根岸　良太 (ネギシ　リョウタ)

研究者情報

学位

• 博士（理学）（2003年12月 横浜市立大学）

ホームページURL

http://www2.toyo.ac.jp/~negishi046

科研費研究者番号

• 30381586

J-Global ID

• 200901003622189620

研究キーワード

• バイオセンサー   ナノエレクトロニクス   結晶成長   ナノカーボン   表面科学   

研究分野

• ナノテク・材料 / 複合材料、界面
• ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性
• ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器
• 自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理

経歴

• 2024年04月 - 現在  東洋大学バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター
• 2022年04月 - 現在  東洋大学理工学部 電気電子情報工学科教授
• 2020年04月 - 2022年03月  東洋大学理工学部 電気電子情報工学科准教授
• 2009年11月 - 2020年03月  大阪大学大学院工学研究科助教
• 2008年04月 - 2009年10月  理化学研究所石橋極微デバイス基礎科学特別研究員
• 2007年10月 - 2008年03月  理化学研究所石橋極微デバイス協力研究員
• 2003年04月 - 2007年09月  科学技術振興機構ナノ量子導体アレープロジェクト博士研究員

学歴

• 2000年04月 - 2003年08月   横浜市立大学   大学院   総合理学研究科 博士課程
• 1998年04月 - 2000年03月   横浜市立大学   大学院   総合理学研究科 修士課程

研究活動情報

論文

• Promotion of the structural repair of graphene oxide thin films by thermal annealing in water-ethanol vapor

  Ryota Negishi; Takuya Nakagiri; Masashi Akabori; Yoshihiro Kobayashi

  Thin Solid Films 775 139841 - 139841 2023年06月
• Synthesis and Transport Analysis of Turbostratic Multilayer Graphene

  Ryota Negishi; Yoshihiro Kobayashi

  Quantum Science and Technology 149 - 180 2022年05月
• Scanning probe analysis of twisted graphene grown on a graphene/silicon carbide template

  Yao Yao; Ryota Negishi; Daisuke Takajo; Makoto Takamura; Yoshitaka Taniyasu; Yoshihiro Kobayashi

  NANOTECHNOLOGY 33 15 2022年04月
• Crossover point of the field effect transistor and interconnect applications in turbostratic multilayer graphene nanoribbon channel

  Ryota Negishi; Katsuma Yamamoto; Hirofumi Tanaka; Seyed Ali Mojtahedzadeh; Nobuya Mori; Yoshihiro Kobayashi

  Scientific Reports 11 1 1 - 12 2021年05月 [査読有り]
  
  ダウンロード
• 酸化グラフェンからの高結晶グラフェンの合成

  根岸 良太

  工業技術 43 37 - 40 2021年02月
• Turbostratic Stacking Effect in Multilayer Graphene on the Electrical Transport Properties

  Ryota Negishi; Chaopeng Wei; Yao Yao; Yui Ogawa; Masashi Akabori; Yasushi Kanai; Kazuhiko Matsumoto; Yoshitaka Taniyasu; Yoshihiro Kobayashi

  physica status solidi (b) 257 2 1900437 - 1900437 2020年02月 [査読有り]
  
• Neuromorphic Switching Behavior in the Multi-stacking Composed of Pt/Graphene Oxide/Ag2S/Ag

  Bruno Kenichi Saika; Ryota Negishi; Yoshihiro Kobayashi; Corresponding author

  Japanese Journal of Applied Physics 58 SIID08 1 - 5 2019年07月 [査読有り]
  
• Effect of protective layer on carbon nanotube thin film channel in biosensor device

  Ritsu Niimi; Ryota Negishi; Michiharu Arifuku; Noriko Kiyoyanagi; Tomohiro Yamaguchi; Koji Ishibashi; Yoshihiro Kobayashi; Corresponding author

  Japanese Journal of Applied Physics 58 SIIB14 1 - 5 2019年06月 [査読有り]
  
• Turbostratic multilayer graphene synthesis on CVD graphene template toward improving electrical performance

  Chaopeng Wei; Ryota Negishi; Yui Ogawa; Masashi Akabori; Yoshitaka Taniyasu; Yoshihiro Kobayashi; Corresponding author

  Japanese Journal of Applied Physics 58 SIID04 1 - 5 2019年06月 [査読有り]
  
• Biosensor response from target molecules with inhomogeneous charge localization

  Kase Hiroto; Negishi Ryota; Arifuku Michiharu; Kiyoyanagi Noriko; Kobayashi Yoshihiro; Corresponding author

  Journal of Applied Physics 124 6 064502  2018年08月 [査読有り]
  
• Investigation of surface potentials in reduced graphene oxide flake by Kelvin probe force microscopy

