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椿 光太郎ツバキ コウタロウ

所属・担当
総合情報学科
工業技術研究所
職名教授
メールアドレス
ホームページURLhttp://www2.toyo.ac.jp/~tsubaki-k/index.htm
生年月日
Last Updated :2017/07/19

研究者基本情報

学歴

  •  - 1978年, 東京大学, 理学系研究科, 物理学専攻
  •  - 1976年, 東京大学, 理学部, 物理学

学位

  • 博士(工学), 北海道大学

所属学協会

  • 応用物理学会
  • 日本物理学会
  • アメリカ物理学会

経歴

  •   2009年04月 - 現在, 東洋大学 , 総合情報学部, 教授
  •   1978年04月 - 2002年09月, 日本電信電話株式会社, 物性科学基礎研究所
  •   2002年10月 - 2009年03月, 東洋大学, 工学部 , 教授

研究活動情報

研究分野

  • ナノ・マイクロ科学, ナノ構造科学
  • ナノ・マイクロ科学, マイクロ・ナノデバイス

研究キーワード

    電気物性:電子伝導, 固体デバイス

論文

  • Measurements of fine particle size using image processing of a laser diffraction image, 椿 光太郎, Jpn J. Appl. Phys., 55, (8S3) ,   2016年08月
  • 民生用カメラを用いた可搬型微粒子粒径測定装置, 椿 光太郎, ケミカルエンジニアリング, 60, (9) 667 - 674,   2015年09月
  • Magnetic field induced by the carbon nanotubes current by magnetic force microscopy, 椿 光太郎、山口 浩司, Physica E, 40, (6) 2220 - 2221,   2008年04月
  • Proposal of Carbon nanotube Inductors, 椿 光太郎、中島 義賢, 花尻 達郎, 山口浩司, J. Physics, 38, 49 - 52,   2006年01月
  • Magnetometory of AlGaN/GaN heterostructure waferes, 椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 小林直樹, AIP Conference Proceedings, 447 - 448,   2005年01月
  • Electron Transport in U-shape Carbon, 椿 光太郎、鳥谷部 達, 花尻 達郎, 蒲生西谷 美香, 工業技術, 28, 30 - 34,   2005年01月
  • Magnetometory of AlGaN/GaN heterostructure waferes, 椿 光太郎、前田 就彦, 斉藤 正, 小林 直樹, Bulletin of The MAR04 Meeting of the American Physical Society,   2004年01月
  • Hall resistance hysteresis in AlGaN/GaN 2DEG, 椿 光太郎、前田 就彦, 斉藤 正, 小林 直樹, Physica E, 21, (2-4) 676 - 678,   2004年01月
  • Electron transport propeties in AlGaN/InGaN/GaN double heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy, 王 成新, 椿 光太郎、小林 直樹、牧本 俊樹、前田 就彦, Appl. Phys. Lett., 84, (13) 2313 - 2315,   2004年01月
  • Electron transport propeties in lightly-Si-doped InGaN films grwon by metalorganic vapor phase epitaxy, 王 成新、前田 就彦、椿 光太郎、小林 直樹、牧本俊樹, Jpn J. Appl. Phys., 43, (6A) 3356 - 3359,   2004年01月
  • Hall Plateau at small magnetic field in AlGaN/GaN, 椿 光太郎、前田 就彦, 斉藤 正, 小林 直樹, The mesoscopic superconductor and spintronics, 117 - 121,   2003年03月
  • Two-dimensional electron gas transport properties in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors designed for high-power amplications, 前田 就彦, 椿 光太郎、斉藤 正, 俵 毅彦, 小林 直樹, Optical Materials, 23, (1-2) 211 - 217,   2003年01月
  • Hall resistance hysteresis in AlGaN/GaN 2DEG, 椿 光太郎、前田 就彦, 斉藤 正, 小林 直樹, Bulletin of The MAR03 Meeting of the American Physical Society,   2003年01月
  • Doping design of GaN-based heterostructure field-effect transistors with high electron density for high-power amplications, 前田 就彦, 俵 毅彦, 斉藤 正, 椿 光太郎、 小林 直樹, Physica Status Solidi (a), 200, (1) 168 - 174,   2003年01月
  • Spin Splitting in modulation-doped AlGaN/GaN two-dimensional electron gas, 椿 光太郎、前田 就彦, 斉藤 正, 小林 直樹, Proceedings of the 26th Int. Conf. Phys. Semiconductors,   2003年01月
  • Spin Splitting in modulation-doped AlGaN/GaN two-dimensional electron gas, 椿 光太郎、前田 就彦, 斉藤 正, 小林 直樹, Appl. Phys. Lett., 80, (17) 3126 - 3128,   2002年04月
