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井村 亮イムラ リョウ

所属・担当
情報連携学部情報連携学科
情報連携学研究科情報連携学専攻
職名教授
メールアドレス
ホームページURLhttp://www.iniad.org
生年月日
Last Updated :2018/06/19

研究者基本情報

学歴

  • 1971年04月 - 1977年03月, 名古屋大学, 工学部, 金属・鉄鋼工学科

学位

  • 工学博士, 名古屋大学

経歴

  •   2017年04月 - 2018年03月, 東洋大学, 情報連携学部, 教授

研究活動情報

論文

  • Driving Ubiquitous Network - How can RFID Solutions meet the customer’s expectation -, 井村 亮, ISSCC 2005, Signal Processing (invited),   2005年
  • 超小型ICチップで広がるユビキタスビジネス, 井村 亮, 精密工学会誌,   2004年
  • The World Smallest RFID μ-Chip bringing about new business and lifestyle, 井村 亮, Proc. Symp VLSI Circuit Tech,   2004年
  • The Mu-Chip: An Ultra-Small 2.45 GHz RFID Chip for Ubiquitous Recognition Applications, 井村 亮, IEEE Trans on Elec., Vol.E-86-C, (No4) ,   2003年
  • An ultra-small individual recognition security chip, 井村 亮, IEEE MICRO, Vol21, (No6) ,   2001年
  • Nanoscale modification of phase change matetials with near-field light, 井村 亮, MICROELECTRONIC ENG., 30,   1996年
  • Magnetic and electrical properties of single-phase, single-crystal Fe16N2 films epitaxially grown by molecular beam epitaxy, 井村 亮, J. Appl Phys., 79, (8) ,   1996年
  • Phase-locked noncontact scanning force microscope, 井村 亮, Rev. Sci. Instrum., 66, (1) ,   1995年
  • Demonstration of nanometer recording with a scanning probe microscope, 井村 亮, MICROELECTRONIC ENG., 27,   1995年
  • Depth and State Analyses of Deuterium and Helium in D2-Annealed He+-Implanted Yttrium Iron Garnet, 井村 亮, Jpn J. Appl. Phys., Vol34, (No11) ,   1995年
  • Phase change writing in a GeSbTe film with scanning near-field optical microscope, 井村 亮, Ultramicroscopy, (61) ,   1995年
  • Silicon pn junction imaging and characterizations using sensitivity enhanced Kelvin probe force microscopy, 井村 亮, Appl. Phys. Lett., 66, (25) ,   1995年
  • 走査型プローブ顕微鏡を用いた書き換え型超高密度記録の可能性, 井村 亮, 日本応用磁気学会誌, Vol119, (No4) ,   1995年
  • 周波数変調方式磁気力顕微鏡の開発, 井村 亮, 日本応用磁気学会誌,   1994年
  • Formation of nanometer-sized Au dots on Si substrate in air, 井村 亮, J. Vac. Sci. Technol., B12, (3) ,   1994年
  • Ultrahigh density data storage by atomic manipilation, 井村 亮, Proc. Optical Data Storage SPIE, Vol, (2338) ,   1994年
  • Magnetic Force Microscope combined with, 井村 亮, J. Vac. Sci. Technol., A11, (6) ,   1993年