  Negishi Ryota; Takashima Kai; Kobayashi Yoshihiro; Corresponding author

  Japanese Journal of Applied Physics 57 6S1 06HD02  2018年05月 [査読有り]
  
• Diameter dependence of longitudinal unzipping of single-walled carbon nanotube to obtain graphene nanoribbon

  Minoru Fukumori; Reetu Raj Pandey; Taizo Fujiwara; Amin TermehYousefi; Ryota Negishi; Yoshihiro Kobayashi; Hirofumi Tanaka; Takuji Ogawa

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56 6 2017年06月 [査読有り]
  
• Chirality dependence of Longitudinal Unzipping of Single-Walled Carbon Nanotube to obtain Graphene Nanoribbon

  M. Fukumori; R. R. Pandey; T. Fujiwara; A. TermehYousefi; R. Negishi; Y. Kobayashi; H. Tanaka; T. Ogawa

  Jpn. J. Appl. Phys. 56 06GG02  2017年05月 [査読有り]
  
• Synthesis of very narrow multilayer graphene nanoribbon with turbostratic stacking

  R. Negishi; K. Yamamoto; H. Kitakawa; M. Fukumori; H. Tanaka; T. Ogawa; Y. Kobayashi

  APPLIED PHYSICS LETTERS 110 20 201901/1 - 4 2017年05月 [査読有り]
  
• Improving sensor response using reduced graphene oxide film transistor biosensor by controlling the adsorption of pyrene as an anchor molecule

  Negishi Ryota; Matsui Yuji; Kobayashi Yoshihiro; Corresponding author

  Japanese Journal of Applied Physics 56 6 06GE04/1 - 4 2017年05月 [査読有り]
  
• Synthesis of highly crystalline graphene films showing band-like transport from the defective graphene oxide

  根岸 良太; 小林 慶裕; ing

  ナノ学会会報 15 2 39 - 45 ナノ学会 2017年 [査読有り][招待有り]
  
• 酸化グラフェンからの高結晶性グラフェン薄膜の合成とバイオセンサー応用

  根岸 良太; 小林 慶裕; ing

  MATERIAL STAGE 17 1 1 - 6 2017年 [招待有り]
  
• Band-like transport in highly crystalline graphene films from defective graphene oxides

  R. Negishi; M. Akabori; T. Ito; Y. Watanabe; Y. Kobayashi

  SCIENTIFIC REPORTS 6 28936/1 - 10 2016年07月 [査読有り]
  
• 放射光分光による還元・構造修復させた酸化グラフェン薄膜の構造とその伝導機構解析

  根岸 良太; 赤堀 誠志; 伊藤 孝寛; 渡辺 義夫; 小林 慶裕

  表面科学学術講演会要旨集 36 5 - 5 公益社団法人 日本表面科学会 2016年
• Method for Controlling Electrical Properties of Single-Layer Graphene Nanoribbons via Adsorbed Planar Molecular Nanoparticles (vol 5, 12341, 2015)

  Hirofumi Tanaka; Ryo Arima; Minoru Fukumori; Daisuke Tanaka; Ryota Negishi; Yoshihiro Kobayashi; Seiya Kasai; Toyo Kazu Yamada; Takuji Ogawa

  SCIENTIFIC REPORTS 5 12341/1 - 8 2015年10月 [査読有り]
  
• Method for Controlling Electrical Properties of Single-Layer Graphene Nanoribbons via Adsorbed Planar Molecular Nanoparticles

  Hirofumi Tanaka; Ryo Arima; Minoru Fukumori; Daisuke Tanaka; Ryota Negishi; Yoshihiro Kobayashi; Seiya Kasai; Toyo Kazu Yamada; Takuji Ogawa

  SCIENTIFIC REPORTS 5 2015年07月 [査読有り]
  
• Extraordinary suppression of carrier scattering in large area graphene oxide films

  R. Negishi; Y. Kobayashi

  APPLIED PHYSICS LETTERS 105 25 253502/1 - 5 2014年12月 [査読有り]
  
• Strain induced intermixing of Ge atoms in Si epitaxial layer on Ge(111)

  Aki Tosaka; Izumi Mochizuki; Ryota Negishi; Yukichi Shigeta

  Journal of Applied Physics 113 7 073511 - 073511 2013年02月 [査読有り]
  
• Influence of nanoparticle size to the electrical properties of naphthalenediimide on single-walled carbon nanotube wiring

  Hirofumi Tanaka; Liu Hong; Minoru Fukumori; Ryota Negishi; Yoshihiro Kobayashi; Daisuke Tanaka; Takuji Ogawa

  NANOTECHNOLOGY 23 21 215701/1 - 6 2012年06月 [査読有り]
  
• Carrier Transport Properties of the Field Effect Transistors with Graphene Channel Prepared by Chemical Vapor Deposition