  • Nanoparticle Induced Multi-functionalization of Silicon: A Plug and Play Approach, Prabhakaran K., Shafi K. V., 山内 喜晴、椿 光太郎、Ulman A.、本間 芳和、荻野 俊郎, Applied Surface Science, 190, (1-4) 161 - 165,   2002年01月
  • Back-doping design in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor for high-power applications, 前田 就彦、斎藤 正、椿 光太郎、西田 敏夫、小林 直樹, Material Research Soc. Symp. Proceeding,   2002年01月
  • Two-dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN HFETs with high Al compositions, 前田就彦、斎藤正、椿光太郎、小林 直樹, Inst. Phys. Conf. Ser., 170, (1) 107 - 112,   2002年01月
  • Gate voltage dependence of subband structure in a two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures, 椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 西田敏夫, 小林直樹, Physica E, 13, (2-4) 1111 - 1113,   2002年
  • High-Temperature Electron Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors, 前田 就彦、斎藤 正、椿 光太郎、西田 敏夫、小林 直樹, Appl. Phys. Lett., 79, (11) 1634 - 1636,   2001年01月
  • Two-dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN Single- and Double-heterostructure Field Effect Transistor, 前田 就彦、斎藤 正、椿 光太郎、西田 敏夫、小林 直樹, Materials Science & Engineering B B, B82, 232 - 237,   2001年01月
  • Electronic subbands of two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructure, 椿 光太郎、前田 就彦, 斉藤 正, 西田 敏夫, 小林 直樹, Proceedings of the 25th Int. Conf. Phys. Semiconductors, 1593 - 1594,   2001年01月
  • Aharonov-Bohm Oscillation in Rings with Permalloy, 椿 光太郎, Jpn J. Appl. Phys., 40, (3B) 1902 - 1905,   2001年01月
  • AlGan/GaN Heterostructure Field Effect Transisotor with High Al Compositions Fabricated with Selective Area Regrwoth, 前田 就彦、斎藤 正、椿 光太郎、西田 敏夫、小林 直樹, Physica Status Solidi (a), 188, (1) 223 - 226,   2001年01月
  • Aharonov-Bohm Oscillation in Rings with Permalloy, 椿 光太郎, Jpn. J. Appl. Phys., 40, (3B) 1902 - 1905,   2001年
  • AlGaN/GaN ヘテロ構造FET, 前田 就彦、斎藤 正、椿 光太郎, NTT R&D, 50, (1) 8 - 16,   2001年
  • Electron transport properties in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors at high electron densities., 前田就彦、斎藤正、椿光太郎、西田 敏夫、小林 直樹, IPAP Conf. Ser., 1, 953 - 956,   2000年
  • Enhanced effect of polarization on electron transport properties in AlGaN/GaN Double-heterostructure Field Effect Transistors, 前田就彦、斎藤正、椿光太郎、西田 敏夫、小林 直樹, Appl.Phys. Lett., 76, (21) 3118 - 3120,   2000年
  • Two-dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/(In)GaN/AlGaN Double-heterostructure Field Effect Transistor, 前田就彦、斎藤正、椿光太郎、西田 敏夫、小林 直樹, Material Research Soc., 595,   2000年
  • Quantized magnetotransport through magnetic barrier systems, 椿 光太郎, Inst. Phys. Conf. Ser., no.162 Chap.7 pp.373-378,   1999年
  • Enhanced electron mobility in AlGaN/InGaN/AlGaN double-heterostructures by piezoelectric effect, 前田就彦、斎藤正、椿光太郎、西田 敏夫、小林 直樹, Jpn. j. Appl. Phys., 38, (7B) ,   1999年
  • Superior pinch-off characteristics at 400 C in AlGaN/GaN heterostructures field effect transistor, 前田就彦、斎藤正、椿光太郎、西田 敏夫、小林 直樹, Jpn. J. Appl. Phys., 38, (9A/B) ,   1999年
