX International Conference on the Physics of Electronic and Atomic Collisions(Whistler, Canada, SCIENTIFIC PROGRAM and ABSTRACTS of CONTRIBUTED PAPERS Vol. 1),   1995年07月01日, 電子衝撃によるAr原子の共鳴線発光断面積を測定し,その励起過程を論じた.
  • 多価イオン分光用EBIS型イオン源の製作, 西沢一生,浅田順之,中村信行,渡辺裕文,F.J.Currell,本橋健次,岡崎清比古,大谷俊介,桜井誠,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:設計及び製作), 日本物理学会第50回年会(神奈川大学横浜キャンパス・講演概要集第4分冊),   1995年03月01日, 超高電離多価イオンを生成可能な世界最高レベルの電子衝撃型多価イオン源の設計と製作の進捗状況を述べた.
  • He++CH4衝突における解離過程, 本橋健次(責),河野篤,鵜飼正敏,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会第50回年会(神奈川大学横浜キャンパス・講演概要集第4分冊),   1995年03月01日, ヘリウムイオン衝突によるメタン分子の解離過程を発光スペクトル解析により行った.
  • スパッタされたCu原子の発光強度特性, 高野英明,本橋健次,鶴淵誠二(本人の担当部分:共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データ取得), 日本物理学会第50回年会(神奈川大学横浜キャンパス・講演概要集第4分冊),   1995年03月01日, アルゴンイオン衝突による銅表面のスパッタ励起原子の発光スペクトルを観測し,その平均速度を求めた.
  • e-+CH4により解離した励起H, C, CHの発光断面積測定−可視・真空紫外光−, 本橋健次(責),小沼 健,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会1994年秋の分科会(静岡大学・講演概要集第4分冊),   1994年09月01日, 電子衝突によりメタン分から解離した励起C原子,H原子,CH分子の発光断面積の衝突エネルギー依存性を測定した.
  • e-+CH4におけるCH(A2Δ-X2Π)の振動・回転温度分布, 本橋健次(責),曽雌裕之,鶴淵誠二(本人の担当部分:筆頭著者,共同研究のため抽出不可,本人の役割:実験準備,測定データの取得,発表), 日本物理学会第49回年会(福岡工業大学・講演概要集第4分冊) ,   1994年03月01日, 電子衝突によりメタン分から解離した励起CH分子の回転・振動スペクトルを分析し,その回転温度と振動温度を求めた.

特許

  • 金属原子内包フラーレン生成装置, 本橋 健次, 特願2014-264024, 特開2016-124712
  • イオンビーム軌道制御装置, 本橋健次, 特願2010-29015, 特開2011-165561, 特許5550042
  • 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置, 本橋健次、古山 英人, 櫛部 光弘, 高岡 圭児, 特願1992-243625, 特開平6-97957
  • 半導体レーザ及びその製造方法, 高岡 圭児、櫛部 光弘, 本橋 健次, 古山 英人, 特願1992-271083, 特開平6-97592