  Ryota Negishi; Yasuhide Ohno; Kenzo Maehashi; Kazuhiko Matsumoto; Yoshihiro Kobayashi

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51 6 06FD03/1 - 4 2012年06月 [査読有り]
  
• 自己組織化分子リソグラフィーによるナノギャップ電極作製法の開発と応用

  Nishino Takayuki; Negishi Ryota; Ishibashi Koji

  Journal Vacuum Society Japan 55 7 333 - 340 2012年 [査読有り][招待有り]
  
• Layer-by-layer growth of graphene layers on graphene substrates by chemical vapor deposition

  Ryota Negishi; Hiroki Hirano; Yasuhide Ohno; Kenzo Maehashi; Kazuhiko Matsumoto; Yoshihiro Kobayashi

  THIN SOLID FILMS 519 19 6447 - 6452 2011年07月 [査読有り]
  
• Thickness Control of Graphene Overlayer via Layer-by-Layer Growth on Graphene Templates by Chemical Vapor Deposition

  Ryota Negishi; Hiroki Hirano; Yasuhide Ohno; Kenzo Haehashi; Kazuhiko Matsumoto; Yoshihiro Kobayashi

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 6 06GE04/1 - 4 2011年06月 [査読有り]
  
• Fabrication of Nanogap Electrodes by the Molecular Lithography Technique

  Takayuki Nishino; Ryota Negishi; Hirofumi Tanaka; Takuji Ogawa; Koji Ishibashi

  JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50 3 035204/1 - 6 2011年03月 [査読有り]
  
• The fabrication and single electron transport of Au nano-particles placed between Nb nanogap electrodes

  T. Nishino; R. Negishi; M. Kawao; T. Nagata; H. Ozawa; K. Ishibashi

  NANOTECHNOLOGY 21 22 225301/1 - 6 2010年06月 [査読有り]
  
• Strain Induced Modification of Quasi-two Dimensional Electron Gas State on √3×√3 Ag Structure

  Mochizuki Izumi; Ryota Negishi; Shigeta Yukichi

  Journal of applied physics 107 8 084317/1 - 3 2010年04月 [査読有り]
  
• Strain induced modification of surface metallic states on √3×√3 Ag structure

  Shigeta Yukichi; Mochizuki Izumi; Negishi Ryota

  FEB RAS, IACP(Vladivostok) 183  2010年 [査読有り]
  
• Local electronic states on two-dimensional nanoscale island of Si and Ge fabricated on Si(111) 7 × 7 substrate

  Yukichi Shigeta; Ryota Negishi; Masahiko Suzuki

  International Journal of Nanoscience 8 6 595 - 603 2009年12月 [査読有り]
  
• Modification of electric states of √3×√3 Ag structure by strained Ge/Si(111) substrate

  Mochizuki Izumi; Negishi Ryota; Shigeta Yukichi

  Journal of applied physics 106 1 013709/1 - 4 2009年07月 [査読有り]
  
• ハイブリッド型微細加工技術を用いた金ナノ粒子の単電子トンネルの観察

  根岸 良太; 田中 啓文

  Journal Vacuum Society Japan 51 7 428 - 432 2008年 [査読有り][招待有り]
  
• シリコン及びゲルマニウムナノアイランドの微細構造と局所電子状態

  重田 諭吉; 根岸 良太; 鈴木 雅彦

  Journal Vacuum Society Japan 51 5 291 - 297 2008年 [査読有り]
  
• Size-dependent single electron tunneling effect in Au nanoparticles

  R. Negishi; T. Hasegawa; H. Tanaka; K. Terabe; H. Ozawa; T. Ogawa; M. Aono

  SURFACE SCIENCE 601 18 3907 - 3911 2007年09月 [査読有り]
  
• I-V characteristics of single electron tunneling from symmetric and asymmetric double-barrier tunneling junctions

  R. Negishi; T. Hasegawa; K. Terabe; M. Aono; H. Tanaka; T. Ogawa; H. Ozawa

  APPLIED PHYSICS LETTERS 90 22 223112/1 - 3 2007年05月 [査読有り]
  
• Growth of metallic Au silicide islands on the Si(111) -(7×7) substrate

  Mochizuki Izumi; Negishi Ryota; Shigeta Yukichi

  Journal of Physics Journal of physics Conference Series 61 1056 - 1060 2007年 [査読有り]
  
• Fabrication of nanoscale gaps using a combination of self-assembled molecular and electron beam lithographic techniques

  R Negishi; T Hasegawa; K Terabe; M Aono; T Ebihara; H Tanaka; T Ogawa

  APPLIED PHYSICS LETTERS 88 22 223111/1 - 3 2006年05月 [査読有り]
  