  • Enhanced two-dimensional electron gas confinement effect on transport properties in AlGaN/InGaN/AlGaN double-heterostructures, 前田就彦、斎藤正、椿光太郎、西田 敏夫、小林 直樹, Physica Status Solidi. (b), 216, (1) 727 - 731,   1999年
  • Observation of shot noise suppression at the peaks of Coulomb oscillations, 佐々木 智、椿 光太郎、樽茶 清悟、藤原 聰、高橋 庸夫, Solid-State Electronics, 42, (7-8) 1429 - 1431,   1998年
  • Longitudinal magnetoresistance in magnetic barrier system, 椿 光太郎, Physica B, 456-458, 392 - 396,   1998年
  • Noninvasive determination of the ballistic-electron current distribution, 都倉 康弘、本多 隆、椿 光太郎、樽茶 清悟, Phys. Rev. B, 54, (3) 1947 - 1952,   1996年
  • Electron wave interference in Mach-Zehnder channels, 椿 光太郎、本多 隆、都倉 康弘, Inst. Phys. Conf. Ser., no.129 Chap.5 pp.293-298,   1993年
  • Ballistic transport and low-frequency noise in high mobility two-dimensional electron systems, 樽茶清悟、佐久規、平山祥郎、PHILLIPS J.R.、椿光太郎、堀越 佳治, Inst. Phys. Conf. Ser., no.127 Chap.4 pp.127-132,   1993年
  • Density of states of AlAs/GaAs fractional layer superlattice quantum wires in a modulation doped structure, 椿 光太郎、本多 隆、斎藤 久夫、福井 孝志, Surface Science, 267, 270 - 273,   1992年
  • Fractional superlattices grown by MOCVD and their device applications, 福井 孝志、椿 光太郎、斎藤 久夫、本多 隆, Surface Science, 267, 588 - 592,   1992年
  • Aharonov-Bohm effect under high magnetic field in a Corbino disk anti-dot channel, 椿 光太郎、本多 隆、都倉 康弘, Surface Science, 263, 392 - 395,   1992年
  • Electron wave interference in fractional layer superlattice(FLS)quantum wires, 椿 光太郎、本多 隆、都倉 康弘, Inst. Phys. Conf. Ser., no.120 Chap.12 pp.619-624,   1992年
  • Low-frequency noise in very high mobility modulation-doped structures, PHILLPS J.S、椿 光太郎、佐久 規、樽茶 清悟, Appl. Phys. Lett., 61, (24) 2926 - 2928,   1992年
  • Electron wave interference device with fractional layer superlattices, 椿 光太郎、本多 隆、斎藤 久夫、福井 孝志, Appl. Phys. Lett., 58, (4) 376 - 378,   1991年
  • Carrier concentration in quantum wires fabricated by reactive ion beam etching, 伊東 雅之、本多 隆、椿 光太郎, Jpn. J. Appl. Phys, 30, (10) 2455 - 2458,   1991年
  • 極微細構造半導体の電子輸送, 樽茶清悟、佐久規、平山祥郎、椿光太郎, NTT R&D, 40, (10) 1391 - 1398,   1991年
  • Electronic state of AlAs/GaAs vertical superlattice in modulation doped structure, 都倉 康弘、椿 光太郎、須佐 信彦, Inst. Phys. Conf. Ser., no.106 Chap.11 pp.869-875,   1990年
  • Mobility modulation on a modulation-doped structure with an AlAs/GaAs with a fractional layer superlattice, 椿 光太郎、都倉 康弘、須佐 信彦, Appl. Phys. Lett., 57, (8) 804 - 806,   1990年
  • 極微細構造結晶と電子波干渉素子, 椿 光太郎、福井 孝志, 電気学会論文誌C, 110, (12) 721 - 728,   1990年
  • Electron wave interference device with vertical superlattices working in large current region, 椿 光太郎、福井 孝志、都倉 康弘、斎藤 久夫、須佐 信彦, Electronics Letters, 25, (11) 728 - 729,   1989年
  • Suppression of acoustic phonon scattering in two-dimensional electron-gas on(InAs)1(GaAs)1/InP heterointerfaces, 小平 豊、桑野 博、椿 光太郎, Appl. Phys. Lett., 54, (24) 2414 - 2416,   1989年
  • Coherence length in quantum interference devices having periodic potential, 椿 光太郎、都倉 康弘, JSAP-MRS INT'l. Conf. on Elec. Mats, 53, (10) 99 - 102,   1988年