  • Stoichiometry measurement and electric characteristics of thin-film Ta2O5 insulator for ultra-large-scale integration, 井村 亮, J. Appl. Phys., 74, (1) ,   1993年
  • 膜厚変調ビットパターンによるブロッホラインメモリ, 井村 亮, 日本応用磁気学会誌,   1993年
  • Depth Profiling of Hydrogen Implanted into Magnetic Bubble Garnet Films Using the 1H(15N, αγ)12C Reaction, 井村 亮, Jpn. J. Appl. Phys., 30, (No2) ,   1991年
  • Garnet Films for 64Mb Bubble Memory Devices, 井村 亮, IEEE Trans. Magn., Vol125, (No5) ,   1989年
  • A METHOD FOR HIGH SENSITIVITY DEUTERIUM MEASUREMENTS BY MEANS OF THE D(3He, p)4 REACTION AND ITS APPLICATIONS, 井村 亮, Nucl. Instr., Method B,   1989年
  • Depth Profiling of Hydrogen Implanted into Magnetic Bubble Garnet by Using 1H(15N,αγ)12C Reaction, 井村 亮, Proc. 6th Symp. Ion Beam Tech., (No7) ,   1988年
  • Profiling of Light Elements in the Surface Layer of Solid by Means of the ERDA Method, 井村 亮, RIKEN Accelerator Prog. Report, 22,   1988年
  • 64Mbit磁気バブル素子用1.5μm周期イオン打込み転送路におけるバブルの基本転送, 井村 亮, 日本応用磁気学会誌, 12, (No2) ,   1988年
  • ION=IMPLANTED AND PERMALLOY HYBRID MAGNETIC BUBBLE MEMORY , 井村 亮, IEEE Trans. Magn., MAG-22,   1988年
  • Comparison of the ERDA Method and 1H(15N,αγ)12C Reaction Method in Hydrogen Depth Profiling, 井村 亮, RIKEN Accelerator Prog. Report, 21,   1987年
  • Origin of Anomalous Increase in Anisotropy Field Change for Heavily Ion-Implanted Magnetc Bubble Garnets, 井村 亮, J. Appl. Phys.,, 61, (No5) ,   1987年
  • Elastic Recoil Analysis of Implanted H2+ Ions in Magnetic Bubble Garnets, 井村 亮, RIKEN Accelerator Prog. Report, 20,   1986年
  • Hydrogen out-diffusion suppression effect of overlayers in H2+-implanted magnetic bubble garnet, 井村 亮, J. Appl. Phys., 60, (No7) ,   1986年
  • Thermal stability and aging effect of hydrogen-implanted bubble garnet films, 井村 亮, J. Appl. Phys., 60, (No7) ,   1986年
  • 磁気バブル結晶, 井村 亮, 日本結晶学会誌, 28,   1986年
  • Annealing Effects in Heavily Ion-Implanted Magnetic Bubble Garnet Films, 井村 亮, Jpn. J. Appl. Phys., 23, (No9) ,   1984年
  • H2+ ion-implantation effect in vacuum-evaporated permalloy films, 井村 亮, Appl. Phys. Lett., 42, (No3) 302 - 302,   1983年
  • 高速磁気バブルメモリボードの設計と動作, 井村 亮, 電子通信学会論文誌, 66-C, (No2) 121 - 122,   1983年
  • データベースマシン用8Mb磁気バブルメモリ, 井村 亮, 電子通信学会技術報告, EC, (80) ,   1980年
  • Spin Glass State of MnxNi1-xSb : Synthesis in High Pressure and High Temperature Atmospheres, 井村 亮, J. Phys. Soc. Jpn., 44, (No1) 114 - 118,   1978年