• Fabrication of uniform Au silicide islands on the Si(111)-(7×7) substrate

  Negishi Ryota; Mochizuki Izumi; Shigeta Yukichi

  Surface Science 600 5 1125 - 1128 2006年03月 [査読有り]
  
• Strain and electronic structure of Ge nanoislands on Si(111)-7×7 surface

  Suzuki Masahiko; Negishi Ryota; Shigeta Yukichi

  Physical Review B 72 23 235325/1 - 5 2005年12月 [査読有り]
  
• Ionic-electronic conductor nanostructures: Template-confined growth and nonlinear electrical transport

  CH Liang; K Terabe; T Hasegawa; R Negishi; T Tamura; M Aono

  SMALL 1 10 971 - 975 2005年09月 [査読有り]
  
• Electronic structure of dangling-bond states on the Si nanoisland and the Si(111) 7×7 substrate

  Negishi Ryota; Suzuki Masahiko; Shigeta Yukichi; Corresponding author

  Journal of Applied Physics 98 6 063712/1 - 5 2005年09月 [査読有り]
  
• Growth of nanoscale Si and Ge islands on S i (111)-7 X7substrate

  Shigeta Yukichi; Negishi Ryota; Suzuki Masahiko

  Surface Science Research, edited by Charles P. Norris 75 - 91 2005年 [査読有り]
  
• Study of photoelectron spectroscopy from extremely uniform Si nano-islands on Si(111) 7×7 substrate

  Negishi Ryota; Suzuki Masahiko; Shigeta Yukichi; Corresponding author

  Journal of Applied Physics 96 9 5013 - 5016 2004年11月 [査読有り]
  
• Interrelations between the local electronic states and the atomic structures in the Si nanoscale island on Si(111)-(7×7) surface

  Negishi Ryota; Shigeta Yukichi; Corresponding author

  Jornal of Applied Physics 93 8 4824 - 4830 2003年04月 [査読有り]
  
• Local structure and electronic state of a nanoscale Si island on Si(111)-7×7 substrate

  Negishi Ryota; Shigeta Yukichi; Corresponding author

  Surface Science 507 582 - 587 2002年06月 [査読有り]
  
• Nucleation of polycrystalline layer induced by formation of 30 ° partial dislocation during Si/Si(111) growth

  Negishi Ryota; Shigeta Yukichi; Corresponding author

  Surface Science 505 1-3 225 - 233 2002年05月 [査読有り]
  
• Surface roughening induced by a characteristic surface structure of a Si film grown on Si(111)

  R Negishi; Y Shigeta

  SURFACE SCIENCE 481 1-3 67 - 77 2001年06月 [査読有り]
  

書籍

• Quantum hybrid electronics and materials

  (担当:分担執筆範囲:)2022年 ISBN: 9789811912016

講演・口頭発表等

• Anomalous electrical transport properties of multilayer graphene with turbostratic stacking fabricated by CVD on graphene templates  [招待講演]

  根岸 良太

  Workshop Hybrid Quantum 2019年06月 口頭発表（招待・特別）
• Restoration and layer-by-layer growth of graphene structures by controlling partial pressure of ethanol vapor through high process temperature  [招待講演]

  根岸 良太

  Nanotech Malaysia 2018年05月 口頭発表（招待・特別）
• 単層・多層グラフェン薄膜の合成と物性-エレクトロニクス応用に向けて-  [招待講演]

  根岸 良太

  新学術領域研究 若手研究会 2018年01月 口頭発表（招待・特別）
• 単層から多層グラフェン薄膜の科学-合成とその物性-  [招待講演]

  根岸 良太

  ナノカーボンワークショップ 2017年08月 口頭発表（招待・特別）
• Band-like transport of highly crystalline graphene films from defective graphene oxides  [招待講演]

  根岸 良太

  Collaborative Conference on Material Research 2017年06月 口頭発表（招待・特別）
• 酸化グラフェン薄膜からの高結晶性グラフェン形成とそのバンド伝導  [招待講演]

  根岸 良太

  第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年03月 口頭発表（招待・特別）
• グラフェンの成長技術と物性  [招待講演]

  根岸 良太

  ナノ学会 ナノ構造・物性－ナノ機能・応用部会合同シンポジウム 2016年12月 口頭発表（招待・特別）
• 放射光分光による還元・構造修復させた酸化グラフェン薄膜の構造とその伝導機構解析  [招待講演]

  根岸 良太

  第36回表面科学学術講演会、第57回真空に関する連合講演会 2016年11月 口頭発表（招待・特別）
• XAFSによる還元・構造修復させた酸化グラフェン薄膜の構造解析  [招待講演]