  • New Field-effect transistor with quantum wire and modulation-doped heterostructures, 椿 光太郎、福井 孝志、都倉 康弘、斎藤 久夫、須佐 信彦, Electronics Letters, 24, (20) 1267 - 1268,   1988年
  • 半導体における電子の干渉効果, 椿 光太郎, 固体物理, 23, (9) 714 - 720,   1988年
  • Device characterization of p-channel AlGaAs/GaAs MIS-like heterostructure FETs, 平野 真、尾江 邦重、柳川 文彦、椿 光太郎, IEEE Electron. Dev., ED-34, (12) 2399 - 2404,   1987年
  • Conductivity oscillation due to quantum interference in a proposed wash-board transistor, 都倉 康弘、椿 光太郎, Appl. Phys. Lett., 51, (22) 1807 - 1808,   1987年
  • Magnetoresistance of n-AlGaAs/GaAs two-dimensional electron gas thin wire, 椿 光太郎、小林 直樹、安藤 精後、杉村 陽, Surface Science, 170, 33 - 37,   1986年
  • Origin of persistent photoconductivity in n-InP/GaInAs two-dimensional electron gas, 椿 光太郎、福井 孝志、斎藤 久夫, J. Appl/ Phys., 60, (9) 3224 - 3226,   1986年
  • Temperature dependence of two-dimensional hole gas in modulation-doped p-AlxGa1-xAs/GaAs heterojunctions, 尾江 邦重、椿 光太郎, J. Appl. Phys., 59, (10) 3527 - 3531,   1986年
  • A p-channel AlGaAs/GaAs MIS-like heterostructure FET employing two dimensional hole gas, 尾江 邦重、平野 真、荒井 邦博、柳川 文彦、椿 光太郎, Surface Science, 174, 378 - 380,   1986年
  • Far-infrared magnetoabsorption study of electron systems Ga0.47In0.53As-InP heterojunctions, 山田 省二、福井 孝志、椿 光太郎、杉村 陽, Phys. Rev. B, 32, (12) 8078 - 8084,   1985年
  • Electron mobility limits of two-dimensional electron gas in n-AlGaAs/GaAs at low temperature, 椿 光太郎、杉村 陽、隈部 建治, J. Appl. Phys., 57, (12) 5354 - 5358,   1985年
  • Warm electron system in the n-AlGaAs/GaAs two-dimensional electron gas, 椿 光太郎、杉村 陽、隈部 建治, Appl. Phys. Lett., 46, (8) 764 - 766,   1985年
  • High field electron transport in n-InP/GaInAs two-dimensional electron gas, 椿 光太郎、福井 孝志、斎藤 久夫, Appl. Phys. Lett., 46, (9) 875 - 877,   1985年
  • Selectively-doped GaAs/n-AlGaAs heterostructures grown by MOCVD, 小林 直樹、福井 孝志、椿 光太郎, Jpn. J. Appl. Phys., 23, (9) 1176 - 1181,   1984年
  • Spatially modulated photoconductivity at N-AlGaAs/GaAs heterojunctions and Formation of persistent charge patterns with submicron dimensions, 椿 光太郎、榊 裕之、吉野 淳二、関口 芳信, Appl. Phys. Lett., 45, (6) 663 - 665,   1984年
  • Phase equilibria in the Cu-Ga-S-Sn system, 椿 光太郎、杉山 耕一, J.Electronic Materials, 12, (1) 43 - 59,   1983年
  • Differential negative resistance caused by inter-subband scattering in a 2-dimensional electron gas, 椿 光太郎、LIVINGSTONE Alec、川島 稔、岡本 紘、隈部 建治, Solid State Comm., 46, (7) 517 - 520,   1983年
  • Heat treatment of n-type InP in controlled phosphorus vapor, 椿 光太郎、杉山 耕一, Jpn. J. Appl. Phys., 19, (6) 1185 - 1186,   1980年
  • Heat treatment of Zn-doped p-type InP, 椿 光太郎、杉山 耕一, Jpn. J. Appl. Phys., 19, (9) 1789 - 1790,   1980年
  • Surface damage in InP induced during SiO2 deposition by RF sputtering, 椿 光太郎、杉山 耕一, Jpn. J. Appl. Phys., 18, (6) 1191 - 1192,   1979年
  • Electron traps in n-InP grown by the synthesis solute-diffusion method, 椿 光太郎、久保田 英志、杉山 耕一, Electron. Lett., 15, (17) 513 - 515,   1979年