書籍等出版物

  • 社会を変えるイノベーション “創造の源流”
    井村 亮
    共著技術を生かすグローバルリーダー育成日経BPコンサルテイング  2015年
  • MOT Program Case Study Text “The Mu Chip”
    井村 亮
    共著UCB MOT ProgramThe University of California, Berkeley Haas   2002年

特許

  • タグを用いて情報を格納する情報格納物とこれらに関する装置, 井村 亮, 特願P2004-269107, 特開P2005-018807, 特許P03938174
  • タグを用いて情報を格納する情報格納物とこれらに関する装置, 井村 亮, 特願P91111586, 特許PI292885
  • タグを用いて情報を格納する情報格納物とこれらに関する装置, 井村 亮, 特願P2002-084741, 特開P2003-281495
  • 磁気ヘツドの製造方法, 井村 亮, 特願P07/225368, 特許P04894098
  • JIKI *BUBBIE MEMORY MODULEJIKI *BUBBIE MEMORY MODULE, 井村 亮, 特願P7904638
  • 磁気ヘツドの製造方法, 井村 亮, 特願PP3584747.6, 特許P00174144
  • 磁気ヘツドの製造方法, 井村 亮, 特願P85306013.5, 特許P00174144
  • 磁気ヘツドの製造方法, 井村 亮, 特願P06/768965, 特許P04772976
  • 磁気ヘツドの製造方法, 井村 亮, 特願P6028/85, 特許P10-0076843
  • 磁気バブルメモリ素子, 井村 亮, 特願P60-126019, 特開P61-284894
  • 磁気バブル素子の製造方法, 井村 亮, 特願P60-074207, 特開P61-234020
  • イオン打込み方式バブル転送路, 井村 亮, 特願P60-010846, 特開P61-170979
  • 磁性膜デバイスの製造方法, 井村 亮, 特願P8500677, 特許P08500677
  • 磁性膜デバイスの製造方法, 井村 亮, 特願P06/691128, 特許P04600488
  • 磁性膜の製造方法, 井村 亮, 特願P59-262777, 特開P61-141114
  • イオン打込み磁気バブル素子, 井村 亮, 特願P8418965, 特許P08418965
  • イオン打込み磁気バブル素子, 井村 亮, 特願P06/680891, 特許P04701385
  • イオン打込み磁気バブル素子, 井村 亮, 特願P59-233165, 特開P61-113181
  • 磁気ヘツドの製造方法, 井村 亮, 特願P59-176856, 特開P61-057016, 特表P06-064695, 特許P01933574
  • 磁気バブルメモリ装置, 井村 亮, 特願P59-139008, 特開P60-040592
  • イオン打込み磁気バブル素子, 井村 亮, 特願P59-011940, 特開P59-011940
  • 磁性膜デバイスの製造方法, 井村 亮, 特願P59-005585, 特開P60-150613, 特表P06-044543, 特許P01919976
  • イオン打込み磁気バブル素子, 井村 亮, 特願P58-234244, 特開P60-127594
  • イオン打込み方法, 井村 亮, 特願P58-194278, 特開P60-087495
  • 磁気バブル駆動回路, 井村 亮, 特願P58-157829, 特開P59-058687
  • 磁気バブル素子の製造方法, 井村 亮, 特願P06/465298, 特許P04476152
  • 半導体装置, 井村 亮, 特願P57-209411, 特開P59-100541
  • パタ-ン形成方法, 井村 亮, 特願P57-116772, 特開P59-008336
  • 磁気バブルメモリ素子, 井村 亮, 特願P57-111732, 特開P59-003776
  • 金属膜の処理方法, 井村 亮, 特願P57-094854, 特開P58-213867
  • JIKI *BUBBLE *MEMORY SOSHI NO SEIZOU HOU, 井村 亮, 特願PP3217550.7, 特許P03217550
  • JIKI *BUBBLE *MEMORY SOSHI NO SEIZOU HOU, 井村 亮, 特願PP3217501.9, 特許P03217501
  • JIKI *BUBBLE *MEMORY SOSHI NO SEIZOU HOU, 井村 亮, 特願P8213327, 特許P02100079
  • JIKI *BUBBLE *MEMORY SOSHI NO SEIZOU HOU, 井村 亮, 特願P8213108, 特許P02101433
  • JIKI *BUBBLE *MEMORY SOSHI NO SEIZOU HOU, 井村 亮, 特願P06/375216, 特許P04556583
  • JIKI *BUBBLE *MEMORY SOSHI NO SEIZOU HOU, 井村 亮, 特願P06/375180, 特許P04556582