  根岸 良太

  名大シンクロトロン研究センターシンポジウム 2015年01月 口頭発表（招待・特別）
• estoration of graphitic structure in reduced graphene oxide films: Toward biosensor applications  [招待講演]

  根岸 良太

  応用物理学会関西支部講演会 2014年02月 口頭発表（招待・特別）
• エタノール気相化学成長法による酸化グラフェン薄膜の構造改質とバイオセンサー応用  [招待講演]

  根岸 良太

  日本物理学会北陸支部特別講演会 2013年12月 口頭発表（招待・特別）

MISC

• 酸化グラフェンからの高結晶性グラフェン薄膜の合成とバイオセンサー応用 (特集 『伸縮性センサ』,その材料開発と応用)

  根岸 良太; 小林 慶裕 Material stage 17 (1) 42 -47 2017年04月
• 30aRD-3 歪みによるSi/Ge(111)-√<3>×√<3>-Ag表面の電子状態の変化(30aRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

  望月 出海; 根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 64 (1) 917 -917 2009年03月
• 26aTD-3 Ge/Si(111)-5×5-DAS表面上のAg吸着構造の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)

  望月 出海; 根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 63 (1) 903 -903 2008年02月
• 20pTG-5 ナノギャップ電極を用いた単電子トンネリングの電気特性とその構造評価(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)

  根岸 良太; 長谷川 剛; 田中 啓文; 小澤 寛晃; 寺部 一弥; 小川 琢治; 青野 正和 日本物理学会講演概要集 62 (1) 913 -913 2007年02月
• 20aPS-11 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態と光電子分光(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

  望月 出海; 根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 62 (1) 897 -897 2007年02月
• 30pXC-2 ナノギャップ電極を用いた単電子トンネリングの測定(30pXC 微小超伝導体・金属量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

  根岸 良太; 長谷川 剛; 田中 啓文; 海老原 知子; 寺部 一弥; 小川 琢治; 青野 正和 日本物理学会講演概要集 61 (1) 707 -707 2006年03月
• 30pYB-2 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの局所電子状態(30pYB 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

  望月 出海; 根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 61 (1) 916 -916 2006年03月
• 22aXF-7 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と電子状態(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

  望月 出海; 根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 60 (2) 783 -783 2005年08月
• 22aXF-10 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態II(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

  鈴木 雅彦; 根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 60 (2) 784 -784 2005年08月
• 25aXC-4 Si(111)表面上のAuシリサイドナノクラスターの形成と温度変化(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))

  望月 出海; 根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 60 (1) 857 -857 2005年03月
• 25aXC-3 Si(111)表面上のGeナノアイランドの局所歪と局所電子状態(表面ナノ構造,領域9(表面・界面, 結晶成長))

  鈴木 雅彦; 根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 60 (1) 857 -857 2005年03月
• 15aPS-69 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドに特有な局所電子状態(領域 9)

  鈴木 雅彦; 根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 59 (2) 839 -839 2004年08月
• 30aWP-4 Si(111)表面上のGeナノアイランドの電子状態(ナノ構造量子物性)(領域9)

  鈴木 雅彦; 根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 59 (1) 926 -926 2004年03月
• 20aPS-57 Si(111) 表面上の Ge ナノアイランドの形成過程 II

  鈴木 雅彦; 根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 58 (2) 781 -781 2003年08月
• 31pZF-4 Si(111) 基板上に自己形成した Si ナノ構造に対する表面電子状態の光電子分光測定

  根岸 良太; 鈴木 雅彦; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 58 (1) 891 -891 2003年03月
• 26pWD-9 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態II(26pWD クラスター・表面ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

  根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 57 (1) 854 -854 2002年03月
• 19pPSB-56 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態II

  根岸 良太; 重田 論吉 日本物理学会講演概要集 56 (2) 767 -767 2001年09月
• 28pYQ-12 Si(111)表面上に自己形成したSiナノクラスターの構造と局所電子状態

  根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 56 (1) 812 -812 2001年03月
• 25pWB-8 低温エピタキシーにおける特有な表面構造に起因した表面ラフニングII

  根岸 良太; 重田 論吉 日本物理学会講演概要集 55 (2) 802 -802 2000年09月
• 23aT-11 低温エピタキシーにおける特有な表面構造に起因した表面ラフニング

  根岸 良太; 重田 諭吉 日本物理学会講演概要集 55 (1) 760 -760 2000年03月

産業財産権

• 特願15/501991:Field Effect Transistor and Sensor using Same  2017年12月07日

  KOBAYASHI Yoshihiro, NEGISHI Ryota, KASE Hiroto, ARIFUKU Michiharu, KIYOYANAGI Noriko, MORINO Tomio
• 特許9440855:High Purity Carbon Nanotube, Process For Preparing The Same And Transparent Conductive Using The Same    2016年09月13日