競争的資金

  • 炭素薄膜曲面上でのイオン多重散乱による原子内包カーボンクラスター生成, 独立行政法人日本学術振興会, 平成29年度科学研究費助成事業, 本橋 健次, 炭素原子を骨格とするカーボンクラスターは機能性材料として様々な分野で注目されている。中でも,原子内包カーボンクラスターは燃料電池,超電導,単分子メモリー/スイッチ/トランジスター,有機太陽電池,ドラッグデリバリーシステム,機能性薬剤等の幅広い応用が期待されている。しかしながら,既存の方法では合成した分子から所望の原子内包カーボンクラスターを単離・精製することが難しく,一般的に多段階プロセスが必要であるという課題がある。 本研究は,炭素系薄膜曲面上でのイオン斜入射散乱により,カーボンクラスターの原子内包過程と単離・精製プロセスを同時に行う方法の原理実証を目的としている。
  • 薄膜堆積曲面を利用した磁性金属原子内包フラーレン生成法の開発, 独立行政法人日本学術振興会, 平成26年度科学研究費助成事業, 本橋 健次
  • 固体曲面を用いた原子輸送制御, 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 共同研究, 本橋 健次
  • 固体表面を用いたイオンビーム輸送制御技術の開発, 東洋大学, 平成24年度学術推進研究センター研究所プロジェクト, 本橋 健次
  • イオン衝撃により金属表面からスパッタされた励起原子の発光分光でさぐるプラズマ原子過程, 核融合科学研究所, 一般共同研究, 酒井 康弘
  • 第2周期軽元素の原子分子データベースの作成およびアップデート, 核融合科学研究所, 一般共同研究, 北島 昌史
  • 構造制御表面のイオンビームによる制御の研究, 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 共同研究, 本橋 健次
  • シンチレーション検出器による川越キャンパスの空間放射線量調査, 東洋大学, 平成23年度理工学部長施策研究, 本橋 健次, 調査結果をホームページで公開中
  • 固体表面を用いたイオンビーム輸送制御技術の開発, 東洋大学, 平成23年度学術推進研究センター研究所プロジェクト, 本橋 健次
  • 軽イオン衝撃を受けた壁表面上での励起原子分子の運動エネルギーとポテンシャルエネルギー, 大学共同利用機関法人自然科学研究機構核融合科学研究所, 共同研究, 本橋 健次
  • 多価イオン-固体表面衝突におけるスパッタ中性原子の動的諸過程の解明, 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 黎明研究, 本橋 健次, 重荷電粒子によるスパッタ現象を発光分光観測し、中性原子放出機構に関する知見を得た。
  • 多価イオン励起による原子層別表面化学分析法の開発, 科学研究費 基盤研究(B)(一般), 本橋健次
  • 多価イオン―固体表面衝突におけるスパッタ中性原子の動的諸過程の解明, 独立行政法人日本原子力研究開発機構黎明研究, 本橋 健次
  • LHDの周辺プラズマのための高Z原子及び分子の原子分子データベース作成, 大学共同利用機関法人自然科学研究機構核融合科学研究所, 共同研究, 北島 昌史
  • 「LHDプラズマ内不純物炭化水素分子発生機構・挙動の解明と輸送制御, 大学共同利用機関法人自然科学研究機構核融合科学研究所, 共同研究, 季村 峯生
  • 化合物半導体の原子結合状態に関する基礎的研究, 東京農工大学, 21世紀COE「ナノ未来材料」融合研究, 鶴淵誠二
  • イオン衝撃を受けた固体表面の原子過程, 科学研究費 基盤研究(B)(一般), 鶴淵誠二
  • 多価イオンビームによるワイドギャップ半導体のスパッタリング過程, 東京農工大学, 21世紀COE「ナノ未来材料」若手研究者支援, 本橋 健次
  • 分子過程データ収集と評価,及びデータベース化作業, 大学共同利用機関法人自然科学研究機構核融合科学研究所, 共同研究, 季村 峯生
  • 多価イオン衝突による分子の解離過程に関する研究, 東京農工大学, 学長裁量経費, 本橋健次
  • 反応熱により制御された多価イオン-分子衝突における解離イオンの画像分光, 科学研究費 基盤研究(C)(一般), 本橋健次
  • 電子衝突による希ガス原子の発光断面積測定, 科学研究費 基盤研究(B)(一般), 鶴淵誠二, 鶴淵誠二
  • 小型多価イオン源を用いた多価イオン-分子衝突における解離過程―価数による反応熱の制御―, 科学研究費 奨励研究, 本橋健次
  • 永久磁石を用いた小型多価イオン源の開発, 財団法人実吉奨学会, 研究助成, 本橋 健次
  • 永久磁石を用いた電子衝撃型多価イオン源の開発, 財団法人守谷育英会, 平成9年度研究助成, 本橋 健次
  • 電子衝突によるCH4の解離・励起過程についての研究, 財団法人東京農工大学後援会, 平成7年度教育研究援助事業, 本橋 健次
  • 多価イオン衝突による絶縁体表面のクーロン爆発過程の分光学的研究, 科学研究費 重点領域研究(2)(公募研究), 本橋健次
  • 仕事関数の低い固体表面近傍における励起原子の脱励起過程, 科学研究費補助金 奨励研究(A), 本橋健次