  • *ION UCHIKOMI HOUHOU, 井村 亮, 特願PP3213768.0, 特許P3213768
  • *ION UCHIKOMI HOUHOU, 井村 亮, 特願P8210793, 特許P02098818
  • *ION UCHIKOMI HOUHOU, 井村 亮, 特願P06/367675, 特許P04460412
  • 磁気バブルメモリ素子の製造方法, 井村 亮, 特願P57-044468, 特開P58-164082
  • 磁気バブル素子の製造方法, 井村 亮, 特願P57-024350, 特開P58-142510, 特表P05-072090, 特許P01865547
  • 磁気バブルメモリ素子の製造方法, 井村 亮, 特願P57-011715, 特開P58-130489
  • 多重イオン打込み装置, 井村 亮, 特願P56-196806, 特開P58-100349
  • イオン打込み層の厚さ測定方法, 井村 亮, 特願P56-112135, 特開P58-014035
  • 磁気バブルメモリ素子の製造方法, 井村 亮, 特願P56-069442, 特開P57-186286
  • 磁気バブルメモリ素子の製造方法, 井村 亮, 特願P56-069441, 特開P57-186285
  • 磁気バブルメモリ素子の製造方法, 井村 亮, 特願P56-069440, 特開P57-186284
  • イオン打込み方法, 井村 亮, 特願P56-055551, 特開P57-170510
  • 磁気バブルメモリ装置, 井村 亮, 特願U55-132301, 特開U57-056399
  • 高速駆動用磁気バブルメモリモジユ-ル, 井村 亮, 特願P55-037490, 特開P55-146688, 特表P60-048836, 特許P01323588
  • 磁気バブル駆動回路, 井村 亮, 特願U54-121821, 特開U56-041896
  • 磁気バブルチツプのテ-プキヤリア実装構造, 井村 亮, 特願P54-100274, 特開P56-025283, 特表P59-002112, 特許P01228138
  • 磁気バブルチツプのテ-プキヤリア実装構造, 井村 亮, 特願U54-101849, 特開U56-021896
  • チツプ実装構造, 井村 亮, 特願U54-101848, 特開U56-021444
  • JIKI *BUBBLE *CHIP JISSOU KIBAN, 井村 亮, 特願P06/054797, 特許P04246646
  • JIKI *BUBBIE MEMORY MODULE, 井村 亮, 特願PP2923958.5, 特許P02923958
  • JIKI *BUBBIE MEMORY MODULE, 井村 亮, 特願P7920362, 特許P02023362
  • 電源保持回路, 井村 亮, 特願U54-077079, 特開U55-178739
  • JIKI *BUBBIE MEMORY MODULE, 井村 亮, 特願P06/046027, 特許P04321690
  • 電源保持回路, 井村 亮, 特願P54-051202, 特開P55-143629, 特表P57-050290, 特許P01161751
  • テ-プキヤリアを用いた磁気バブルメモリチツプの実装方法, 井村 亮, 特願P54-045318, 特開P55-139688, 特表P62-014915, 特許P01407820
  • 磁気バブルチツプ実装基板, 井村 亮, 特願P54-031129, 特開P55-012595, 特表P58-049947, 特許P01216400
  • 磁気抵抗効果素子及びその製造方法, 井村 亮, 特願P57-094849, 特開P58-213485, 特表P04-062191, 特許P01775121
  • RFIDインレツト、及びそれを用いたRFIDタグ、及びRFIDタグ付きシ-ル, 井村 亮, 特願P2004-032978, 特開P2005-227818, 特許P04368217
  • ジキバブルチツプ ジツソウキバン, 井村 亮, 特願U53-092842
  • 高速駆動用磁気バブルメモリモジユ-ル, 井村 亮, 特願U53-081895, 特開U54-184032
  • コイル傾斜型磁気バブルメモリモジユ-ル, 井村 亮, 特願P53-072158, 特開P55-001606, 特表P58-027909

受賞

  •   2007年10月, 新日本様式, 日本技術100選, ミューチップ
  •   2006年10月, 材料科学技術振興財団, 山崎 貞一 賞
  •   2004年04月, 日本デザイン振興会, GOOD DESIGN AWARD 2004, ミューチップ
  •   2003年01月, 日刊工業新聞社, 十大新製品・増田賞, 世界最小のRFID
  •   2003年01月, 日経新聞, 優秀製品サービス賞・最優秀賞, ミューチップ
  •   2001年10月,  半導体産業新聞社, LSI Design of the Yearグランプリ賞, 無線認識ICミューチップ
  •   1999年11月, R&D 100 Conference, R&D 100 Award, DVD-RAM相変化型光デイスク
  •   1984年04月, 電子通信学会, 学術奨励賞, 磁気バブルメモリ素子