  KOBAYASHI Yoshihiro, NEGISHI Ryota, KORIYAMA Koriyama, AGATA Shogo, FUJIMOTO Kazuki, ARIFUKU Michiharu, SHIMMOTO Masahiro, IMAIZUMI Masahiro, KIYOYANAGI Noriko
• 特開2016-047777:高純度カーボンナノチューブ、その製造方法及びそれを用いた透明導電膜  2016年04月07日

  小林 慶裕, 根岸 良太, 郡山 翔二, 阿形 省吾, 藤本 一輝, 有福 達治, 新本 昭樹, 今泉 雅裕, 清柳 典子
• 特願2014-172628:グラフェン薄膜の製造方法、並びにグラフェン薄膜を備えた電子素子およびセンサ  2014年08月27日

  根岸 良太, 小林 慶裕, 松崎 通弘
• 特願2014-162737:電界効果トランジスタおよびそれを用いたセンサ  2014年08月08日

  小林 慶裕, 根岸 良太, 加瀬 寛人, 有福 達治, 清柳 典子, 森野 富夫
• 特願2013-105560:グラフェン薄膜の製造方法、並びにグラフェン薄膜を備えた電子素子、センサー、アレイ素子およびセンシング方法  2013年05月17日

  根岸 良太, 小林 慶裕, 高坂 成時, 大野 恭秀, 前橋兼三, 松本和彦

受賞

• 2017年03月 薄膜・表面物理分科会 第一回 論文賞
   

  受賞者: 根岸 良太;赤堀 誠志;伊藤 孝寛;渡辺 義夫;小林 慶裕
• 2009年12月 理化学研究所 野良良治 理事長賞
   

  受賞者: 根岸 良太
• 2009年11月 22nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC) 2009 Most Impressive Poster
   

  受賞者: T. Nishino;R. Negishi;H. Ozawa;K. Ishibashi
• 2005年03月 未踏科学技術協会インテリジェント材料・システムフォーラム 第13回 高木賞
   

  受賞者: 寺部一弥;長谷川剛;田村拓郎;マニシャクンドゥ;根岸良太;梁長浩;坂本利司;青野正和

共同研究・競争的資金等の研究課題

• 多層グラフェンのナノギャップ構造によるテラヘルツ帯表面増強ラマン散乱素子の開発

  日本学術振興会：科学研究費助成事業 基盤研究(C)

  研究期間 : 2022年04月 -2025年03月 

  代表者 : 根岸 良太; 有江 隆之
• 単一分子レベルの超高感度バイオセンサー素子のスケーラブルな製造法の開発

  埼玉県：埼玉県次世代ものづくり技術活用製品開発補助金制度

  研究期間 : 2022年06月 -2023年02月 

  代表者 : 根岸 良太
• 単層グラフェンの量子伝導特性を有する乱層積層・超低欠陥多層グラフェンの創成

  東洋大学：井上円了記念研究助成

  研究期間 : 2021年05月 -2022年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• 単一分子検出可能なアクティブ表面増強ラマン散乱素子の開発

  国立研究開発法人科学技術振興機構：研究成果展開事業（研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP））

  研究期間 : 2021年04月 -2022年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• 表面増強ラマン散乱素子の自動作製システムの開発

  工業技術研究所：産学連携プロジェクト研究

  研究期間 : 2021年04月 -2022年03月 

  代表者 : 根岸良太
• 非平衡系原子・電子構造に対する同時計測技術の開拓による数層グラフェン特異物性の起源解明に関する研究

  マツダ財団法人：マツダ研究助成金

  研究期間 : 2020年04月 -2021年03月 

  代表者 : 根岸良太
• 電荷・スピンハイブリッド量子科学の研究

  日本学術振興会：科学研究費助成事業 新学術領域研究(研究領域提案型)

  研究期間 : 2015年06月 -2020年03月 

  代表者 : 石橋 幸治; 大野 雄高; 平山 祥郎; 神田 晶申; 小林 慶裕; 川村 稔

   