その他

  •   2017年03月, 中高生による学会発表の審査, 日本物理学会第72回年次大会Jr.セッション
  •   2016年09月, 学会発表の審査, 日本物理学会2016年秋季大会:領域1放射線分科,原子分子分科・学生プレゼンテーション賞
  •   2016年04月, 卒業研究指導, 東洋大学理工学部生体医工学科(卒業論文題目:「大気圧プラズマ照射によるリンゴとバナナの糖度および色の変化」,「カイワレ大根の発芽と生育に及ぼす大気圧プラズマ照射の影響」,「食道がん及び皮膚がん細胞への大気圧プラズマ照射の影響」,「ガラス円筒面チャネル及び金属平板くさび型チャネル内壁での多価イオン散乱」,「ガラス平板くさび型チャネルへのフラーレンイオン入射のための減速レンズの開発」)
  •   2016年03月, 中高生による学会発表の審査, 日本物理学会第71回年次大会Jr.セッション
  •   2016年02月, 修士論文審査(副査), 東洋大学大学院理工学研究科生体医工学専攻(修士論文題目:「大気圧CVD装置を用いたカーボンナノチューブの作製とカーボンナノチューブ撚糸への応用」)
  •   2015年09月, 学会発表の審査, 日本物理学会2015年秋季大会・領域1・放射線分科・原子分子分科・学生プレゼンテーション賞
  •   2015年04月, 卒業研究指導, 東洋大学理工学部生体医工学科(卒業論文題目:大気圧プラズマ照射による大腸がん細胞の不活化」,二十日大根種子の生育に及ぼす大気圧プラズマ照射の影響」,「フラーレン蒸着ガラス円筒面チャネル内壁での多価イオン散乱」,「フラーレン蒸着ガラス楔形チャネル内壁での多価イオン散乱」
  •   2015年02月, 修士論文審査(副査), 東洋大学大学院工学研究科機能システム専攻(修士論文題目:「レーザ加工によるマイクロ金型の作製と無痛針への応用」)
  •   2015年02月, 修士論文審査(主査), 東洋大学大学院工学研究科博士前期課程機能システム専攻(修士論文題目:「固体表面を用いたイオンビーム輸送制御技術の開発」)
  •   2014年09月, 修士論文指導:東洋大学大学院工学研究科, 機能システム専攻(修士論文題目:固体表面を用いたイオンビーム輸送制御技術の開発)
  •   2014年09月, 講義ノートのWeb公開, 東洋大学大学院理工学研究科「量子ビーム医工学特論」講義ノートをToyoNet-Ace上で公開した.
  •   2014年04月, 卒業研究指導, 東洋大学理工学部生体医工学科(卒業論文題目(仮題):「フラーレンイオンビーム衝突によるフェロセン含有ガラス曲面での鉄原子内包過程の研究」,「フェロセン終端自己組織化単分子膜上でのフラーレンイオンの鉄原子内包過程の研究」
  •   2013年09月, 修士論文審査(副査), 東邦大学大学院理学研究科物理学専攻(修士論文題目:「イオンビーム照射によりタングステン表面からスパッタリングおよび後方散乱された励起原子の発光分光」)
  •   2013年04月, 講義ノートと課題のWeb公開, 東洋大学大学院理工学研究科「プラズマ物理学」
  •   2013年04月, 卒業研究指導, 東洋大学理工学部生体医工学科(卒業論文題目:「医療器具滅菌のための大面積大気圧プラズマ装置の開発」,「大気圧プラズマ照射による細胞活性化の研究」,「生体適合化を目的とした表面改質用電子銃の開発~ステンレス鋼への電子照射試験~」,「生体適合化を目的とした表面改質用電子銃の開発~アクリル樹脂への電子照射試験~」,「C60+イオン照射された医療用金属の表面特性評価」,「C60+イオン照射されたチタン表面の生体適合性の評価」)
  •   2013年03月, 学会の座長, 2013年第60回応用物理学会春季学術講演会, 7. ビーム応用 7.5ビーム・光励起表面反応29a-B1-1-2
  •   2012年07月, 学会の座長, 原子衝突学会第37回年会,シンポジウム講演 光・周期場による原子分子制御への挑戦
  •   2012年04月, 卒業研究指導, 東洋大学理工学部生体医工学科(卒業論文題目:「固体表面を用いた多価イオンビームの輸送制御技術の開発~Ar8+(8keV)とC602+(4.8keV)イオンビーム~」,「固体表面を用いた多価イオンビームの輸送制御技術の開発~ Ar8+ (80keV) とC603+ (4.8keV) イオンビーム ~」,「ガラス円筒面レンズを用いた一価イオンビーム輸送制御技術の開発~ C+(4MeV)とC60+(4.8keV) イオンビーム ~」)
  •   2012年03月, 学会の座長, 日本物理学会第67回年次大会,領域1・放射線物理(クラスター物理),24aAB
  •   2012年02月, 非常勤講師, 国立大学法人新潟大学大学院自然科学研究科,集中講義(自然環境科学(第二部))
  •   2011年11月, 模擬講義, 東洋大学付属牛久高校「放射線とは何か?」
  •   2011年11月, 模擬講義, 福島県立原町高校・「Quantum Beam(量子ビーム)でからだを診る・治す」
  •   2011年11月, 講演, 埼玉県川越環境連絡会「放射線とは何か?」
  •   2011年10月, 一般向け講義, 東京都中央区民カレッジ「放射線とは何か? -放射線とその測定原理-」
  •   2011年09月, 学会の座長, 日本物理学会2011年秋季大会,領域1・原子分子・放射線融合(キャピラリー),22pEE
  •   2011年04月, テキストと資料のWeb公開, 東洋大学理工学部生体医工学科「プロジェクトV 」放射線計測
  •   2011年04月, 講義ノートと課題のWeb公開, 東洋大学大学院工学研究科「プラズマエレクトロニクス特論」
  •   2011年04月, 一般向け講演, 3夜連続緊急シンポジウム 「東日本大震災にみる諸問題を考える」 Ⅲ「福島原発による放射線問題 -放射線に関する基礎知識と健康問題を考える」①放射線とは何か― 放射線とその測定原理 ―
  •   2011年04月, 学習支援活動, 東洋大学川越キャンパス学習支援室(物理学)
  •   2010年06月, 模擬講義, 都立練馬高校「現代のものづくり:マクロからミクロ,ハードからソフトまで」
  •   2010年02月, セミナー講演, 埼玉県産学連携セミナー「量子ビームの基礎とその可能性について」
  •   2009年09月, 学会の座長, 第70回応用物理学会学術講演会, 7. ビーム応用 7.5ビーム・光励起表面反応,10pZF-1-9
  •   2009年08月, 学会の座長, 原子衝突研究協会第34回年会, 特別講演, T2
  •   2009年04月, 講義ノート,課題,例題,演習問題模範解答のWeb公開, 東洋大学理工学部共通科目「物理学A」
  •   2009年04月, 講義ノート,課題,例題,演習問題模範解答のWeb公開, 東洋大学理工学部共通科目「物理学B」
  •   2009年04月, 演習問題,資料,模範解答のWeb公開, 東洋大学理工学部共通科目「物理学A演習」
  •   2008年09月, 学会の座長, 日本物理学会2008年秋季大会, 領域1・原子分子・放射線融合(ガラスキャピラリー,イオン-表面相互作用), 21aZF
  •   2008年03月, 学会の座長, 第55回応用物理学関係連合講演会, 7. ビーム応用 7.8 ビーム応用一般・新技術 27a-ZM-1-7
  •   2007年09月, 学会の座長, 日本物理学会第62回年次大会,領域1・放射線物理(クラスター衝突素過程), 21aRE
  •   2007年04月, 客員研究員, 独立行政法人理化学研究所 基幹研究所 低速多価イオンと絶縁体表面衝突の研究
  •   2006年03月, 学会の座長, 日本物理学会第61回年次大会,領域1・原子・分子, 30aTB
  •   2005年09月, 学会の座長, 日本物理学会2005年秋季大会,領域1・原子・分子, 20aYA 8-14
  •   2004年09月, 学会の座長, 日本物理学会2004年秋季大会,領域1・原子・分子, 15pTE 7-19
  •   2002年03月, 学会の座長, 日本物理学会第57回年次大会,領域1・原子・分子, 25aXL 7-11
  •   2001年09月, 学会の座長, 日本物理学会2001年秋季大会,領域1・原子・分子, 17aTA 1-6
  •   2001年03月, 学会の座長, 日本物理学会第56回年次大会,領域1・原子・分子, 30aZF 1-5
  •   2000年03月, 学会の座長, 日本物理学会2000年春の分科会,領域1・原子・分子, 23aF 1-6
  •   1999年09月, 学会の座長, 日本物理学会1999年秋の分科会,領域1・原子・分子, 26aB 1-6
  •   1995年04月, 客員研究員, 東京都立大学理学部「多価イオン衝突による固体表面からの二次中性励起原子放出の分光学的研究」

