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堀口 文男ホリグチ フミオ

所属・担当
総合情報学科
総合情報学専攻
職名教授
メールアドレスf-hori[at]toyo.jp ※[at]を@に書き換えて送信して下さい
ホームページURL
生年月日
Last Updated :2017/07/19

研究者基本情報

学歴

  • 東京工業大学大学院総合理工学研究科
  • 東京工業大学工学部電子工学科

学位

  • 工学博士, 東京工業大学大学院電子システム専攻

所属学協会

  • IEEE
  • 電子情報通信学会
  • 情報処理学会

委員歴

  •  - 現在, 2004/5~2007/5 電子情報通信学会 シリコン・材料・デバイス研究会 委員長

研究活動情報

研究分野

  • 電気電子工学, 電子デバイス・電子機器
  • 電気電子工学, 電子デバイス・電子機器

研究キーワード

    多値, 多層MRAM, 電子デバイス, MR比, 多層, 積層化, 集積回路, メモリ, MTJ, MRAM

論文

  • A Comprehensive Model for Write Disturbance in Resistive Memory Composed of Cross-Point Array, 浅尾 吉昭、堀口 文男, IEICE Trans. Electron., E100-C, (3) 329 - 339,   2017年
  • A Precise Model for Cross-Point Memory Array, 浅尾 吉昭、堀口 文男, IEICE Trans. Electron., E99-C, (1) 119 - 128,   2016年01月
  • オンチップ太陽電池のダイナミック電圧・電流制御, 堀口 文男, 信学論(C), J97-C, (2) 77 - 78,   2014年02月01日
  • Integration of Series-Connected On-Chip Solar Battery in a Triple-Well CMOS LSI, 堀口 文男, Transaction on Electron Devices IEEE, 59, (6) 1580 - 1584,   2012年06月
  • 直列太陽電池を集積したトリプルウェルCMOSLSIの構成法, 堀口 文男、塚越 亨,富樫英樹, 信学論(C), J94-C, (5) 136 - 137,   2011年05月
  • Consideration of Optimum Resistance Values of MTJ in Multilayered MRAM with Various Detection Methods, 堀口 文男、東芝 輿田博明, NEC 田原 修一, Wiley InterScience, 90, (3) 42 - 48,   2007年03月
  • Advanced memory concepts for DRAM and nonvolatile memories, 堀口 文男, Solid State Electronics, 50, 545 - 550,   2006年04月
  • MRAM多層化における各種検出法のMTJ抵抗の重み付け係数の最適化, 堀口 文男、東芝 輿田博明, NEC 田原 修一, 信学論(C), J89-C, (2) 62 - 68,   2006年02月
  • MRAM多層化におけるMTJ抵抗の重み付け係数の最適化, 堀口 文男、與田博明, 田原 修一, 電子情報通信学会論文誌(C), J88-C, (4) 280 - 281,   2005年04月

書籍等出版物

  • Information Technology I, Chapter12 Dynamic Random Access Memory, Nanotechnology
    堀口 文男
    Willy-VCH  2008年05月
  • エンジニアのための哲学・倫理
    堀口 文男、神田 雄一 菊地 章太 中川 良隆 石原 次郎 植田 佳典 井上 貴也 千葉工業大学 榎本眞三 日立製作所 牧 英夫
    実教出版  2007年02月10日

講演・口頭発表等

  • 直列太陽電池を集積したトリプルウェルCMOSLSIの構成法, 堀口 文男、東洋大学大学院工学研究科 塚越 亨、同 富樫英樹, 電子情報通信学会ソサイエティ大会エレクトロニクス講演論文集2、C-12-43,   2012年09月14日, 招待有り, トリプルウェルCMOSプロセスを使い、p-wellの側面をn-wellで、底面を高加速イオン注入したdeep n-well (dn-well) で取り囲み、p基板と回路や太陽電池をp-n接合分離する方法を新たに提案し、直列接続で1.3Vを初めて実現した。
  • Integration of Series-Connected On-Chip Solar Battery in a Triple-Well CMOS LSI, 堀口 文男, ESSDERC 2011,   2011年09月14日
  • Advanced memory concepts for DRAM and nonvolatile memories, 堀口 文男, ESSDERC 2005,   2005年09月, 招待有り

特許

  • 半導体装置, 堀口文男, 2013-145256, 特開2015-018942
  • 半導体装置, 堀口文男, 2010-279171, 特開2012-129349, 特許5780629

受賞

  • 2012/9 電子情報通信学会 平成23年度エレクトロニクスレター論文賞
  • 2002/10 (社)発明協会 地方発明表彰「高速動作マイクロプロセッサ」登録番号JP2642346
  • 1981/4 電子情報通信学会 学術奨励賞

競争的資金

  • 大容量多層メモリ回路技術の開発, 科学研究費 基盤研究(C)(一般), 堀口 文男
  • MRAMの多層化