  １）抵抗検出NMRとナノプローブによる交流電界核スピン操作を組み合わせることで核スピン特性を二次元マッピングできる顕微鏡を開発し、量子ホール効果のブレークダウン状態を利用してナイトシフト分布を計測することに成功した。また、量子ポイントコンタクト（QPC）では１T以下の低磁場でもQPCの抵抗傑出NMRが可能になる条件を見つけた。 ２）電子スピンと共振器中の光子の単一量子レベルでの相互作用に関して、2重量子ドットの結合の強さが異なる場合の電荷と光子の量子的相互作用の詳細を明らかにすることができた。電荷のコヒーレンスが光子と電荷の結合の強さよりも小さいため、コヒーレントな結合を実現することができなかった。 ３）フォトングループとの共同研究により、NVセンターを含むナノダイヤモンド薄膜を用いた電子デバイスのオペランド計測を論文成果とすることができた。 ４）グラフェンのひずみ効果を用いたバンドギャップ形成では、電気伝導測定ではグラフェンのバンドギャップ形成は確認されなかった。また、微小層状超伝導体薄膜の量子渦糸状態制御では、ミクロンサイズの正方形NbSe2における単一渦糸侵入を独自の微小トンネル接合法を用いて観測することに成功し、従来のアルミニウム正方形とは異なる渦糸侵入の特徴を見出した。 ５）核スピンを持つ13CをCNT/グラフェン格子中に制御して導入する合成技術や量子計測に適した超低欠陥ナノカーボン材料の超高温プロセス合成を試みた。 ６）強磁性トポロジカル絶縁体薄膜の磁化方向を回転することにより、量子異常ホール効果状態から通常絶縁体へのトポロジカル数の変化を伴った量子相転移を観測した。ホール抵抗の温度依存性を測定し、その結果から相転移の臨界指数を実験的に決定した。Ge/Siナノワイアホール系の量子化コンダクタンスを調べることにより、マヨラナゼロモードに必要なヘリカル状態の形成が示唆された。
• 単一分子検出を可能とするアクティブフォトニクスデバイスの開発

  日本学術振興会：挑戦的萌芽研究

  研究期間 : 2016年04月 -2018年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• 成長駆動力制御を利用したナノダイヤモンドからのカーボンナノチューブ高効率合成

  日本学術振興会：科学研究費助成事業 基盤研究(B)

  研究期間 : 2014年04月 -2017年03月 

  代表者 : 小林 慶裕; 小松 直樹; 根岸 良太; 清柳 典子; 有福 達治

   

  非金属ナノ粒子であるナノダイヤモンド（ND)を核とした単層カーボンナノチューブ（CNT）の成長において、金属触媒とは異なる成長機構を踏まえて合成プロセスを高効率化し、高純度CNT材料としての優位性を検証した。NDを高速液体クロマトグラフィー法でサイズ分離し、シングルnmサイズのND調整に成功した。CNT前駆体が形成される成長初期段階とその後の定常成長段階での成長駆動力を成長ガス圧力等で独立に調整するアプローチにより、CNT成長を高効率化し、サイズ分布が狭い極薄ND層からのCNT成長を可能とした。CNT薄膜を用いたバイオセンサでの高感度・広帯域な動作から電子材料としての優位性を実証した。
• 太陽炉を用いた反応性超高温処理によるグラフェン形成法の研究

  日本学術振興会：科学研究費助成事業 挑戦的萌芽研究

  研究期間 : 2014年04月 -2016年03月 

  代表者 : 小林 慶裕; 根岸 良太; 篠田 佳彦

   

  太陽炉を用いて得られる超高温（～1800℃）の反応性雰囲気で酸化グラフェンを処理し、化学剥離過程で生成する欠陥を修復することにより、高結晶性のグラフェンを形成する技術の開発を進めた。エタノール雰囲気で処理した酸化グラフェン薄膜から得られたラマンスペクトルで、Dバンド/Gバンド強度比として0.1、2Dバンド/Gバンド強度比として0.7が観測され、従来の不活性雰囲気と比べ著しく構造修復が進行することを明らかにした。さらに、2Dバンド形状の解析から、不活性雰囲気で進行するグラファイト化が抑制され、単層グラフェンに類似した物性が得られる乱層グラフェンが生成するという全く新奇な現象を見出した。
• 高機能グラフェン薄膜デバイスの開発と多重チャンネルバイオセンサー応用

  (株)日立：日立共同研究（公募研究）

  研究期間 : 2013年04月 -2016年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• 乱層構造型多層グラフェンナノリボン創出とデバイス応用

  日本学術振興会：若手B

  研究期間 : 2013年04月 -2015年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• 高品質酸化グラフェン薄膜を利用したマルチチャンネルバイオセンサーの開発

  豊田理研：豊田理研スカラー（民間助成）

  研究期間 : 2013年04月 -2014年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• 高機能グラフェン薄膜デバイスの開発と多重チャンネルバイオセンサー応用

  大阪大学：大阪大学マッチングファンド

  研究期間 : 2013年04月 -2014年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• 多重チャネル型バイオセンサーの開発

  大阪大学：大阪大学チャレンジプログラム

  研究期間 : 2012年04月 -2013年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• 乱層構造を形成した多層グラフェンのキャリア輸送特性

  村田学術振興財団：海外渡航助成

  研究期間 : 2012年04月 -2013年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• マルチチャンネルマイクロバイオチップの開発に向けた酸化グラフェン薄膜の機能化