教育活動情報

担当経験のある科目

  • 医工学特別輪講Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ,Ⅳ, 東洋大学大学院
  • 医工学特別研究Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ,Ⅳ, 東洋大学大学院
  • 医工学研究Ⅰ,Ⅱ, 東洋大学
  • Scientific Concepts in English, 東洋大学
  • 量子ビーム医工学特論, 東洋大学大学院
  • 物理学A, 東洋大学
  • 物理学B, 東洋大学
  • 物理学A演習, 東洋大学
  • 物理学実験, 東洋大学
  • プロジェクトV, 東洋大学
  • プロジェクトVI, 東洋大学
  • プロジェクトVII, 東洋大学
  • プロジェクトVIII, 東洋大学
  • プラズマエレクトロニクス特論, 東洋大学大学院
  • プラズマ物理学, 東洋大学大学院
  • 工学概論, 東洋大学
  • 生体医工学序論, 東洋大学
  • 力学演習, 東京農工大学
  • 電磁気学演習, 東京農工大学
  • 物理数学演習, 東京農工大学
  • 量子力学演習, 東京農工大学
  • 物理システム工学実験I, 東京農工大学
  • 物理システム工学実験II, 東京農工大学
  • 物理士システム工学実験, 東京農工大学

社会貢献活動情報

社会貢献活動

  • 小・中学生向けセミナー, 講師, 日本物理学会,   2015年07月18日 - 2015年07月18日, ジョイントマットに15mの被覆銅線を巻きつけたゲルマニウムラジオを製作し,ラジオの原理を学ぶ講座の講師を務めた。部品は抵抗,バリコン,インダクタ,ダイオードの4つだけで,これらを圧着端子とボルトだけで木製基板に配線する.