書籍等出版物

  • ネットワークと社会
    椿 光太郎
    社団法人日本機械学会  2008年04月

講演・口頭発表等

  • Measurements of fine-particle-size using the image processing of laser diffraction image, 椿 光太郎, 20th Microoptics Conference,   2015年10月25日
  • 微粒子レーザー回折像の画像処理による粒径測定, 椿 光太郎, 第62回応用物理学会春季学術講演会,   2015年03月11日
  • イメージセンサーを使用したレーザー回折法による微粒子粒径測定システム, 椿 光太郎, 第61回応用物理学会春季学術講演会,   2014年03月17日
  • エレクトライドC12A7の常温強磁性, 椿 光太郎,   2014年03月03日
  • エレクトライドC12A7の常温強磁性, 椿 光太郎, 第74回応用物理学学術講演会,   2013年09月16日
  • イベント相関イメージングを用いた微粒子粒径測定, 椿 光太郎, 第12回情報科学技術フォーラム,   2013年09月04日
  • 産学連携による学生の実践力向上に向けた教育プログラムの現状と課題, 椿 光太郎, 第61回工学教育研究講演会,   2013年08月29日

特許

  • 粒径測定装置および粒径測定方法, 椿 光太郎、荒井 政彦, 特願2013-156632
  • 局所的巨大磁場発生装置, 椿 光太郎, 特願2005-033877
  • 電圧発生方法および電圧発生装置, 椿 光太郎, 特願2004-000564
  • モノリシック集積回路用コイルの作製方法およびモノリシック集積回路, 椿 光太郎, 特願2003-384114
  • 液相エピタキシャル成長法, 1396420
  • 電界効果トランジスター, 1465558
  • 半導体スィッチング装置, 2544476

競争的資金

  • 組込み型超小型微粒子粒径測定システムの開発, 科学技術振興機構, マッチングプランナープログラム, 椿 光太郎
  • GaN2次元電子ガスの輸送現象の研究, JST戦略的創造研究推進制度(研究チーム型) (戦略的基礎研究推進事業:CREST)
  • 量子電子物性制御の研究, その他の研究制度
  • カーボンナノチューブの電子物性, 経常研究
  • 半導体ナノサイエンス, 特別研究
  • 窒化物半導体スピン偏極電子のカーボンナノチューブへの注入によるQビット状態の研究, 特別研究(共同研究), 椿 光太郎
  • GaN2次元電子ガスの磁気輸送特性の研究, 日本電信電話株式会社, 日本電信電話株式会社委託研究, 椿 光太郎

社会貢献活動情報

社会貢献活動

  • 民生用カメラを使用した携帯型微粒子粒径計測装置, 司会, Japan Science and Technology Agency,   2015年08月27日 - 2015年08月28日