  ＪＳＴ：研究成果最適展開支援プログラム 探索タイプ

  研究期間 : 2012年04月 -2013年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• 集積化を目指した自己組織化によるグラフェンナノデバイス構造制御法の開拓

  矢崎科学技術振興記念財団：一般助成研究

  研究期間 : 2011年04月 -2013年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• ナノギャップ電極上のグラフェン薄膜自己形成プロセス技術の開拓

  池谷科学技術振興財団：池谷助成

  研究期間 : 2010年04月 -2011年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• 単分子を架橋させた複合ナノ接合リングによる単分子の電気伝導測定

  日本学術振興会：若手Ｂ

  研究期間 : 2008年04月 -2011年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• ナノデバイス応用に向けたカーボンナノチューブ自己複製成長法の研究

  日本学術振興会：科学研究費助成事業 特定領域研究

  研究期間 : 2010年 -2011年 

  代表者 : 小林 慶裕; 根岸 良太

   

  カーボンナノチューブ(CNT)のナノデバイス応用には特定構造を持った単層CNTを選択的に合成する手法の確立が必須である。本研究課題の究極的な目標は、予め特定の構造のみに分別したCNT成長核から同一構造のCNTを再成長(自己複製成長)する技術を開拓し、この問題を解決することにある。H23年度は、H22年度に引き続いて、結晶成長核(フラーレンC60)からの高効率CNT成長法の確立を進めた。フラーレンはCNT構造の一部(キャップ構造)と見なせる。フラーレンからのCNT成長はCNT自己複製成長と類似の過程で進行するため、CNT自己複製成長実現に向けた要素技術となる。さらに、ラマンスペクトルによるCNT成長の効率検証も容易である。昨年度に見出した条件をもとに、高効率成長を実現する指針を探索した結果、成長効率は炭素源ガス(エタノール、アセチレン)の組成や基板上でのフラーレン分子の会合状態に極めて敏感であることを見出した。炭素源ガスにおけるエタノール比率が高いほどCNT成長効率も向上する。しかも、フラーレンと同様に結晶性のナノ粒子であるナノダイヤモンドを成長核とした場合には全く逆の傾向が観測された。これらの結果を基に、成長最初期段階におけるキャップ構造形成と定常的なCNT成長段階におけるエッジ活性化の維持が成長効率を支配することを明らかにした。また、ポリマー状に凝集したフラーレンからCNTが著しく高効率に成長する現象も見出した。しかし、径分布の解析から、成長したCNTの径は1nmを超える場合が多く、自己複製成長と同様の様式でC60半球構造から成長した場合に期待される約0.7nmよりもはるかに太いことが判明した。これはフラーレン集合体がナノダイヤモンドと同様の固体成長核として機能するためと推定される。以上のように、自己複製成長によるCNT構造制御を高効率に行うためには、気相条件に加えて、会合状態の最適化が重要な要因であることを明らかにした。
• 電離電着法を利用したナノメッキによる超電導－単分子複合ナノ接合素子の創出

  公益法人 日立財団：倉田奨励金

  研究期間 : 2009年04月 -2010年03月 

  代表者 : 根岸 良太
• 単一電子・分子スピントロニクスデバイスの創出とこれを実現するナノ加工技術の確立

  基礎科学特別研究員研究費

  研究期間 : 2008年 -2010年 

  分子リソグラフィー法と電子描画法をハイブリッドした微細加工法の開発により、数nmオーダーの溝構造をもつナノギャップ電極の作製と素子のコアにナノ構造物を用いることによる量子デバイスの創出を行っている。

委員歴

• 2021年04月 - 現在   マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議   セッション２-１ サブヘッド
• 2018年04月 - 現在   応用電子物性分科会   幹事
• 2020年04月 - 2022年03月   応用物理学会関西支部   監査
• 2016年04月 - 2022年03月   応用物理学会   ナノカーボンセッション領域世話人
• 2016年04月 - 2021年03月   応用物理学会関西支部   諮問委員
• 2016年04月 - 2021年03月   マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議（MNC）   論文委員
• 2016年04月 - 2017年03月   新学術領域研究”ハイブリッド量子科学”   若手研究会幹事
• 2014年04月 - 2016年03月   ナノ学会   編集委員
• 2013年04月 - 2016年03月   応用物理学会   関西支部会計幹事

担当経験のある科目

輪講
東洋大学
卒業研究
東洋大学
エレクトロニクス特別輪講
東洋大学
エレクトロニクス特別研究
東洋大学
電子デバイス特論
東洋大学
固体電子物性
東洋大学
電気電子情報実験B
東洋大学
振動・波動物理
東洋大学
電磁気学A
東洋大学
応用解析学B
東洋大学

その他のリンク

researchmap

https://researchmap.jp/read0138882